2025年香农芯创研究报告：AI存力中军，云程发轫，万里可期

一、香农芯创：深耕半导体分销业务，“分销+产品”协同驱动发展

（一）多年深耕高端存储领域，形成“分销+产品”一体两翼发展格局

“芯片分销+自研产品”互为表里，一体两翼共驱发展。香农芯创前身聚隆科技成立于 1998 年，早期专注于洗衣机减速离合器等家电核心零部件，2019 年基石资本完成对聚隆科技 的要约收购，并于 2020 年开展一系列针对半导体行业的股权投资业务。2021 年，公司完 成对联合创泰 100%股权的重大资产收购事项，主营业务由洗衣机减速离合器的生产、研 发、销售变更为电子元器件分销，同年更名为“香农芯创”。2023 年，香农芯创联合 SK 海 力士、大普微电子等合作方设立控股子公司深圳海普存储，定位企业级存储。自此，香 农芯创形成“分销+产品”一体两翼的发展格局。回顾公司的成长历程，可以主要分为三个 阶段： 1）立足家电核心零部件（1998-2020 年）：1998 年聚隆机械成立，长期专注于新型、高 效节能洗衣机减速离合器研发、生产和销售，2015 年于创业板上市，客户覆盖海尔、美 的、海信等洗衣机整机厂商。2019 年，基石资本完成对聚隆科技的要约收购。2020 年开 始，公司及子公司开展了一系列股权投资业务，其中累计投资 2.7 亿元参股了多家半导体 公司，涉及设计、封测、设备等半导体行业多环节。 2）拓展至半导体分销业务（2021 年-2023 年）：2021 年，公司完成了对联合创泰 100% 股权的重大资产收购事项，联合创泰 2021 年 7 月纳入公司合并报表后，公司主营业务由 洗衣机减速离合器的生产、研发、销售变更为电子元器件分销。2021 年 10 月，聚隆科技 发布公告称，公司中文全称拟由“安徽聚隆传动科技股份有限公司”变更为“香农芯创科技 股份有限公司”，中文证券简称拟由“聚隆科技”变更为“香农芯创”。 3）“分销+产品”一体两翼（2023 年-至今）：2023 年 6 月，香农芯创发布公告称，公司 将出资 3500 万元，联合 SK 海力士、大普微电子等合作方，设立控股子公司深圳海普存 储科技有限公司，深圳海普定位于研发、生产企业级存储产品，围绕国产化和定制化的 需求进行业务开展。

兼具授权品牌优势&客户资源优势，分销业务竞争优势显著。原厂的授权是代理商在市 场上稳健发展的基石，经过多年的潜心合作发展，公司已积累了众多优质的原厂授权资 质，先后取得全球全产业存储器供应商之一的 SK 海力士、全球著名主控芯片品牌 MTK 的代理权以及 AMD 的经销商资质，形成了原厂线优势。公司结合原厂产品的性能以及 下游客户终端产品的功能需求，积极开拓各大下游市场，产品广泛应用于云计算存储（数 据中心服务器）、手机等领域。目前客户主要系阿里巴巴、中霸公司、华勤通讯等互联网 云服务商和国内大型 ODM 企业，实现了对该等领域一流厂商的覆盖，具备领先的客户 优势。在存储芯片领域，公司已实现对中国核心互联网企业的覆盖，后期产品线将陆续 向其他领域辐射。

子公司海普存储定位企业级存储，企业级 SSD 和 DRAM 产品均实现量产。公司自主品 牌“海普存储”建设、开发进展顺利，以深度服务国家大数据产业为出发点，围绕国产化、 定制化路线，已完成企业级 DDR4、DDR5、Gen4 eSSD 的研发、试产，产品性能优异， 用于云计算存储（数据中心服务器）等领域。截至 2024 年末，海普存储已完成部分国内 主要的服务器平台的认证和适配工作并正式进入产品量产阶段，据 2025 年 2 月公司回答 投资者问答，自研企业级 SSD 和 DRAM 产品都已开始量产。

（二）股权结构较为集中，管理层产业经营丰富

基石资本为公司实控人，无锡国资赋能长期发展。截至 2025 年一季度，公司实际控制人 为基石资本董事长张维先生，公司一致行动人为领泰基石、领驰基石、弘唯基石、领汇 基石，合计持股占比 20.4%。公司联席董事长为联合创泰创始人黄泽伟先生，合计持股占 比 7.94%（直接持股 4.98%，通过新联普投资间接持股 2.96%）。此外，2024 年 1 月 12 日，公司控股股东之一的领汇基石将 5.20%的股份转让给无锡高新区新动能产业发展基 金。无锡高新区新动能产业发展基金是由高新区政府主导的产业引导基金，无锡市新吴 区人民政府持有其 74.38%股权。无锡市政府对于香农芯创的参股，一方面有望为公司提 供资金支持，另外无锡高新区拥有充足的半导体产业链资源，亦有望赋能公司长期发展。

核心高管具备丰富产业经验，助力公司业务拓展及长期发展。公司目前核心高管来自基 石资本和联合创泰，在公司战略经营、技术&产业运作两方面助力公司发展。公司实控人 张维先生是基石资本董事长，具备丰富的产业投资及战略规划经验。公司联席董事长黄 泽伟先生系联合创泰（香农芯创分销业务平台）创始人，在分销业务和产业资源方面具 有丰富经验。

出台中长期股权激励计划，深度绑定公司高管与核心团队人才。公司发布 2024 年限制性 股票激励计划，拟授予 25 名激励对象限制性股票 1,830.00 万股（首次授予 1,552.00 万 股，预留 278.00 万股），初始授予价格为 16.30 元/股。近期，公司 2024 年限制性股票激 励计划首次授予的第一个归属期条件已成就。本次共有 25 名激励对象实际归属了 620.80 万股第二类限制性股票，占首次授予总量的 40%。其中，公司董事、联席董事长黄泽伟 归属 182.80 万股，董事、总经理李小红归属 88.00 万股，其他核心技术/业务人员及骨干 共归属 330.00 万股。经多次调整，最终归属价格为 16.076 元/股。本次归属的限制性股票 已于 2025 年 6 月 12 日上市流通。全部归属完成后，公司股本总额由 45,756.5767 万股增 加至 46,377.3767 万股。本次中长期股权激励计划的推出，有利于提升公司人才竞争力， 深度绑定核心团队，为公司的长远发展和产品化战略转型提供保障。

（三）分销业务贡献主要收入来源，营收持续高增

营收持续高增，25Q1 利润受存储价格波动及库存周转影响。公司主要收入来源为电子元 器件分销业务，产品广泛应用于数据中心服务器、手机等领域。近年大模型带动数据中 心建设，云厂商资本开支加速上行，据集邦咨询，2024 年全球 AI 服务器出货量同比增长 46%。2024 年，香农芯创实现营业收入 242.71 亿元（YoY+115.40%），实现归母净利润 2.64 亿元（YoY-30.08%），归母净利润下滑主要系 2024 年新增股权激励费用 9376.09 万 元，持有股权公允价值变动亏损 5833.77 万元以及计提资产减值 1.5 亿元，剔除股权激 励、股权公允价值变动及资产减值影响后实现净利润 5.66 亿元（YoY+49.76%）。2025 年 一季度，公司实现营收 79.06 亿元（YoY+243.33%），实现归母净利润 0.17 亿元 （YoY+18.66%），利润增速低于营收主要原因系毛利率下滑（YoY-3.31pct），主要受到 25Q1 周转速度加快及存储价格下跌的共同影响。

电子元器件分销贡献主要收入来源，毛利率受存储产品价格波动影响显著。自 2021 年 7 月香农芯创对联合创泰进行并表后，电子元器件分销成为公司贡献收入的核心业务，收 入占比长期稳定在 96%以上。2023 年起公司拓展电子元器件制造业务，2023 年实现营收 13.86 万元，2024 年实现收入 2.92 亿元。根据公司股权激励针对半导体产品板块业绩考 核目标，其 2025/2026 年营业收入目标值分别为 4 亿元/8 亿元，均为同比高增，未来电 子元器件制造业务收入占比有望持续提高。从毛利率来看，公司电子元器件分销业务毛 利率在 3%-5.5%范围内波动，主要系作为代理分销为主业的公司，毛利率会受到库存产 品影响，上行期间的库存跨期销售会提升毛利率，下行期间的库存跨期销售会拉低毛利 率。

毛利率及净利率受存储价格周期影响，费用率基本保持稳定。毛利率方面，作为以代理 分销为主业的公司，公司毛利率主要受到当期销售&采购以及库存产品的影响，其中存储 产品价格的上行和下行周期波动会对毛利率产生较大影响，而当期销售及采购产品的毛 利率一般较为稳定。费用率方面，公司研发费用率和管理费用率均维持较低水平，费用 波动主要由管理费用变化所致，2024 年公司新增股权激励费用 9376.09 万元，导致管理 费用率有所提高（YoY+0.12pct），其他费用均保持稳定。

二、供给收缩催化短周期价格走强，AI 高景气推动中长期需求向上

（一）DRAM：原厂停产 D4 世代供给收缩，PC/server 类价格持续上扬

原厂持续推进减产/转产 DDR4，颗粒端价格率先触底反弹。DDR4 世代内存产品至今已 问世 15 年，基于性能/功耗/容量上限/可靠性等多项优点，需求逐步由 DDR5 取代，加上 HBM、DDR5、LPDDR5(X)等产品的利润率皆明显较高，内存市场向 DDR5 世代全面转 型已是大势所趋。在此背景下，三星和 SK 海力士均将资源重心转向 DDR5 和 LPDDR5 高端产品，旧制程 DDR4 产能逐步缩减。自 24Q4 主流存储原厂宣布减产/转产 DDR4 至 今已逾半年，随着产能调整深入演进，存储现货市场部分 DDR 颗粒资源供应紧俏，尤其 在 PC OEM 经过长期库存调整后库存水位也逐步降低，并陆续回补库存，共同推升 DDR4 价格上扬。根据 inSpectrum Tech 数据，截至 2025 年 7 月 4 日，DDR4 8Gb 1Gx8/16Gb 2048Mx8 月度现货价格分别为 4.36/7.72 美元，较本轮底部涨幅分别达 218.2%（25.1.17） /184.9%（25.3.21）。

原厂停产在即加剧成品市场紧张氛围，内存模组现货报价持续上扬。据电子工程专辑， 由于对 HBM 和 DDR5 等最新内存技术的需求增加，以及 DDR3 和 DDR4 内存收益的下 降，三星、SK 海力士和美光等主要 DRAM 制造商逐步计划在 2025 年下半年终止 DDR3 和 DDR4 内存的生产。在美光 FY2025Q3 业绩说明会上，公司对 DDR4 和 LPDDR4 产品 停产问题进行明确回应，美光几个月前就已向手机、PC、数据中心和消费等高容量细分 市场的客户发出了这些产品的停产通知，最终发货时间将在两到三个季度后（25Q4- 26Q1）。针对汽车、工业、国防和网络等有长期且相对低容量需求的客户，公司将在未 来数年内为其供应 1-alpha DRAM 产品。受此消息催化，内存模组成品市场交易活跃度显 著提升。现货市场方面，服务器 DDR4、行业内存条、渠道内存条报价均大幅上扬，进入 6 月以来，上游原厂议价态度强势，现货旧制程 DRAM 资源供应缺货涨价延续，推动各 D4 世代成品市场价格持续拉涨。根据闪存市场数据，PC 市场方面，截至 2025 年 7 月 15 日，DDR4 UDIMM 16GB 3200（桌面电脑）和 DDR4 SODIMM 16GB 3200（笔电）周度 现货价格分别为 27/40 美元，较 3 月 11 日低点涨幅均为 178%；服务器市场，截至 2025年 7 月 8 日，DDR4 RDIMM 32GB 3200 现货价格为 120 美元，较 3 月 4 日低点涨幅达 60%，涨势强劲。

云厂需求支撑叠加国际形势变化增加备货，DDR4 合约价市场增幅乐观。合约价方面， Trendforce 对于25Q2-25Q3 DDR4模组价格涨幅预期乐观，除原厂退产DDR4世代产品， 下游策略性备货因素外，企业级市场需求支撑亦为重要驱动力。主要云厂的通用/AI 服务 器建置需求维持稳健，企业级 DDR4 内存订单有所追加，预计共同推动 25Q3 Server DDR4 模组价格季增 28%~33%。而 PC 端，DDR4 模组价格上涨主要系国际形势，OEM 基于关 税不确定性进而加大库存和终端生产量，拉升了对应内存模组的备货需求，同时 Server DDR4 的需求增加，挤占了部分 PC DDR4 供应，进一步推升了其涨价预期，Trendforce 预估 25Q3 PC DDR4 模组价格季增 38%~43%。总体来看，Trendforce 预测 2025 年第三季 一般型 DRAM(Conventional DRAM)价格季增 10%至 15%，若纳入 HBM 整体 DRAM 涨 幅将季增 15%至 20%。

（二）NAND Flash： MLC/低容 TLC 停产推升 eMMC 价格，原厂减产叠加 CSP 需求 高景气驱动主流 NAND 模组逐步回升

MLC NAND/256Gb TLC 原厂退产在即，wafer 价格持续拉升。与 DRAM 产业 DDR4 世 代逐步停产类似，存储原厂在 NAND Flash 领域亦在逐渐推进制程迭代和产品升级，部 分成熟制程资源如 MLC NAND 和 256Gb TLC NAND 逐渐停产，导致上游 wafer 端供应 持续紧俏，现货市场价格快速拉升，根据闪存市场数据，截至 2025 年 7 月 16 日，TLC 256Gb wafer 周度现货价格为 2.75 美元，较 2024 年 12 月 17 日低点涨幅达到 96.4%。

消费国补叠加上游 wafer 停产涨价，低容 eMMC 产品现货价格水涨船高。在消费国补及 上述低容 NAND wafer 停产影响下，相应低容量嵌入式成品紧随资源涨价快速拉涨现货 价格。根据闪存市场数据，截至 2025 年 7 月 15 日，8/16/32GB eMMC 价格分别为 2.8/3.8/4 美元，年初以来涨幅分别达到 56%/58%/54%。

云厂需求增长叠加原厂控产，主流 NAND Flash 合约价格有望逐步回升。除低容 eMMC 等原厂规划停产料号引发价格上涨外，主流 NAND Flash 亦有望逐步回升。根据 TrendForce 集邦咨询的最新调查数据，NAND Flash 市场历经 2025 年上半年的减产与库 存去化，供需失衡情况已明显改善。随着原厂转移产能至高毛利产品，市场流通供给量 缩减。需求面则有企业加码 AI 投资，以及 NVIDIA（英伟达）新一代 Blackwell 芯片大 量出货支撑。据 Trendforce 展望第三季 NAND Flash 价格走势，预估平均合约价将季增 5%至 10%。

三、企业级存储国产化大势所趋，海普存储布局完善背靠香农加速国产替代 进程

全球数字化进程加速推动智能化服务需求，云厂商 AI 基础设施投入加码带动服务器市 场规模高增。随着全球数字化步伐的加快，对智能化服务的需求急剧上升，尤其是在自 然语言处理、数据分析等关键 AI 技术领域。全球云服务提供商纷纷加大服务器等 AI 基 础设施投入，推动了服务器市场迅速增长。根据浪潮信息与 IDC 联合发布的《2025 年中 国人工智能计算力发展评估报告》，2024 年中国人工智能算力（AI 服务器）市场规模为 190 亿美元，2025 年将达到 259 亿美元，同比增长 36.2%，2028 年市场规模将达到 552 亿美元。 存储器为数据存储直接载体，大模型迭代下容量&性能有望同步进阶。大模型技术应用 对存储市场产生了显著影响，存储正向更大容量、更快读写速度、更低延迟、更高可靠 性和更佳灵活性发展，以支持高效的数据处理与模型训练，同时适应不断增长的数据量 和扩大模型规模的需求。根据 IDC 数据，2024 年全球企业的人工智能存储支出达到 67 亿美元，2025 年将增至 76 亿美元，2028 年有望达到 102 亿美元，2023-2028 年五年年复 合增长率为 12.2%。存储器作为数据存储的直接载体，对于数据安全可控战略的落地及 实现具有关键作用，随着数据中心、云计算等下游产业对安全自主可控的重视程度不断 提高，国产存储器厂商将迎来广阔的发展空间。

全球数据中心基础设施扩建浪潮升温，服务器 NAND 和 DRAM 应用占比持续增长。近 年来大型云服务商适度超前投资 AI 基础设施，为未来长期发展提前部署存算力资源。服 务器 NAND 和 DRAM 的应用占比持续增长，据闪存市场，服务器 NAND 应用占比有望 从 2023 年的 16%提升至 2025 年的 30%，服务器 DRAM 应用占比有望从 2023 年的 32% 增长至 2025 年的 36%。

NAND 方面：算力中心加速部署超高容量 eSSD 以提升性能并降低能耗，25 年服 务器 NAND 应用占比有望达 30%。据闪存市场《2024-2025 年全球存储市场趋势白 皮书》，预计 2025 年互联网企业对 PCIe5.0 eSSD 需求持续增加，32TB 及以上 QLC eSSD 在服务器市场的渗透率有望稳步提升，推动服务器存储位元需求近年来持续大幅攀升。据 CFM 闪存市场数据，2024 年全球存储应用市场中，服务器、手 机和 PC 的 NAND 应用占比分别为 30%、31% 和 14%，而服务器 NAND 应用 占比将从 2023 年的 16% 攀升至 2025 年的 30%。

DRAM 方面：服务器 DDR5 及 HBM 需求攀升，25 年服务器 DRAM 应用占比有望 达36%。随着支持 DDR5 的 Intel EMR 与 AMD Bergamo 处理器平台渗透率提升， 叠加搭载 Nvidia Hopper/Blackwell 及 AMD MI300 等加速芯片的 AI 服务器出货 量显著增长，服务器 DDR5 及 HBM 需求实现快速攀升。据 CFM 闪存市场数据， 2024 年服务器、手机、PC 终端在 DRAM 应用中的占比分别达 34%、32% 和 14%， 其中服务器 DRAM 应用占比从 2023 年的 32% 预计将增至 2025 年的 36%。在 64GB 及以上 DDR5 与 HBM3e 12hi 出货量增长的推动下，2025 年服务器存储位 元需求同比增幅将超过 20%。

近两年来服务器存储需求增幅显著领先于各主要应用市场，存储原厂持续将新增产能与 资本支出向高性能 eSSD、DDR5 及 HBM 领域倾斜，AI 应用需求不断驱动存储技术与 产品迭代升级。据闪存市场《2024-2025 年全球存储市场趋势白皮书》，2025 年 NAND 和 DRAM 容量需求增长将分别增长 12%和 15%。 AI 服务器已成全球存储市场增长核心引擎，预计 25 年 AI 服务器出货占比约 13%。科 技企业凭借丰富的 AI 模型生态体系，有效提升服务器资源利用率并增强云服务客户黏 性，为云计算发展与应用形成正向反馈循环。在此趋势下，AI 服务器已成为驱动全球存 储市场增长的核心引擎。据 CFM 数据，2024 年全球服务器出货规模为 1290 万台 （YoY+3.2%），其中通用服务器出货 1150 万台（基本持平），AI 服务器出货约 140 万 台（YoY+56%）。据其预测，预计 2025 年全球服务器市场出货量将达 1340 万台 （YoY+3.9%），其中增长主要由 AI 服务器驱动，预计 25 年 AI 服务器出货量有望达 180 万台（YoY+29%），而通用服务器出货量仍基本持平。

AI 服务器单机存储容量显著提升，AI 服务器渗透有望带动整体存储需求增长。以英伟 达 H100 AI 服务器为例，其所需 NAND 容量达 32TB-132TB, DDR5 容量达 2TB-4TB， HBM 容量可达 640GB。随着大模型技术迭代与应用落地，AI 服务器市场需求增长具备 较强确定性，智能终端对存储产品的容量、性能及稳定性提出更高要求，有望持续带动 存储技术迭代与产品应用升级。随着 AI 服务器的持续渗透，有望带动服务器整体存储需 求增长。

（一）闪存模组：中国企业级 SSD 市场迎爆发式增长，国产厂商重塑行业格局

企业级 SSD 主要应用于互联网、云服务、金融和电信等客户的数据中心。在数字经济时 代，企业越来越将数据视为一项自身核心资产，对数据安全的重视程度越来越高。大量 企业将内部信息系统和业务系统实现了数字化升级，底层数据对内关乎着企业日常经营 的稳定，对外决定着信息化业务的正常运营。固态硬盘作为数据的载体，除了高性能和 大容量的需求之外，企业客户还对产品包含使用寿命、稳定可靠、功耗控制、系统兼容、 数据纠错、数据保存能力在内的多方面性能提出了严格的要求。整体来看，企业客户更 加在意产品可靠性，而闪存介质的特性在带来高速度和大容量的同时也存在相应的缺陷， 需要固态硬盘厂商通过固件技术创新进行优化，更好地满足企业客户的使用需求。

伴随着云计算、数据库、虚拟化、大数据和人工智能等新兴领域的快速发展，以及互联 网服务的加速普及、企业数字化转型进一步加快以及工业互联网加速开展，数据量呈现 出井喷的状态，数据的生命周期亦大幅延长，数字经济规模持续扩大，企业级 SSD 的市 场规模不断提升。根据智通财经援引 IDC 数据，2024 年中国企业级固态硬盘市场规模增 长 188%，达到 62.5 亿美元。Solidigm 和三星依托技术生态、供应链整合等能力要素处于 主导地位；国内厂商方面忆联与忆恒创源分别占据国产品牌头部的市场份额，此外大普 微、浪潮、江波龙等本土厂商持续提升研发水平与品牌力，发展势头强劲，有望实现破 局。

（二）内存模组：原厂高度垄断企业级市场，国产模组厂加速实现 0-1 突破

内存模组是计算机架构的核心组成部分之一，主要作为 CPU 与硬盘的数据中转站，用于 临时存储数据，其存储和读取速度远高于硬盘。根据应用领域不同，内存模组可分为以 下几类：（1）服务器内存模组，目前主要包括 RDIMM 和 LRDIMM 等类型，随着服务 器数据存储和处理负载的不断增加，对服务器内存模组的稳定性、纠错能力以及低功耗 的要求也日益提高；（2）普通台式机、笔记本内存模组，主要类型为 UDIMM、SODIMM等。全球 DRAM 市场中，90%左右的市场份额由三星电子、海力士及美光科技占据。 内存模组的发展遵循清晰的技术升级路径，预计 2025 年服务器 DDR5 渗透率达到八成。 近年来，服务器内存模组行业正经历从 DDR4 世代向 DDR5 世代的切换，目前 DDR5 第 一子代、第二子代、第三子代内存产品已实现量产，JEDEC 已完成 DDR5 第四子代产品 标准制定，并正在推进第五子代产品标准的制定。同时，为满足传输速率提升及新的产 业需求，JEDEC 还陆续定义了多种新型服务器用内存模组架构，例如 MRDIMM。内存 模组与 CPU 是计算机的两个核心部件，是计算机生态系统的重要组成部分。随着支持更 高速率 DDR5 的 CPU 的持续迭代，DDR5 内存模组的渗透率将提升，同时其子代的更新 迭代也将持续推进。据 CFM 数据，截至 2024 年二季度末，全球服务器市场 DRAM 出货 中 DDR5 占比已过半，预计 2025 年末全球服务器市场 DRAM 出货量中约 80%为 DDR5。

服务器新型存储模组 MRDIMM，专注解决现有计算架构“内存墙”瓶颈。在服务器端， 随着人工智能和大数据分析等应用快速发展，处理器内核数量日益增多，对内存带宽的 需求急剧增长，JEDEC制定了新型高带宽内存模组多路复用双列直插内存模组MRDIMM （Multiplexed Rank DIMM）的相关技术标准。根据 JEDEC 公布的信息，DDR5 MRDIMM 通过创新设计提高了数据传输速率和整体系统性能。多路复用允许将多个数据信号组合 并通过单个通道传输，从而在不增加额外物理连接的情况下提升带宽，实现无缝带宽升 级，使数据速率超过同期的 DDR5 RDIMM。其特性包括： 平台与 RDIMM 兼容，提供灵活的用户带宽配置。 采用标准的 DDR5 DIMM 组件(包括 DRAM、外形尺寸、引脚分布、SPD、PMIC 和 TS)，便于推广。 利用 RCD/DB 逻辑处理能力实现高效的 I/O 扩展。 借助现有的 LRDIMM 生态系统进行设计和测试。

MRDIMM 子代仍将持续迭代，规划支持速率有望大幅提高。MRDIMM 使用常规的 DRAM 颗粒，且与现有 DDR5 生态系统有良好的适配性，还能大幅提升内存模组的带宽， 将共同推动 MRDIMM 渗透率的提升。未来 MRDIMM 仍将持续迭代升级，第一子代 MRDIMM 支持 8800MT/s 速率，第二子代 MRDIMM 支持 12800MT/s 速率，正在定义的 第三子代 MRDIMM 支持的速率预计超过 14000MT/s。

国内企业级内存条百亿美金规模，国产供应商加速实现 0-1 突破。根据上述章节提及的 闪存市场数据中全球 NAND 市场规模及服务器应用占比，可测算得 2024 年全球企业级 SSD 市场规模为 209 亿美金，而据 IDC 数据，24 年中国企业级 SSD 模组市场规模为 62.5 亿美金，中国企业级 SSD 全球占比约为 30%。根据全球 DRAM 市场规模及服务器应用 占比，可测算得 24 年全球企业级 DRAM 市场规模为 331 亿美金。假设中国企业级内存 条市场全球占比在 25%~30%，则可测算得 24 年中国企业级内存条市场规模约 83~99 亿 美金。由于内存条市场原厂高度垄断，独立品牌的模组厂市场份额仍较小，目前江波龙、 海普存储（香农芯创子公司）等公司已有企业级内存条相关产品，并实现量产销售，正 在实现国产 0-1 突破。

（三）海普存储：布局企业级 SSD/RDIMM，背靠香农客户资源加速国产替代

联合海力士&大普微&政府产业投资联合设立深圳海普存储，目标国内企业级 SSD 国产 替代。2023 年 5 月，香农芯创联合深圳大普微电子、SK 海力士以及江苏省多个产业投 资基金共同设立深圳市海普存储科技有限公司，公司出资 3500 万元，占注册资本 35%， 并将其纳入公司合并报表范围，成为香农芯创控股子公司。深圳海普存储主要业务为 SSD 存储产品的设计、生产和销售。企业级 SSD 市场国产化率较低，长期被国际厂商垄断， 随着国家对数据安全自主可控的重视程度不断增加，存储器国产替代需求日益强烈。深圳海普存储通过整合全球业内顶级资源为起点，设计搭载国产主控芯片和国产固件的企 业级 SSD 并实现产业化，中长期通过技术积累打造国产企业级存储技术标准并建立国产 化品牌，打破技术垄断，推进我国企业级 SSD 国产替代进程。

设立无锡海普存储完善企业级 DRAM 产品线，剑指企业级内存条国产替代。2024 年 6 月，香农芯创联合 SK 海力士以及江苏省多个产业投资基金共同设立无锡市海普存储科 技有限公司，以深圳海普存储 30%股权以及 5250 万货币资金出资，合计占目标公司注册 资本 41%，并将其纳入公司合并报表范围，成为香农芯创控股子公司。香农芯创与各方 合作成立无锡海普存储，主要为拓展公司产品线，延伸产品链条，在深圳海普业务基础 上，公司将完善企业级 DRAM 产品线。无锡作为中国半导体产业重镇，产业链各项资源 丰富，新设立的目标公司落地无锡后将获得更大的发展助力和产业协同。

已发布 SSD/RDIMM 等三款企业级存储产品，计划提供一站式完整存储方案。海普存储 采用业界先进工艺的 DRAM 和 NAND 颗粒研发出高性能、低功耗、高可靠的 DIMM 和 SSD 产品，帮助解决国内先进存储部件产品的供应不足问题。依托大股东香农芯创的企 业级存储客户资源嫁接，海普存储已经建立了独立运营、销售体系，已经发布了企业级 SSD、DDR4/DDR5 RDIMM 三款内存产品，均由公司独立开发自主开发。目前海普存储 产品已经服务于“东数西算”智算中心，并与国内软件厂商合作，提供全闪存储解决方案，带宽、即时读写性能、能耗等指标均优于竞品；后续公司还筹划嵌入式存储、企业级内 存条等产品，建立一站式完整存储方案。

存储模组厂商自研芯片是行业趋势，公司将不断拓宽上下游各环节的整合能力。海普存 储计划在 2025-2027 年实现产业营销垂直一体化，从测试端切入，逐步涉及生产、研发、 设计等环节。在产品规划上，将推出更大容量的内存产品，如 128GB 内存也即将推出， 并在企业级 SSD 方面关注 QLC 技术，以满足大容量、低能耗的需求。在供应链管理上， 海普存储在主控芯片方面选择国产芯片，而在存储颗粒方面则保持开放态度，优先选择 最先进的工艺产品。

（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）