2025年光刻机行业分析：自主可控最核心环节，产业迎来黄金加速期

一、光刻机：晶圆制造最核心设备之一，技术难度最高且当前国产化率最低

1、光刻机是推动半导体产业延续“摩尔定律”发展的基石

在半导体制造领域，光刻机是延续摩尔定律的核心装备。摩尔定律的维系依赖光刻技术分 辨率提升，而缩短光源波长是关键路径。半导体行业的光刻波长发展历经多个阶段：早期 使用汞灯的 365nm，20 世纪 90 年代后期升级为氪-氟激光器的 248nm，本世纪初引入氩氟激光器的 193nm。当 193nm 波长接近物理极限时，浸没式光刻技术通过在透镜与晶圆间 注入水将数值孔径从 0.93 提升至 1.35，使 193 nm 光刻成为 2006 年后的主流技术。随着 芯片集成度和性能要求持续提高，传统光刻技术再次逼近物理极限。13.5nm 极紫外光刻 技术成为破局关键——ASML 研发的 EUV 光刻技术已经能支持 7nm 甚至更先进工艺，被视 为延续摩尔定律的核心突破，正推动半导体产业向下一代技术迈进。

光刻机经历五次迭代：根据所使用的光源的方案，光刻机经历了 5 代产品的迭代，每次光 源的改进都显著提升了光刻机所能实现的最小工艺节点。光刻技术的进步使得器件的特征 尺寸不断减小，芯片的集成度和性能不断提高。在摩尔定律的引领下,光学光刻技术经历 了接触/接近、等倍投影、缩小步进投影、步进扫描投影等曝光方式的变革。曝光光源的 波长由 436 纳米（g 线）,365 纳米(i 线),发展到 248 纳米(KrF)，再到 193 纳米(ArF)。 技术节点从 1978 年的 1.5 微米、1 微米、0.5 微米、90 纳米、45 纳米，一直到目前持续 推进。

光刻机是半导体设备中市场占比最大的品类。根据 SEMI 及中商产业研究院数据显示，2024 年全球半导体设备销售额为 1090 亿美元，从细分产品来看，光刻机、刻蚀机、薄膜沉积 设备为半导体设备主要核心设备，市场占比均在 20%以上。其中，光刻机为市场占比最高 品类，光刻机的占比达 24%，并且随芯片制程迭代，这一占比还在持续提高。

“半导体光刻机”被称为“史上最精密机器”之一，光刻机是半导体制造中最为关键的设 备之一，其技术水平直接决定了芯片制造的精细化程度。光刻工艺的原理和作用是，利用 特定波长的光照射带有电路图形的掩膜/光罩，利用光刻胶的光敏特性，将设计好的电路 图形转移至晶圆上。光刻工艺用到的黄光区制造设备主要为光刻机及配套的涂胶显影设备。

2、光刻机市场“三分天下”，高端机台主要被 ASML 垄断

全球光刻机市场呈现出明显的寡头垄断格局。ASML、Nikon 和 Canon 三家公司长期占据全 球光刻机市场的主导地位。其中，ASML 凭借其在高端光刻机领域的技术优势，2024 年占 据了全球光刻机市场 61.2%的份额，特别是在 EUV 光刻机领域，ASML 是全球唯一的供应 商。尼康和佳能则主要集中在中低端光刻机领域。

历经长期发展，ASML 把握浸没式机遇后来者居上，成为当前光刻机行业的绝对龙头。尼康 和佳能作为老牌光刻机厂商，占据先发优势，但面对当时如何突破 193 纳米波长的瓶颈的 难题时，科学界和光刻机产业界都积极寻求超越它的方案。最终，在 ASML 和台积电的通 力合作下，率先将 193 纳米浸润式光刻机生产出来，也正是这一领先尼康三年的新产品， 让 ASML 彻底赢得了光刻机绝大部分的市场份额。此后，在 2013 年 ASML 推出第一台 EUV 量产产品，进一步加强行业垄断地位,截至目前，ASML 依然是 EUV 光刻机全球唯一供应商， 奠定了光刻机高端领域当之无愧的霸主地位。

3、高端机型主要被 ASML 垄断，Nikon 及 Canon 出货主要集中在中低端品类

ASML 主导全球前道高端光刻机市场。根据 ChipInsights 的 2024 年全球半导体前道光刻 机销量数据显示，ASML 作为行业龙头在 EUV、ArFi 等高端光刻机领域的销量明显高于其 他两家。Nikon 和 Canon 在 KrF、i-line 等领域占据相当程度的市场份额，Nikon 除高端 的 EUV 光刻机外，其他类型均有出货；而 Canon 则主攻低端的 i-line 和 KrF 光刻机，在 i-line 类型光刻机方面销售量较高。

ASML 是全球光刻机市场领导者，2024 年总出货量达 418 台。在高端 EUV 光刻机方面，拥 有垄断地位，是全球唯一量产 EUV 光刻机的厂商。根据 ASML 年报披露，2024 年 EUV 光刻 机出货量为 44 台，价值量占其总销售额的 38%；ArFi 光刻机销量 129 台，销售额占比约 44%，是收入占比最高的出货品类；其余光刻机销量为 245 台。

24 年 ASML 光刻机均价有所提升。从光刻机种类来看，ASML 是全球唯一的 EUV 光刻机供应 商，具有绝对的垄断优势，2024 年首次交付新设备 EXE（ High NA EUV）2 台，引领行业 走向下一时代。根据 ASML2024 年年报披露，从 2024 年产品单价来看，EUV 机型产品均价 为 1.88 亿欧元， Arfi 机型产品均价为 0.74 亿欧元，均出现价格上升。

中国光刻机需求量较大，是 ASML 光刻机最大的客户。当前，中国大陆是最大的半导体设 备市场，同时也是 ASML 的最大客户之一，2023 年中国大陆营收占 ASML 全部营收比为 29%， 2024 年因晶圆厂扩产景气度及超额备货的因素爆发增长至 41%，2025 年 Q1 受出口限制等 因素影响，营收占比下滑至 27%。展望未来，我们认为后续国内晶圆厂仍将继续扩产，国 内对于光刻机需求仍然旺盛。

4、当前光刻机国产化率低，海外限制加剧背景下的国产替代势在必行

美日荷对中国光刻机持续进行光刻机管制。全球先进半导体设备基本上被美国、日本和荷 兰所垄断，特别是在光刻机领域，荷兰的 ASML、日本的 Nikon 和 Canon 三家巨头基本统 治了全球光刻机市场。而国内光刻机由于进度较为落后，高精尖设备主要依赖进口，而美 国早在 2018 年就开始施压对华高端光刻机的出口，之后又陆续出台“1007 新规”等针对 政策，限制对中国出口先进制程芯片设备，同时联合日本荷兰制定相关出口条例共同对华 进行产业封锁，在美日荷对中国芯片产业封锁不断升级的情况下，以光刻机为代表的卡脖 子设备，其国产化替代越发迫切。

国内政策扶持光刻机加速发展。1966 年，中国成功制造出第一台接触式光刻机，90 年代 初期，国内光刻机设计制造一直停滞不前，国内的光刻机仍然主要依赖进口。2002 年，光 刻机被正式列入“863 重大科技攻关计划”，同时上海微电子装备有限公司成立，并于 2007 年宣布研制出 90nm 工艺的分布式投影光刻机。2008 年国家成立“极大规模集成电路制造 装备与成套工艺专项”（02 专项），在 02 专项的支持下，一批相关企业和科研机构在曝 光光学系统、双工件台、光刻胶等关键技术和零部件方面取得了突破。 国内光刻机产业不断突破。2016 年上海微电子 90nm ArF 光刻机 SSA600 系列实现出货。 2020 年华卓精科生产的光刻机双工件台，打破了 ASML 公司在光刻机工件台上的技术垄断。 2025 年，哈尔滨工业大学官宣了成功研制出 13.5nm 波长的极紫外光刻光源，这是光源技 术上备受瞩目的一项突破。中科院上海光机所成功研发了全固态深紫外光源系统，使得中 国芯片工艺推进至 3 纳米理论极限。整体而言，国内光刻机产业正不断进步，国产替代空 间广阔。

二、光学系统为光刻机最核心部件，蔡司是全球光学部件供应商

1、全球光刻机光学市场规模达 35 亿美元，蔡司一家独大

光刻机光学部件指直接参与光的传输和处理过程精密零部件。一台光刻机主要由以下系统 组成：光学系统、曝光光源系统、双工作台、浸没系统、微电子系统、计算机系统、精密 机械系统和控制系统等。其中光学系统主要组成部分为光刻机的物镜系统，一般由 15～ 20 个直径为 200～300mm 的透镜组成，用以补偿光源通过掩模版照射到附有光刻胶的硅片 表面时产生的光学误差，除此之外光学系统还包括反射镜、偏振器、滤光片、光阑等。光 学系统是光刻机的核心，光刻机的最小工艺节点越小，对光学系统的精度要求越高，同时 价格更加昂贵，推高了第五代光刻机 EUV 的造价与售价。

蔡司为 ASML 的光学部件独家供应商。根据 ASML 年报，其光刻机总供应商约 5150 家，包 括美国、德国、日本、中国台湾厂商。其中 CarlZeissSMTGmbH 是 ASML 光刻机的透镜、反 射镜、照明器、采集器和其他关键光学部件的独家供应商，2022-2024 年 ASML 采购的蔡 司光学部件的数额分别为 26.9、33.3、39.5 亿欧元。

我们估算全球光刻机光学部件市场规模为 53 亿美元。蔡司仅向 ASML 供应半导体光学部 件，且 ASML 为其光刻机光学单一客户，ASML 也仅向蔡司采购光学部件，2024 年蔡司半导 体营收为 41 亿欧元，ASML 光刻机销售收入为 206 亿欧元，考虑全球光刻机市场规模为 264 亿美元，我们估算全球光刻机光学市场规模为 53 亿美元。

光刻机光学的主要供应商有蔡司、尼康、佳能，蔡司为绝对市场龙头。1）ASML 的光刻机 光学部件主要由 CarlZeissSMTGmbH 供应，且单位光学价值最高的 EUV 光学部件仅有蔡司 有供应能力；2）尼康在光学制造上从原材料到成品全流程生产，镜片、镜头、反光镜均 自行研发，此外，还独自开发了组装微调试技术以确保稳定的光学性能。3）佳能和尼康业务模式较为类似，都凭相机与镜头发家，并逐渐涉足光刻设备领域，其光学组件主要自 行供应。4）由于蔡司为 ASML 的光刻机光学独供，ASML 占有约 61%的市场份额，我们估算 蔡司在光刻机光学的市场份额也在 60%以上，为绝对龙头。

2、投影物镜国产之路道阻且长，蔡司技术水平遥遥领先

2.1 DUV 投影物镜之难：四大途径缩小像差，设计、材料、工艺、组装缺一不可

光刻机技术的一大难点是实现精确成像。光学投影式光刻的原理是将掩模版上的图案经过 光学系统投影后缩小再曝光到硅片上。精确成像即使得硅片上的成像尽可能地与实际成像 的差距相近，由于单个透镜本身的光学特性会导致原始图像的失真，故而要靠不同透镜的 组合来修正图像的形变。对于 ASML 光刻机的投影物镜来说，也同样需要以各种透镜组合 来修正成像质量。DUV 光刻机的投影物镜的高度超过 1 米，直径大于 40 厘米，物镜内各 种镜片的数量超过 15 片。

四大途径缩小像差，设计、材料、工艺、组装缺一不可：1）需采用折射率不同的材料组 成复合透镜：复合透镜由两个或多个折射率不同的材料组成，一般而言，必须使用大尺寸 的正透镜和小尺寸的负透镜以满足佩茨瓦尔条件，即投影物镜各光学表面的佩茨瓦尔数为 零。透镜尺寸的增加将消耗更多的透镜材料，大大提高物镜的成本；而小尺寸的负透镜使 控制像差。故而选择合适的材料和设计透镜的形状和曲率是光刻机光学供应商的制造难点 之一。2）选择合适且高质量的涂层材料：光学涂层可以调节镜头表面的反射和透射特性， 从而减小反射和散射，降低像差。由于较短的波长和更高的能量，光学涂层的要求非常严 格，需要具有高透射率和低散射率，涂层通常由几十层不同材料的薄膜堆积而成，每层膜 的厚度和折射率都被精确地控制，以实现所需的光学性能。选择合适且高质量的涂层材料 是光刻机光学供应商的制造难点之一。3）通过采用多片可动镜片：即自适应光学技术， 可根据需要动态地调整镜头的形状和曲率，来消除镜头组装及光刻生产等过程中所产生的各种像差。4）要求更高的投影物镜的偏振控制性能：在引入偏振光照明后，在数值孔径 不断增大的情况，保持视场大小及偏振控制性能，并严格控制像差和杂散光，是设计投影 物镜面临的难题。这要求投影物镜由更高质量的光学材料制成，具有高精度的制造和安装 要求。此外，还需要更精密的光学设计和测试，对光刻机的环境和参数进行精确的控制和 调节。

2.2 EUV 反射系统之难：原子级平整度，仅蔡司有生产能力

不同于 DUV 光刻机的物镜系统，EUV 光刻机采用的是带有镀膜的非球面镜组成的离轴反射 系统，难点主要在于：1）原子级平整度要求。ASML 的 EUV 光刻技术采用了极紫外线作为 光源。极紫外线又称为软 x 射线，其波长短、穿透性强，DUV 所用的透射式系统无法使极 紫外线偏折，故而物镜系统中只能使用全反射的投影系统。由于 EUV 能量很高，可以引起 反射镜表面的化学反应和损伤。反射镜需要通过高度纯净的材料和表面镀层，同时也需要 非常精确的表面形状和光学特性来最小化能量损失。镀膜方面，由钼和硅的交替纳米层制 作、最高达 100 层，且多层膜厚度误差在 0.025nm（原子级别）。平整度方面，非球面镜 面型精度误差低于 0.25nm。因此 EUV 反射镜被誉为“宇宙中最光滑的人造结构”、“世界 上最精确的反射镜”。2）真空洁净度要求。由于绝对的平整度要求，任何环境中的微小颗粒都会对工艺质量造成极大破坏，所以整套系统要求极高的真空洁净度，蔡司位于 Oberkochen 的实验室能达到该要求。

2.3 超精密光学部件国产化虽已实现突破，但与蔡司相差甚远、任重道远

超精密光学部件国产化任重道远。1）镜片面形精度是描述镜片表面形状偏差的一种参数。 PV 表示“Peak-to-Valley”的缩写，即峰-谷值，通过测量镜片表面的最高点与最低点之 间的距离来计算，反映了镜片表面的波动情况，PV 值越小，则表示表面形状越接近理想形 状，镜片的成像质量也会越好。2）表面光洁度指标表示光学元件表面疵病，用于描述允 许接受的划痕、点子、气泡等瑕疵在表面上的大小和数量。20/10 表示表面允许存在直径 为 20 微米的瑕疵不超过 10 个。3）国产的物镜系统已实现了工艺上的突破，如茂莱光学 生产的超精密物镜系统用光学器件已实现搭载在 i-line 光刻机上，但其工艺相比蔡司供 给 ASML 的 EUV 光学物镜系统在面型精度、表面光洁度指标等方便仍有较大差距，超精密光学部件国产化任重道远。 光学加工技术体现了光刻机光学企业底层竞争力与核心能力。1）要生产制造高面形精度、 高光洁度、低反射率的光学部件，在光学设计、材料选择、加工工艺和后处理方面都十分 关键。具体而言，光学设计确定光学元件的几何形状和光学特性，材料选择根据设计要求 选择适合的材料，加工工艺与后处理将设计要求转化为实际的加工和表面处理操作，以获 得所需的面形精度、表面光洁度和反射率。2）现有的先进光学制造技术已不再是简单的 光学加工，在原有的抛光技术、镀膜技术、胶合技术和主动装调技术等精密光学制造技术 的基础上，还需要辅有复杂仪器系统设计及仿真、高端镜头优化设计及模拟分析、自动控 制及信号采集系统设计及快速实施、图像形态学/融合/超分辨/频率域处理等图像算法等 计算机技术，从而不断突破各类加工和检测技术，实现光学部件与系统的设计与制造。总 之，精密光学制造行业有一定的进入壁垒，拥有更为先进的精密加工技术的企业护城河高 筑。

三、光源及双工台同为光刻机核心部件，对光刻机效率起到重要作用

1、光源的波长对光刻机的工艺能力起到决定性作用

光源是光刻机核心之一，光刻机的工艺能力首先取决于其光源的波长，目前主流的曝光波 长从 g 线(436nm)、i 线(365nm)、KrF(248nm)、ArF(193nm)，一直缩减到 EUV(13.5nm)。 常见光刻光源包括汞灯（g-line、i-line）、准分子激光（KrF、ArF）和极紫外光（EUV）。

1.1 汞灯

汞灯是一种气体放电灯。在汞灯内部，充有汞蒸气和少量其他气体（如氩气）。当灯两端 电极加上高电压时，电子在电场作用下加速运动，与汞原子发生碰撞。汞原子吸收能量后 从基态跃迁到激发态，激发态不稳定，会向低能级跃迁并辐射出光子。g-line 光源波长 为 436nm，i-line 光源波长为 365nm，这些特定波长的光就是汞原子在特定能级跃迁过程 中产生的。通过对汞灯的气体成分、气压、电极材料和形状等进行优化设计，可以提高特 定波长光的输出效率和稳定性。

1.2 准分子激光

准分子激光是半导体制造中常用的深紫外(DUV)光源之一,是一种辐射几十纳秒脉宽的紫 外放电气体激光器。准分子是激发态结合而基态离解的受激二聚体,其特点是基态不稳定, 一般在振动弛豫时间内便分解为自由的粒子,而其激发态以结合的形式出现并相对稳定, 以辐射的形式衰减,因而准分子激光具有高增益的特点。

1.3 EUV 光源

目前主流的 EUV 光源产生方法是激光等离子体（LPP）技术。在 LPP 系统中，高功率的脉 冲激光聚焦在微小的锡（Sn）液滴靶上。激光能量使锡液滴迅速加热、蒸发并电离，形成 高温高密度的等离子体。等离子体中的电子在复合过程中会辐射出波长为 13.5nm 的极紫 外光。 以 ASML 的 EUV 光刻技术为例，在激光产生等离子体（LPP）源中，直径约为 25 微米的熔 融锡液滴以每秒 70 米的速度从发生器中喷出。当它们下落时，液滴首先被低强度激光脉 冲击中，将它们压平成煎饼状。然后，更强大的激光脉冲使扁平的液滴汽化，产生发射 EUV 光的等离子体，为了产生足够的光来制造微芯片，这个过程每秒重复 50000 次。

2、双工台在光刻机中起到承载和移动晶圆的作用

双工件台系统是光刻机中承载和移动晶圆的关键子系统。ASML 的双工件台系统通过两个 完整晶圆台的协同工作，大幅提高了光刻机的产能。工件台的运动速度、精度和稳定性直 接影响光刻机的分辨率、套刻精度和产出。 ASML 率先应用双硅片台技术。传统的光刻机工件台系统仅包含一个掩模台和一个硅片台， 硅片的上片、形貌测量、扫描曝光、下片等工序依次完成。为了提高光刻机的产率，ASML 于 2001 年首次提出了双硅片台技术，并将其成功应用于 TWINSCAN 系列光刻机中。双硅片 台技术将硅片的上述工序分离成两个并行处理的部分，一个硅片台在测量位进行硅片的上 下片、形貌测量等准备工作，同时另一硅片台在曝光位进行硅片的扫描曝光，待完成后两 硅片台交换位置与职能，如此循环地实现硅片的高效曝光。 双工台工作原理：测量台负责晶圆（硅片）的预对准、形貌扫描、温度补偿、对准标记检 测等准备工作。曝光台在测量台完成准备后，立即进行高精度图形曝光，避免传统单工作 台的“等待时间”。两工作台通过精密机械和控制系统实现无缝切换，形成“测量-曝光 -测量”的流水式作业。

光刻机工件台是承载硅片完成光刻过程中一系列超精密动作的运动系统，由吸盘模块、驱 动模块、导向模块、位置测量模块和运动控制模块组成。 1）吸盘模块的作用是固定晶圆，确保其在光刻过程中保持稳定，避免因振动或位移导致 图形曝光偏差。内部的集成温控系统，维持晶圆在光刻所需的恒温环境，减少热变形影响。 同时吸盘表面经过抛光或涂层处理，提高平整度和洁净度，防止颗粒污染。 2）驱动模块提供工件台运动的动力，实现晶圆在多维度的精密移动与定位。主要有三种 驱动类型：直线电机驱动采用无铁芯或有铁芯直线电机，直接驱动工作台，避免机械传动 链的间隙和磨损问题，定位精度可达纳米级。气浮导轨驱动通过压缩空气在导轨与工作台 间形成气膜，实现无摩擦运动，减少振动和热变形，常与直线电机结合，用于超精密定位。 压电陶瓷驱动利用逆压电效应实现亚纳米级微位移，响应速度快，用于补偿动态误差或微 调定位。 3）导向模块约束工件台的运动轨迹，确保其沿预定方向（如直线或旋转轴）高精度运动， 抑制偏摆、俯仰等非期望运动。 4）位置测量模块实时监测工件台的位置、速度和姿态，为闭环控制提供反馈数据。测量 数据通过高速采集卡传输至运动控制模块，形成闭环控制回路，实现实时误差补偿。 5）运动控制模块根据光刻工艺需求，协调各模块工作，生成运动轨迹指令，并通过闭环 控制实现高精度定位与动态跟踪。与光刻机的曝光系统、对准系统实时联动，确保晶圆位 置与曝光图形严格同步。 双工件台技术虽然提高了光刻机的产率，同时也带来了诸多技术挑战： 1）对准精度高：芯片制造中图形的曝光需多层叠加，掩膜曝光的图形必须和前一层掩膜 曝光准确套叠在一起，叠加的误差即为套刻精度，要求为 2nm 以下。硅片上对准标记的数 目越多，对准精度越低。 2）运动速度快：当前 ASML 最先进的 DUV 光刻机产率高达 300wph，0.1 秒完成 1 个影像单 元的曝光成像，这要求晶圆平台以高达 7g 的加速度高速移动。 3）运作稳定：双工件台频繁的位置互换，对加减速防震、精确定位及减少磨损等要求极 高，同时需保持长时间的高速运作。随着工件台的尺寸及推重比不断增大，其动力学特性 愈来愈复杂，导致建模误差较大。工件台需要在高加速、高速的情况下实现纳米级轨迹跟 踪精度及毫秒级建立时间。

四、相关供应链企业努力攻坚，国内高端光刻机突破势在必行

攻坚克难正当时，产业进展有望迎来加速期。自 02 专项以来，以上海微为代表的光刻机 整机公司在部分制程上已取得较为显著的成绩，完成了终端的 0 到 1 突破，在低端环节后 续有望迎来产业端放量；在高端整机环节，2024 年工信部发布的《首台（套）重大技术装 备推广应用指导目录》中将国产 KrF 及 ArF 光刻机明确列入，标志着我国在 DUV 光刻机已 取得明确进展。

1、茂莱光学：多品类光学镜头核心供应商，应用范围广泛

茂莱光学是精密光学综合解决方案提供商，其产品覆盖深紫外 DUV、可见光到远红外全谱 段，应用于半导体光刻机及检测装备、生命科学及医疗、AR/VR 检测设备等领域。其终端 客户也涵盖 Camtek、KLA 等多家全球半导体行业巨头。全球光刻机超精密光学市场长期由蔡司、尼康、佳能垄断，而国内光刻机市场规模快速增长，但核心零部件依赖进口，尤其 是光刻机存量市场的维护与升级需求旺盛，茂莱光学能实现双面非球面透镜、异形非球面 透镜、离轴非球面透镜等产品的加工制造，有望在国产替代进程中抢占市场份额。

2024 年，公司实现营业收入 5.03 亿元，同比增长 9.78%。细分市场来看，主要是半导体 领域收入增长显著，营业收入达到 2.33 亿元，同比增长 37.17%，占比达 46.29%。公司通 过技术升级和产品开发，实现了透镜、棱镜和平片等精密光学器件关键产品的突破，部分 产品从研发样品阶段迈入批量生产阶段，显著提升了技术实力和生产能力。

2、汇成真空：真空镀膜设备供应商，客户涵盖业内知名科研院所

公司核心技术在于真空镀膜技术及成膜工艺，掌握优势技术，卡位核心客户。公司产品涵 盖全面，包括蒸发镀膜、磁控溅射镀膜、离子镀膜等技术及其组合应用。公司产品具体下 游应用广泛，包括消费电子、半导体、智能家居、汽车配件及精密光学元器件等领域。公 司同时为客户提供真空镀膜设备生产工艺的技术支持服务、运维服务及设备更新改造等增 值服务。目前公司下游产品应用具体包括智能手机、摄像头、屏幕显示、汽车配件、航空 玻璃、磁性材料、半导体电子传感器、光刻掩膜版等。

2024 年，公司实现营业收入 5.2 亿元，实现净利润 0.68 亿元。公司科研板块主要客户包 括长春理工大学，2024 年分业务板块实现收入 0.28 亿元，同比增长 30.79%，实现较大幅 增长。真空镀膜设备当前国产化率低，海外对我国高端真空镀膜设备出口有一定限制，客 户国产替代诉求强劲。后续随我国高端镀膜设备逐步突破，真空镀膜设备国产化率有望提 升以驱动公司业绩继续成长。

3、波长光电：产品覆盖广泛，光学技术储备丰富

波长光电是国内精密光学元件、组件的主要供应商，技术储备充足。公司长期专注于服务 工业激光加工和红外热成像领域，提供各类光学设备、光学设计以及光学检测的整体解决 方案。公司产品种类齐全，涵盖了激光光学、红外热成像、消费级光学等多个领域。此外， 公司国内外客户资源丰富，如国内激光行业龙头华工科技、大族激光、海目星，国内红外 行业龙头高德红外、大立科技，以及国际知名激光和红外企业如美国 IPG 阿帕奇，美国 FLIR 菲力尔等均为公司核心客户。

与浙大签署战略合作协议，共建“联合实验室”。2025 年 5 月 22 日，波长光电与浙江大 学极端光学技术与仪器全国重点实验室正式签署战略合作协议，促进科研成果的快速转化， 满足新兴行业对光学前沿产品的需求。浙大与公司针对高端光学器件的合作研究展开实质 性的讨论，包括用于半导体检测的剪切干涉仪、大数值孔径显微物镜以及先进制程光刻关 键光学元件等项目。我们认为，这一战略合作协议签署，有望加速波长光电在光刻机领域 产品布局。

4、福晶科技：布局光学晶体及精密光学元件

福晶科技主要从事光电元器件的研发、生产和销售，光电元器件业务稳健增长，核心产品 市场占有率领先。2024 年，公司在晶体元器件、精密光学元件和激光器件三大核心业务领 域均实现了显著增长。其中，晶体元器件中的非线性光学晶体和激光晶体分别实现营收 2.35 亿元和 1.51 亿元，同比增长 14.89%和 8.63%；精密光学元件营收 3.11 亿元，同比 增长 24.18%。公司产品广泛应用于固体激光器、光纤激光器、光通信、AR/VR 和激光雷达 等领域，市场占有率持续领先。

至期光子成立于 2022 年，公司持有至期光子股份 45.79%，至期光子主要面向高端光学应 用领域，聚焦于纳米及亚纳米精度的超精密光学元件及复杂光机组件的研发与生产，面向 国家重大战略需求的半导体高端装备与其他重大技术设备应用领域，致力于突破关键性瓶 颈技术，为半导体量测设备在内的前沿高端光学应用提供优异品质的超精密光学元器件国 产替代解决方案。

至期光子成立前期研发投入较大，但收入持续快速增长。至期光子 2024 年实现营业收入 7609.60 万元，同比增长 180.08%，亏损额收窄。公司近期在投资者关系活动公告中表示， 2025 年至期光子目标营收为 1.5 亿元。

5、福光股份：特种及民用光学镜头厂商

福光股份是一家专业从事特种及民用光学镜头、光电系统、光学元组件研发生产的高新技 术企业，产品涵盖激光、紫外、可见光、红外全光谱镜头及光电系统。公司在红外镜片加 工、非球面玻璃镜片加工、非球面塑料镜片加工、球面镜片高精度加工、紫外镜片加工等 超精密光学加工技术达到国际先进水平，并为高端装备、国防、航空、航天等领域提供高 精密的光学镜头和光学系统。

随下游需求回暖，公司业绩出现修复。2024 年公司实现总营业收入 6.21 亿元，同比增长 5.82%；净利润达到 0.08 亿元，同比增长 111.6%。公司同步推进定制、非定制产品业务， 强化多元化竞争优势。定制产品业务上，公司进一步提高规模化、标准化生产能力，加大 成本控制优势，提高批产项目收入金额，实现营业收入 1.46 亿元，同比增长 113.26%， 创历史新高；非定制产品业务上，公司积极拓展应用市场，打造全场景产品矩阵，其中光 学元件及其他实现营业收入 0.84 亿元，同比增长 7.95%。2025 年一季度公司盈利能力持 续改善，实现总营收 1.14 亿元，同比增长 15.61%；净利润达到-0.2 亿元，同比增长 1.43%。

6、腾景科技：聚焦光学元件及透镜产品

腾景科技是一家专注于精密光学元组件与光纤器件研发、生产和销售的高新技术企业。产 品涵盖平面光学元件、球面光学元件、模压玻璃非球面透镜、光纤器件等，广泛应用于光 通信、光纤激光、量子信息科研、生物医疗、消费类光学、半导体设备等领域。受益于 AI 驱动，产品拉货需求旺盛，公司营收稳健增长，盈利能力持续提升。公司 2024 年营收 4.5 亿元，同比+30.96%，归母净利润 0.7 亿元，同比+66.53%。2025 年一季度公司实现总营业 收入 1.13 亿元，同比增长 20.6%；利润总额达到 0.15 亿元，同比增长 38.78%，主要得益 于 AI 算力需求驱动下，高速光通信元器件市场增长，公司加强了光通信领域的业务开拓 和产品交付。展望未来，半导体设备等领域有望占比继续提升，优化公司产品结构，对业 绩继续产生积极影响。

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