2022年中微公司业务布局及竞争优势分析 中微公司内部自研+外延并购

一、中微公司：国产刻蚀设备龙头，内生外延拓展奠定营收增长新动力

1.1 国内刻蚀设备龙头，加速平台化布局

中微公司系国家“02 专项”首批项目承担单位，是国内老牌刻蚀设备龙头。公司于 2004 年在上海张江科技园成立；2007 年首台 12 英寸甚高频去耦合等离子体刻蚀设备 Primo D-RIE 研发成功并交付客户，正式进入半导体前道装备领域；2008 年入选国家科技重大 专项（02 专项）首批项目承担单位，获批承担国家《65~45nm 介质刻蚀机研发与产业化》 项目；2010 年首台深硅刻蚀设备研发成功，切入先进封装领域；2013 年公司投资睿励仪 器，布局检测设备领域；2016 年首台 MOCVD 设备 Primo D-Blue 研发成功，成功拓展 LED 领域；2016 年首台 VOC 设备的成功研发代表公司进入环保领域。公司多次承担介 质刻蚀领域国家重大专项以及上海市重大科技项目，驱动公司创新能力显著提升，进一步 拓宽国际化竞争视野，相关系列装备的研发和产业化加速落地。近年来，公司通过一系列 外延方式逐渐拓展至薄膜沉积、泛半导体设备、环保、健康及生态互连等领域，加速平台 化布局。

海归派高管具有丰富的半导体设备研发实力及行业从业经验。公司技术团队皆毕业于美国 名校并拥有公司创始人及董事长尹志尧博士，毕业于加州大学洛杉矶分校，曾分别任职于 英特尔、泛林半导体、应用材料等公司，专业从事半导体刻蚀装备研发，曾历任应用材料 等离子体刻蚀设备产品总部首席技术官、总公司副总裁及等离子体刻蚀事业群总经理、亚 洲总部首席技术官等职位。核心技术人员杜志游博士、倪图强博士、麦仕义、杨伟、李天 笑都拥有丰富的国外半导体公司如英特尔、索尼、应用材料及泛林半导体工作经历，从业 经验丰富。

背靠上海市政府和国家大基金二期，公司无控股股东和实际控制人。公司前身为中微有限， 由中微亚洲出资设立，为外商独资企业，2018 年转为股份制有限公司，后经一系列股权 变更后上海创投和巽鑫投资（大基金一期）分别位列第一大和第二大股东，分别持股 21.42% 和 20.74%。2019 年公司科创版上市，上市后前两大股东上海创投和巽鑫投资持股比例降 为 18.02%和 17.45%。目前公司前五大股东分别为上海创投、巽鑫投资、嘉兴智微企业管 理合伙企业(有限合伙) 、中微亚洲、国家集成电路产业投资基金二期，持股比例合计占比 43.76%，公司无控股股东和实际控制人。

公司主营业务包括三部分：专用设备、备品备件及设备维护（主要为配件销售及设备支持 服务等）。公司以介质刻蚀设备起家，逐步拓展至金属刻蚀、硅刻蚀、薄膜沉积以及环保 设备领域。公司产品包括 CCP 刻蚀设备、ICP 刻蚀设备、TSV 深硅刻蚀设备、MOCVD 设备以及环保设备，可分别用于 8/12 英寸前道逻辑晶圆加工、先进存储及先进封装工艺、 化合物和 LED 制造以及环境保护等领域，客户主要为台积电、中芯国际、华虹集团等逻 辑晶圆厂商；三星、SK 海力士、长江存储、长鑫存储等先进存储厂商；华天科技、长电 科技、日月光、通富微电等封测厂商以及化合物、功率半导体等特色工艺厂商。公司的各 类等离子体刻蚀设备和薄膜设备已有超过 2300 个反应腔在中国大陆、亚洲和欧洲等 70 多条集成电路和微器件生产线实现大规模量产。公司在介质刻蚀设备领域拥有近 20 年深 厚技术积累，并积极向薄膜沉积、环保设备以及检测设备等领域拓展，进入更广阔的半导 体及泛半导体设备市场。

刻蚀设备：中微拥有全系列刻蚀机，包括高能等离子体（CCP）、低能等离子体（ICP）、 单台机（传统）、双台机（新机型），可以涵盖 80%以上的刻蚀工艺。

CCP 刻蚀设备：CCP 刻蚀设备性能指标比肩国际一线厂商，国内晶圆产线设备市占率快 速提升并成功打入国外头部晶圆厂先进制程产线。公司 CCP 等离子体刻蚀设备主要应用 于 8/12 英寸逻辑晶圆前道工艺、3D NAND 及 DRAM 等存储工艺中氧化硅、氮化硅及低 介电系数膜层等所有的电介质材料刻蚀，工艺制程覆盖 90nm~5nm 逻辑工艺、128 层及以下 3D NAND 存储工艺。CCP 等离子体刻蚀设备产品竞争优势明显，已成功进入国内外 一线客户的逻辑和存储芯片制造生产线，包括先进的 5nm 芯片生产线和下一代的 3nm 试 生产线，在部分关键客户市场占有率已进入前三位甚至前二位，CCP 刻蚀设备市占率持 续提升。

ICP 刻蚀设备：ICP 刻蚀设备快速崛起，应用领域逐渐丰富。公司 ICP 等离子体刻蚀设备 主要应用于 12 英寸 1Xnm 及以下的逻辑和存储器件刻蚀、各种尺寸和深度的硅结构刻蚀 以及逻辑和存储芯片的多种导体和介质薄膜刻蚀等领域。ICP 刻蚀设备已通过诸多客户的 工艺认证并获得重复订单，已经在超过 15 家客户的生产线上进行 100 多个 ICP 刻蚀工艺 的验证，合计付运腔室已超 200 台。同时公司积极布局 3D 封装、5nm 以下逻辑、1Xnm 以下 DRAM 和 3D NAND 存储芯片等下一代制程工艺。

TSV 深硅刻蚀：公司 ICP 深硅刻蚀设备主要应用于 8 英寸和 12 英寸 CMOS 图像传感器、 2.5D、三维芯片和芯片切割等领域以及 3D 封装、2.5D 封装和微机电系中的硅通孔刻蚀工 艺，刻蚀孔径从低至 1 微米以下到几百微米、深度可达几百微米的孔洞，并具有优秀的工 艺协调性，可根据客户的需求生产不同的刻蚀形状（例如垂直、圆锥形和锥形等），目前 已成功进入日月光、长电先进、通富微电等国内外先进封装大厂。

薄膜沉积设备：MOCVD 设备独占鳌头，MiniLED 成为长期增长驱动力，CVD 设备验证 顺利，EPI（外延生长设备）设备取得积极进展。

MOCVD 设备：LED 及功率器件外延用 MOCVD 设备市场成熟，切入 MiniLED/MicroLED 及第三代半导体领域，未来 MOCVD 设备有望突破成长天花板。公司 MOCVD 设备主要 应用于国内外主流 LED 生产线大批量 LED/深紫外 LED（主要为氮化镓基及砷化镓基）、 功率器件外延片以及高质量氮化铝和高铝组分材料生长等工艺，凭借优异的产品性能，奠 定了国内外 MOCVD 领域龙头地位，目前公司 MOCVD 设备在全球增量市场市中占比第 一。公司瞄准 MiniLED/MicroLED 以及第三代半导体 GaN/SiC 市场，2021 年 6 月成功推 出 MiniLED用 MOCVD 设备并获得客户批量重复订单超100 台，GaN 功率器件用 MOCVD 已交付国内外领先客户验证，进一步巩固公司 MOCVD 设备市场领先地位。

CVD 设备：钨填充 CVD 设备客户产线验证获得积极进展，设备性能已能够满足客户工艺 验证的需求，产品正与关键客户对接验证。基于钨填充 CVD 设备，公司进一步布局 CVD 和 ALD（原子层沉积）设备，以期实现更高深宽比和更小关键尺寸结构的填充，满足高端 逻辑器件和先进存储芯片的需求。

EPI 设备：公司 EPI 设备已进入 Demo 机装调阶段，可满足客户先进制程中锗硅外延生长 工艺的电性和可靠性需求。

环保设备及其他领域：公司聚焦核心业务集成电路设备的同时积极探索布局环保、健康、 生态互连等领域在内的新业绩增长点，成效显著。

VOC 设备：公司在国内率先开发制造了工业用大型 VOC 净化设备，并与德国 DAS 环境 专家有限公司签订战略合作协议，双方在半导体行业尾气处理设备领域展开紧密的合作， 共同推动环保科技行业的发展。

工业互联：子公司中微汇链打造的去中心化分布式工业互联网平台 We-Linkin，应用场景 数量已超 30 个，可订阅微服务超 300 个，高研发投入助力产品矩阵不断完善。

检测设备：公司增资睿励仪器，全面布局集成电路检测领域，进一步形成产业链协同。

公司积极布局产业链上下游，有效形成产业链协同。公司主要零部件如机械手传输系统、 喷嘴 ShowerHead、石英、陶瓷等物料此前主要采购自国外，近年来公司逐步参股上游产 业链如志橙半导体、靖江先锋、新美光半导体等企业，以降低成本并确保零部件的稳定供 应。同时公司通过入股下游半导体晶圆制造企业，以期形成产品的协同开发及验证，加速 新产品产业化应用。

1.2 受益技术突破及行业高景气驱动，公司营收和订单快速增长

2017 年之前，公司设备处于市场开拓阶段，营收体量较小，2017 年以来随着行业景气度 提升叠加国产替代加速，设备出货和验收取得突破性进展，营收大幅增长。2017 年之前， 公司主营设备为 CCP 等离子体刻蚀设备和 MOCVD 设备，部分设备处于研发和市场验证 阶段，整体营收规模较小。近年来随着公司技术突破，工艺指标逐渐满足先进制程工艺需 求，公司陆续获得台积电、SK 海力士等国际一线晶圆厂订单并成功进入 7nm/5nm 工艺生 产线及 3nm 工艺试生产线，叠加行业高景气度及国内晶圆扩产高峰和国产替代需求，公 司设备持续放量，陆续获得中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储等逻辑、存储晶圆 厂的重复订单，凭借设备优异性能，产线市占率逐步提高。自 2017 年公司净利润由负转 正之后，每年以翻倍速率增长。2021 年公司全年实现营收 31.08 亿元，同比增长 36.7%； 归母净利润 10.11 亿元，同比大增 105.5%，一方面得益于行业高景气驱动，公司产能利用 率满载，另一方面得益于公司产品线的丰富及产品结构优化。

公司主要设备销量波动较大，设备单价随高价值设备放量逐步走高。分产品看，公司刻蚀 设备销量逐年走高，一方面系行业景气度提升，国内晶圆厂扩产加速，另一方面随着刻蚀 设备制程工艺的延伸及产品多元化布局，客户及制程应用逐步多元化。公司 MOCVD 设备 主要受产品类别、客户扩产节奏、行业周期及客户端验收节奏等影响，波动较大，随着 MOCVD 设备逐步从传统 LED 领域切入 MiniLED 领域，设备迎来量价齐升。

公司在手订单饱满，定增扩产落地，设备持续放量，展望后续，公司营收有望保持高速增 长。

1）存货和合同负债高增，在手订单饱满。根据公司公告，2021 年公司存货和合同负债均 大幅增长，2020 年公司存货和合同负债分别为 10.6 亿元、5.9 亿元，截至 2021 年末，分 别增至 17.6 亿元和 13.7 亿元，同比分别+66.0%/+132.0%。2021 全年新签订单金额同比 增长 90.5%达 41.3 亿元，创历史新高。公司在手订单饱满，保证业绩持续高增长。

2）定增落地保障产能：公司合同负债主要由客户预付款组成，新签订单、合同负债双双 增长，表明公司在手订单饱满。根据公司公告，2021 年产品付运腔体数由 2020 年的 295 腔增长 66.4%达 491 腔，公司于 2021 年 6 月向特定对象发行股票，募集资金总额为 82.06 亿元，公司在江西省南昌、上海市临港分别建设 14 万平方米和 18 万平方米研发生产基地 以及 10 万平方米总部大楼，积极提升产能，夯实未来发展基础。

3）刻蚀设备持续放量，市场持续扩大：①公司 2021 年共付运 CCP 刻蚀设备 298 腔，同 比增长 40%。在先进逻辑电路方面，成功取得 5nm 及以下逻辑电路产线的重复订单。在 存储电路方面，公司的刻蚀设备在 64 层及 128 层 3D NAND 的生产线得到广泛应用。② 公司 2021 年 ICP 刻蚀机付运超过 130 腔，同比增长超过 230%。8/12 英寸深硅刻蚀设 备 Primo TSV200E、Primo TSV300E 成功应用于先进系统封装、2.5D 封装和微机电系统 并且在 3D 封装领域验证进展顺利。③高性能 Mini LED 用 MOCVD 设备 Prismo UniMax 订单成功超 100 腔并进一步拓展至 MicroLED 领域。

公司刻蚀设备毛利率稳定，MOCVD 设备毛利率波动较大。公司半导体刻蚀设备毛利率长 期稳定在 44%左右，MOCVD 设备毛利率波动较大。2017~2019 年公司 MOCVD 设备营 收占比较高，公司整体毛利率从 38.59%降至 34.93%。2020 年受 LED 行业不景气影响， MOCVD 设备毛利率达处于低位，受益于刻蚀设备营收占比提高，公司整体毛利率逐步提 升至 37.67%。2021 年受行业高景气度及高端设备逐步放量影响，公司半导体设备量价齐 升，公司毛利率逐步恢复至高位 43.36%。

期间费用率逐步下降，盈利能力逐年增强。2016~2019 年间公司期间费用率逐步下降， 随后保持在 14.0%左右。得益于期间费用率逐步降低和公司高毛利率设备占比逐步提升， 公司净利率持续走高。与国内外同行业可比公司相比，近些年公司毛利率水平处于国际一 线水平，前期毛利率较低，主要系低毛利的 MOCVD 设备营收占比较大。（报告来源：未来智库）

1.3 高研发投入保证产品领先优势，自主核心技术持续加强

公司研发人员占比较高，学历水平符合技术密集型、人才密集型企业特点。截至 2021 年 末，公司共有研发人员 415 人，占公司总人数比例 39.6%，涵盖了等离子体物理、射频及 微波学、结构化学、微观分子动力学、光谱及能谱学、真空机械传输等相关学科的专业人 员。其中本科及以上学历人数 381 人，占研发总人数比例 91.8%，整体学历较高。 持续加大研发投入，研发投入占比保持高水平。公司研发突入不断增长，2021 全年研发 投入 7.28 亿元，同比增长 13.8%。与同行业公司相比，研发投入占营业收入比重保持较 高水平，基本保持 20%以上。

公司持续重视核心技术自主研发，拥有一系列核心自主知识产权技术，并能够快速导入公 司产品实现产业化。凭借突出的研发实力，承担多项国家科技重大专项及其他多项重大科 研项目。

1.4 定增募资落地，用于先进工艺设备研发及高端设备产业化项目

2021 年公司成功完成再融资发行，募集资金 82 亿元，拟用于中微产业化基地建设项目、 中微临港总部和研发中心项目以及科技储备基金。上海临港新片区和南昌高新区均具有明 显的产业化集群优势，公司本次投资的实施将有助于公司抓住区域发展协同机遇，进一步 做大做强公司主营业务。

中微产业化基地项目建设：中微临港产业化基地项目地块总占地面积约 157.5 亩，规划总 建筑面积约 18 万平方米；中微南昌产业化基地项目占地面积约 130 亩，拟新建生产基地 建筑面积约 14 万平方米，建成后主要用于生产集成电路设备、泛半导体领域生产及检测 设备以及部分零部件等，将分别与临港区晶圆制造、封装测试、设备材料及南昌 LED 产 业形成集群效应。

中微临港总部和研发中心项目：项目地块总占地面积约 25.05 亩，规划总建筑面积约 10.5 万平方米，项目建成后将成为公司临港总部和研发中心，用于除刻蚀设备、薄膜沉积设备 等优势产品研发及产业化外，还将开展前瞻性技术研究，推动集成电路生产设备及零部件 国产化、推进泛半导体设备产品的研发及产业化等。

科技储备基金：满足公司日益增长的研发项目运营资金需要，本次募集资金中的 30.8 亿 万元为科技储备资金。科技储备资金将用于满足营运资金、研发以及相关产业的扩张等需 求。

根据 2021 年公司公告江西省南昌市高新区约 14 万平方米的研发生产基地已全面封顶， 上海市临港新片区约18万平方米的研发生产基地和约10万平方米的总部大楼也在紧锣密 鼓的建设。到 2024 年，中微公司将会有十几倍大的厂房全面建成，为今后的快速发展发 展夯实基础。

二、竞争优势：内部自研+外延并购，中微公司平台化布局初见成效

2.1 介质+导体刻蚀双布局，进一步打开刻蚀设备成长空间

刻蚀机是晶圆制造三大核心设备之一，干法刻蚀占比 95%以上市场份额，根据作用机理 不同，干法刻蚀又可分为电容性等离子体（CCP）刻蚀设备和电感性等离子体（ICP）刻 蚀设备。CCP 刻蚀设备：CCP 刻蚀设备等离子体能量高，浓度适中，不易控制，可调节 性较差，主要用于质地较硬的电介质刻蚀领域如：逻辑芯片栅侧墙、硬掩模刻蚀、中段接 触孔刻蚀、后端镶嵌式铝垫刻蚀、深孔和连线接孔刻蚀、氧化硅/氮化硅等深槽介质刻蚀。 ICP 刻蚀设备：ICP 刻蚀设备等离子体浓度高，能量低，可单独进行等离子体浓度和能量 的调节，可用于质地较软的金属、硅等导体刻蚀领域如：硅浅槽隔离（STI）、锗（Ge)、 多 晶硅栅结构、金属栅结构、应变硅、金属导线、金属含垫、金属硬掩模等金属和硅刻蚀。

全球半导体刻蚀设备市场空间 160 亿美元，呈寡头垄断格局。根据 SEMI 预估，2021 年 全球晶圆厂设备市场规模 668 亿美元，按刻蚀设备占比 24%左右初步估算，全球半导体 刻蚀设备市场规模 160 亿美元，CCP 刻蚀设备市场占比 60%约 96 亿美元，ICP 刻蚀设 备市场占比 40%约 64 亿美元。其中中国大陆晶圆设备市场份额全球占比约 27%达 80 亿 美元。全球刻蚀设备市场呈寡头垄断格局，据 Gartner 统计，2020 年泛林半导体、应用 材料及东京电子三者市场占比达 90%。

CCP 刻蚀设备市场占比逐步扩大，ICP 刻蚀设备取得突破进展。CCP 设备：公司立足 CCP 等离子体刻蚀设备，占据龙头地位，性能比肩国家一线大厂，公司 Primo RIE 系列产品已 成功批量进入包括台积电、SK 海力士、三星、中芯国际等在内的国内外一线客户集成电 路加工制造生产线，市占率逐步提升。逻辑电路：已取得 5nm 及以下逻辑产线重复订单； 存储电路：产品已在 64 层及 128 层 3D NAND 生产线得到广泛应用，订单稳步增长，并 积极布局动态存储器应用，工艺开发及验证进展顺利。此外公司推出兼容 8/12 英寸晶圆 设备，以满足国内成熟晶圆产能的扩张。

ICP 设备：自 2019 年公司 ICP 刻蚀设备进入市场，已在 15 家客户共计 100 道工艺产线 进行验证，累计交付已超 180 腔，ICP 设备逐渐成熟，市场份额持续提升。同时公司积极 推出应用于先进系统封装、2.5D/3D 封装和微机电系统的 8 英寸和 12 英寸深硅刻蚀设备 Primo TSV200E、Primo TSV300E，已获得重复订单。针对未来客户技术需求，公司积 极布局满足 5nm 及以下的逻辑芯片、1X nm 的 DRAM 和 128 层以上的 3D NAND 存储 芯片等产品需求的 ICP 刻蚀设备研发。

晶圆厂资本开支持续提升，先进制程占主导地位。台积电：2021 年台积电资本开支 300 亿美元，其中 80%用于 7nm、5nm、3nm 等先进制程工艺，10%用于先进封装和光罩制 作，其余用于特种工艺制程。据台积电 21Q4 业绩说法会，2022 年台积电资本开支预计 将增加 40%以上达到 400~440 亿美金。三星：2021 年三星资本支出约 360 亿美元，主 要用于先进逻辑芯片制程工艺以及 128 层 6V~NAND Flash 存储芯片和 DDR5 等内存芯片。 中芯国际：2021 年资本开支达 45 亿美元，主要用于 40nm~65nm 成熟制程扩产，预计 2022 年资本开支将会达到 50 亿美元。随着未来国内外先进制程工艺占比、3D NAND 堆 叠层数逐步提升、国内成熟制程产线加大扩产，刻蚀设备市场空间逐步扩容叠加产品市占 率逐步提升，预期公司半导体刻蚀设备未来大有可为。

2.2 内生外延拓展薄膜沉积设备，开拓新增长曲线

随着晶圆工艺复杂化以及堆叠层数增加，薄膜沉积设备市场规模快速提升。四大因素推动 薄膜市场扩容：1）晶圆厂扩产带来设备需求；2）先进逻辑制程芯片的沉积工序增多，多 重曝光技术拉动薄膜设备需求,目前基于 EUV 的 7nm/5nm 已成台积电营收主力，预计 22 年将投产 3nm 工艺；DRAM 方面，据产业链消息，目前三星、SK 海力士以及美光处于从 1Y 制程向 1Z 制程转换阶段，未来基于 EUV 的导入，制程将进一步延伸至 10nm；3）FLASH 存储芯片级 3D NAND 成为主流，堆叠层数增加导致薄膜沉积工序增加； 4）芯片结构复 杂化，由此导致设备使用量增加及各设备份额不断变化。未来，随着晶圆制程工艺的推进， 等离子体沉积（PECVD）和原子层沉积（ALD）将贡献主要增长点，预计到 2024 年， 等离子体 CVD 和 ALD 将分别占据薄膜沉积设备市场份额 51%和 19%。

CVD 设备全球市场规模 100 亿美元，国外厂商占据主导地位，国产替代空间广阔。根据 Gartner 统计，2020 年 CVD 设备市场份额约 85 亿美元，约占薄膜沉积设备市场 64%市 场份额，其中 LPCVD 市场规模约 15 亿美元，ALD（原子层沉积）市场规模约 17 亿美元。 参考 2020 年各薄膜设备占比来，初步测算 2021 年 LPCVD 设备以及 ALD 设备市场份额 分别为 11.2 亿美元、20 亿美元。据 Gartner 数据，受益于先进制程 GAA 应用和存储器 超深宽比薄膜技术需求，单 ALD 设备市场规模将从 2021 年 20 亿美元增长至 2025 年 34 亿美元左右。其中单先进制程 FinFET 向 GAA 工艺转换即可推动 ALD 设备和 EPI 设备 市场增加 12 亿美元。根据 Maximize Market Research 预测，2025 年全球半导体薄膜 沉积设备市场规模将达到 340 美元，年均复合增长率 13%以上。届时 LPCVD 和 ALD 设 备市场规模合计将达到 85 亿美元左右。公司积极布局薄膜沉积设备，打开百亿增量空间。

内生：基于 MOCVD 设备研发经验及优秀的研发团队，公司积极布局前端金属化工艺，成 立团队进行 EPI 设备和钨填充 LPCVD 设备研发，已能够满足客户工艺需求。基于金属钨 CVD 设备，公司正进一步开发先进逻辑工艺节点及更高堆叠层数 3D NAND 工艺用 CVD 和 ALD 设备，实现更高深宽比（>60：1）和更小的关键尺寸(<14nm)结构的填充，以满 足高端逻辑器件和先进存储芯片的需求。

外延：公司通过入股国内薄膜沉积设备龙头沈阳拓荆，差异化布局，与内部刻蚀、薄膜沉积等业务形成协同效应，加快薄膜沉积全产业连布局。通过内生外延联合布局方式加速拓 展新领域，公司第二增长曲线雏形初现。（报告来源：未来智库）

2.3 MiniLED成长期成长驱动力，第三代半导体助力成长加速

MiniLED 商业化落地，市场空间迎来快速增长。2021 年是 MiniLED 商业化元年，各种搭 载 MiniLED 的平板、电视、笔记本以及显示屏等产品扎堆上市，MiniLED 产业迎来春天。 据产业链调研，苹果将于 2022 年上半年推出搭载 MiniLED 显示屏的 iMac pro，产业预计 miniLED 将有望在 21 年基础上翻倍增长。据 LED 整合大厂富采公告，2021 年全球笔记 本电脑和平板电脑总计销量约 2 亿台，如按照 30%转换为 MiniLED 屏幕，全年将有 6000 万台 MiniLED 背光需求量。2021 年出货规模为 600~700 万台，单电脑市场尚有十倍潜在 增幅空间。CMMA 认为到 2025 年 Mini LED 的整体市场渗透率会超过 20%，当前 Mini LED 产业正处于产能扩张周期。预期 Mini LED 势必将取代 OLED 成为未来数十年中主流的显 示技术。为确保产能，抢占先机，各大厂商加紧采购 MiniLED 设备扩张产线，设备厂商迎 来产能释放周期。

中国大陆 MiniLED 市场迎来快速扩容阶段。大陆的 Mini LED 封装企业包括国星光电、聚 飞光电、瑞丰光电和兆驰股份等。当前大多数厂商均处于研发和小批量出货阶段，同时积 极扩张产能，以应对未来可能激增的下游需求。市场端：据 GGII 数据统计，2019 年中国 MiniLED 市场规模在 16 亿元左右，预计 20 年 MiniLED 市场规模达到 37.8 亿元，同比增 长 140.0%。前瞻预测，2026 年中国 MiniLED 行业市场规模有望突破 400 亿元。产业链 端：从 LED 产业链价值分布上看，封装端市场规模约为芯片端 5 倍左右，预计 2021 年 Mini/Micro LED 封装市场规模将达到 1.9 亿美元，到 2024 年将达 40 亿美元。

公司拓展 MiniLED 公司拓展 MiniLED 和 MicroLED 领域，MOCVD 设备迎来第二春。当 前公司 MOCVD 设备主要应用于蓝绿光 LED 照明及功率器件领域，随着新应用崛起，公 司逐步拓展至深紫 LED 和高端 MiniLED。自 2021 年 6 月公司推出 MiniLED 用 PrismoUniMax MOCVD 设备，半年时间已拿到超 100 腔订单，看好 MOCVD 设备市场前 景。随着当前 miniLED 技术逐步成熟，在中高端液晶显示屏背光、LED 显示屏得到大规 模应用，公司 MOCVD 设备将迎来新一轮量价齐升窗口期。

第三代半导体应用方兴未艾，市场空间快速增长。MOCVD 设备是化合物半导体外延材料 研究和生产的关键设备，特别适合化合物半导体功能结构材料的规模化工业生产。得益于 传统消费电子应用渗透率提升以及光伏储能、工业和新能源汽车等新兴应用快速增长，以 氮化镓和碳化硅为主的化合物半导体产业规模不断扩大，驱动 MOCVD 设备需求不断增加。

碳化硅器件未来可期，器件厂商增加供给迎需求。据 HIS Markit 数据，2019 年 SiC 功率 器件市场规模约 6.1 亿美元，受新能源汽车、风电、光伏、储能等应用需求驱动，2025 年全球 SiC 功率器件市场规模将达到 30 亿美元以上，年均复合增长率达 30.4%。另据 Yole 预测，碳化硅器件应用空间将从 2020 年的 6 亿美金快速增至 2030 年的 100 亿美金。面 对广阔的发展前景，国内各大器件产商积极扩产。另据 CASA 统计，2020 年底国内至少 已有 8 条 6 英寸碳化硅晶圆制造产线，另有约 10 条碳化硅生产线正在建设。三安光电、 泰科天润等主要企业已有相应产线量产，同时仍在积极扩建。

公司作为全球 MOCVD 设备龙头，基于多年 MOCVD 设备研发经验及品牌效应，顺应产 业趋势，切入碳化硅领域，将为公司 MOCVD 设备带来新的业绩增长点。

三、盈利预测

刻蚀设备：公司布局刻蚀设备近 20 年，覆盖 80%以上刻蚀制程工艺，其中 CCP 刻蚀设 备市占率不断提升，高阶应用持续推进，ICP 刻蚀设备放量突破，有望形成协同效应，继 续保持行业领先优势，持续看好公司未来刻蚀设备业务发展，假设 2022~2024 年公司刻 蚀设备收入同比+55.0%/+40.0%/+35.0%，毛利率分别是 44.0%/44.5%/43.0%。

MOCVD 设 备 ： 公司原有 MOCVD 设备以 LED 照 明 领 域 为 主 ， 新 产 品 瞄 准 MiniLED/MicroLED、功率器件以及第三代半导体等高阶应用领域，随着品系持续扩充及 市 场需 求驱动 ，量价齐 升将成 为未 来业绩亮 点， 假 设 2022~2024 年收入 同比 +50.0%/+40.0%/+35%，毛利率分别是 34.0%/37.0%/36.5%。

薄膜沉积设备：公司钨填充 CVD 设备产线验证进展顺利，按照设备正常验证和验收周期 初步估算，有望在 2022 年形成收入并在 2023 年开始放量，EPI 设备有望在 2023 年形成 收入，假设 2022~2024 年收入分别为 1800 万元/6500 万元/1.3 亿元，毛利率分别为 30.0%/33.0%/37.0%。

其他业务：其他业务主要包括备品备件业务、设备服务费用以及环保设备等，随着国内晶 圆厂持续扩产及公司设备付运规模高速增长，备品备件业务及环保设备营收将持续增长， 假设 2022~2024 年收入同比+100.0%+/60.0%/+40.0%，毛利率 50.0%/52.0%/55.0%。

基于以上假设，我们预计公司 2022~2024 年营业收入分别为 45.45 亿/62.72 亿/84.26 亿 元，同比+46.2%/+38.0%/+34.3%，归母净利润分别为 10.72/13.06/17.09 亿元，同比 +6.0%/+21.8%/+30.9%，综合毛利率分别为 43.5%/43.7%/43.8%。

（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）