2024年瑞红苏州研究报告：多年深耕光刻胶领域，助力光刻胶国产化重要力量

1、 多年深耕光刻胶领域，光刻胶国产化的重要力量

1.1、 多年深耕光刻胶领域，国内光刻胶行业的领军企业之一

瑞红苏州是国内光刻胶行业的领军企业之一，系光刻胶国产化的重要力量。公 司是一家专注于光刻胶及其配套试剂研发、生产及销售等业务的高新技术企业，被 认定为“江苏省专精特新中小企业”。公司成立于 1993 年，已规模生产光刻胶近 30 年。

股东实力强劲，股东晶瑞电材为国产电子化学品领军企业。截至 2023 年末，罗 培楠合计控制公司 89.90%的股份，为公司实际控制人。其中，晶瑞电材直接持有公 司 80.70%股权，通过全资子公司瑞红锂电池间接控制公司 6.90%的股权，通过全资 子公司善丰投资间接控制公司 2.30%的股权。

公司核心产品为光刻胶和配套试剂。聚焦于半导体及显示面板应用领域，产品 技术水平及销售额均处于国内领先地位，产品主要包括半导体光刻胶、显示面板光 刻胶等，其中半导体光刻胶包括紫外宽谱光刻胶、g 线光刻胶、i 线光刻胶、KrF 光 刻胶等，显示面板光刻胶包括触摸屏光刻胶、TFT-LCD 光刻胶等。

半导体光刻胶是集成电路的核心材料之一，公司半导体光刻胶产品为紫外宽谱、 i/g 线、KrF 光刻胶。随着高集成度、超高速、超高频集成电路及元器件的开发，集 成电路与元器件特征尺寸呈现出越来越精细的趋势，加工尺寸达到百纳米直至纳米 级，光刻设备和光刻胶产品也为满足超微细电子线路图形的加工应用而推陈出新。 光刻胶的分辨率直接决定了特征尺寸的大小，通常而言，曝光波长越短，分辨率越 高，因此为适应集成电路线宽不断缩小的要求，光刻胶的曝光波长由紫外宽谱向 g 线（436nm）→i 线（365nm）→KrF（248nm）→ArF(193nm)→EUV（13.5nm）的方 向转移，并通过分辨率增强技术不断提升光刻胶的分辨率水平，而紫外宽谱光刻胶 更多应用于分立器件。

光刻工艺同样也是液晶面板制造的核心工艺，公司显示面板光刻胶为触摸屏光 刻胶和 TFT-LCD 光刻胶。通过镀膜、清洗、光刻胶涂覆、曝光、显影、蚀刻等工序， 将掩膜版上的图形转移到薄膜上，形成与掩膜板对应的几何图形，从而制得 TFT 电 极与彩色滤光片。显示面板光刻胶主要分为 TFT-LCD 光刻胶、彩色光刻胶和黑色光 刻胶及触摸屏光刻胶。三类显示面板光刻胶被应用在显示面板制造过程的不同工序 中。TFT-LCD 光刻胶用于加工液晶面板前段 Array 制程中的微细图形电极；彩色光 刻胶和黑色光刻胶用于制造显示面板中的彩色滤光片；触摸屏光刻胶用于制作触摸 电极。平板显示器中 TFT-LCD 是市场的主流，彩色滤光片是 TFT-LCD 实现彩色显 示的关键器件。

光刻胶配套试剂是电子工业中的关键性材料，公司产品包括多种光刻胶配套试 剂。其质量的好坏直接影响到电子产品的成品率、电性能及可靠性，也对微电子制 造技术的产业化有重大影响。因此，电子工业的发展要求光刻胶配套试剂与之同步 发展，不断地更新换代，以适应其在技术方面不断推陈出新的需要。光刻胶配套试 剂为不同工艺中配套使用的电子化学品的统称，其中直接与光刻胶配套使用的化学 材料为光刻胶配套试剂，主要包括显影液、剥离液、边胶剂和增粘剂等。

1.2、 业绩：2023 年公司实现营收 2.46 亿元同比增长 9.10%

公司营业收入为 2.46 亿元，同比增长 9.10%，归母净利润 2,639.58 万元，同 比减少 22.91%。2023 年受益于我国半导体材料行业国产替代进程提速，公司充分 把握行业发展机遇，积极开拓市场，营业收入同比增长 9.10%，但受市场环境影响， 原材料价格波动及费用上涨，导致归母净利润减少。

公司重视光刻胶及其配套试剂产品，营收占比持续增长。2021 年开始公司逐步 减少锂电池粘结剂业务，并于 2022 年 6 月 30 日全面停止该业务。光刻胶以及其配 套试剂占比持续提高，2023 年占营收比例 99.27%。

调整产品结构后，2020-2022 年毛利率连续两年增长。从盈利能力角度去看， 2020-2022 年公司逐步加大高毛利率的光刻胶产品占比，毛利率从 23.30%增长至 39.68%。2023 年受上游原材料价格大幅增长影响，毛利率出现下滑，其中毛利率和 归母净利率分别为 34.22%和 10.71%。

公司积极开拓客户，销售费用率和管理费用率呈现增长趋势。公司持续开拓海 外市场，通过参加展会及销售人员登门拜访等方式开拓客户，在客户选择方面主要 以各应用领域内的重点客户为主，在产品推广方面主要以高品质光刻胶等产品为重 点。2020-2023 年销售费用率和管理费用率总体呈现增长趋势，其中 2023 年销售费 用率、管理费用率和财务费用率分别为 3.55%、6.90%和-0.04%。

公司重视研发，研发费用和费用率持续增长。2020-2023 年公司研发费用率分别 为 4%、4.59%、11.16%和 11.71%，呈现稳步增长趋势，其中 2023 年研发费用为 2883.84 万元，同比增长 14.43%。

2、 制程提升+晶圆厂建设加速+国产替代，光刻胶需求复苏

2.1、 芯片制程提升，带动光刻胶用量增长

光刻胶是利用光化学反应经曝光、显影、刻蚀等工艺将所需要的微细图形从掩 模板转移到待加工基片上的图形转移介质。其中曝光是通过紫外光、电子束、准分 子激光束、X 射线、离子束等曝光源的照射或辐射，使光刻胶的溶解度发生变化。 光刻胶主要用于微电子领域的精细线路图形加工，是微制造领域最为关键的材料之 一。

光刻胶按应用领域分类可分为 PCB 光刻胶、LCD 光刻胶、半导体光刻胶三大 类。其中 PCB 光刻胶的技术难度相对较低，半导体光刻胶的技术壁垒最高。 PCB 光刻胶：是指印制电路板制造过程的关键材料，主要分为干膜光刻胶、湿 膜光刻胶和阻焊油墨。其中，干膜光刻胶被广泛应用在 PCB 制造过程中。在加热加 压的条件下将干膜光刻胶压合在覆铜板上，通过曝光、显影将底片(掩膜板或阴图底 版)上的电路图形复制到干膜光刻胶上再利用干膜光刻胶的抗蚀刻性能，对覆铜板进 行蚀刻加工，最终形成印制电路板的精细铜线路。 LCD 光刻胶：是平板显示行业中使用的一种光刻胶，一种对光敏感的混合液体，是微电子技术中微细图形加工的关键材料。它由光引发剂(光增感剂、光致产酸剂)、 光刻胶树脂、溶材料剂、单体(活性稀释剂)和其他助剂组成。主要分为彩色及黑色光 刻胶、LCD 触摸屏用光刻胶 TFT-LCD 正性光刻胶等。LCD 光刻胶主要用于波晶显 示器的生产过程中，用于制造液晶显示器的透明电极和非透明电极。 半导体光刻胶：是一种对光敏感的混合液体，是微电子技术中微细图形加工的 关键材料。它主要用于半导体品圆制造过程中，用于制造液晶显示器的透明电极和 非透明电极。目前，半导体光刻胶一般按照曝光波长进行分类:G 线、I 线、KrF、ArF、 ArFi、EUV。不同曝光波长的光刻胶，其适用的光刻极限分辨率不同，波长越小， 加工分辨率越佳。 光刻胶配套试剂：主要是由基础化工原料（包括 N-甲基吡咯烷酮、醋酸丁酯、 四甲基氢氧化铵、石油醚、正庚烷等）调配制造的产品，包括显影液、剥离液、增 粘剂、边胶剂等，与光刻胶配套使用。因此同光刻胶应用范围相同，主要应用于显 示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业。

全球光刻胶市场空间广阔，未来发展潜力大。根据 Reportlinker 数据，全球光 刻胶市场预计2019-2026年复合年增长率有望达到6.3%，至2023年突破100亿美元， 到 2026 年超过 120 亿美元。 中国光刻胶市场的增长速度超过了全球平均水平。根据中商产业研究院数据， 2021 年中国光刻胶市场达 93.3 亿元，2016-2021 年均复合增长率为 11.9%，2021 年 同比增长 11.7%，高于同期全球光刻胶增速 5.75%。随着未来 PCB、显示面板和半导 体产业持续向中国转移，中国光刻胶市场有望不断扩大，占全球光刻胶市场比例也 将持续提升，预计到 2026 年占比有望从 2019 年的 15%左右提升到 19.3%。

全球半导体光刻胶市场规模预计将在 2024 年反弹，同比增长 7%。根据 TECHCET 数据，预计 2022-2027 年的全球光刻胶市场规模复合年增长率(CAGR)为 4.1%。TECHCET 指出，受先进逻辑工艺与存储器等新技术驱动，增长最快的细分领 域为 EUV 和 KrF 光刻胶。此外，用于成熟制程（如 i、g 和 KrF/248nm）的光刻胶 材料也将继续推动市场增长。随着三星、台积电和英特尔等公司的部分工艺制程从 ArF 和 ArFi 转向 ArFi 和 EUV 组合，预计美光和 SK 海力士也将紧随其后，EUV 光 刻胶产量不断爬升。

全球半导体制程向着更先进、更精细化方向发展。根据 IC Insights 的统计和预 测，在 2019 年，10nm 以下先进制程的市占率仅为 4.4%，而到 2024 年，其比例将 增长到 30%。在该时间段内，10nm-20nm 制程的市占率将从 38.8%，下降到 26.2%； 20nm-40nm 制程的市占率将从 13.4%，下降到 6.7%；预计到 2024 年，10nm 以下的 先进制程的市占率将达到 30%左右。

半导体光刻工艺和制程提升驱动各半导体光刻胶需求增长。 KrF 光刻胶：目前，KrF 光刻胶广泛应用于 0.25um 及以下各制程。同时，在 NAND 闪存从 2D 平面结构转为 3D 堆叠构架的过程中，厚膜 KrF 光刻胶大量使用于 3D NAND 堆叠架构的制作上。随着 5G、云计算、人工智能时代的来临，对大数据 存储的急剧需求，使得 3D NAND 堆叠层数迅速增加，KrF 光刻胶的使用量也将大幅 提升。根据 CFM 闪存市场数据，三星 2021 年量产的第七代 3D NAND 堆叠至 176 层，采用双堆叠制程；2022 年 11 月，三星宣布量产全球最高容量 1Tb TLC 第八代 3D NAND，虽未公开具体堆叠层数，但业界推测可能为 236 层；至于第九代 3D NAND 预计将在 2024 年推出，业界预计达 280 层，第十代 3D NAND 将跳过 300 层区间， 达 430 层，预计将于 2025-2026 年推出。 ArF 光刻胶：在浸润式光刻系统、负显影工艺、多重光刻工艺等新技术、新工 艺的辅助下，ArF 光刻系统不断突破瓶颈，将先进制程从 45nm 一直推进到了 7nm 工艺。实现制程微缩的手段是“多重曝光”，即将原本一层光刻的图形拆分到多个掩 模上，利用光刻 Litho 和刻蚀 Etch 实现更小制程。常见的技术有双重曝光（DE）、固 化双重曝光（LFLE）、双重光刻（LELE）、三重光刻（LELELE）、自对准双重成像 （SADP）、连续两次 SADP（SAQP）等。目前，ArF 光刻胶主要用于先进制程的多 重光刻工艺，其用量也随着市场对先进工艺产品的需求不断增长。 EUV 光刻胶：目前，EUV 光刻胶用于最先进逻辑芯片(CPU, GPU)和存储芯片 (DRAM)的制造,并将先进制程迅速从 7nm，不断演进到 5nm 与 3nm。随着先进制程 EUV 光刻道次的增加(从最初 7nm+上使用的 3 道，逐渐增加到 5nm 的 14 道和 3nm 的 22 道。)，EUV 光刻胶的使用量将大幅增加。

2.2、 中国晶圆厂建设加速，驱动光刻胶需求复苏驱动

从下游资本开支角度看：全球晶圆厂设备支出在 2023 年放缓，有望在 2024 年 复苏。根据 SEMI 数据，预计 2023 年全球晶圆厂设备支出将同比下降 15%，从 2022 年的 995 亿美元的历史新高降至 840 亿美元， 2024 年将同比反弹 15%，至 970 亿美 元。2023 年的下降将源于芯片需求疲软以及消费和移动设备库存增加。 根据 SEMI 发布的《世界晶圆厂预测报告》，2022-2024 年，全球半导体行业计 划开始运营 82 个新的晶圆厂。其中包括 2023 年的 11 个项目和 2024 年的 42 个项目， 晶圆尺寸从 300mm 到 100mm 不等。根据 SEMI 数据，全球半导体每月晶圆（WPM） 产能在 2023 年增长 5.5%至 2960 万片后，预计 2024 年将增长 6.4%，首次突破每月 3000 万片大关（以 200mm 当量计算）。2024 年的增长将由前沿逻辑和代工、包括生 成式人工智能和高性能计算（HPC）在内的应用的产能增长以及芯片终端需求的复 苏推动。在政府资金和其他激励措施的推动下，预计中国将增加其在全球半导体产 能中的份额。预计中国芯片制造商将在 2024 年开始运营 18 个项目，2023 年产能同 比增长 12%，达到每月 760 万片晶圆，2024 年产能同比增加 13%，达到每月 860 万 片晶圆。

中国晶圆厂能快速增长，预计 2023 年中国预计将占据 200 mm 晶圆厂产能的 22%。根据 SEMI 数据，预计 2026 年全球 300mm 晶圆厂产能将达到每月 960 万片 的历史新高。预计在 2023 年到 2026 年，全球半导体制造商 200mm 晶圆厂产能将增 加 14%，新增 12 个 200mm 晶圆厂（不包括 EPI），达到每月 770 多万片晶圆的历史 新高。其中，预计中国将以 22%的增长率位居第二。作为 200mm 产能扩张的最大贡 献者，中国预计到 2026 年将达到每月 170 多万片晶圆。美洲、欧洲和中东以及中国 台湾地区将分别以 14%、11%和 7%的增长率紧随其后。2023 年，中国预计将占据 200 mm 晶圆厂产能的 22%，而日本预计将占据总产能的 16%，其次是中国台湾地区、 欧洲和中东以及美国，分别占 15%、14%和 14%。

中国晶圆厂已建成 44 座、在建 22 座、计划 10 座。根据全球半导体观察数据， 除却 7 座已暂停搁置的晶圆厂，截至 2023 年 11 月，建有 44 座晶圆厂，其中 12 寸 晶圆厂 25 座，6 英寸厂 4 座，8 英寸晶圆厂/产线 15 个。此外，还有正在建设晶圆厂 22 座，其中 12 英寸厂 15 座，8 英寸厂 8 座。未来包括中芯国际、晶合集成、合肥 长鑫、士兰微等在内的厂商还计划建设 10 座晶圆厂，其中 12 英寸厂 9 座，8 英寸晶 圆厂 1 座。总体来看，预计至 2024 年底，将建立 32 座大型晶圆厂，且全部锁定成 熟制程。

2024-2026 年预计我国半导体光刻胶需求量快速复苏。根据势银（TrendBank） 预计数据，2023 年下游市场疲软，半导体用光刻胶需求量也相应减少， 2023 年中 国大陆半导体光刻胶总体需求量为 1817.24 吨，同比减少 12.77%；其中，前五家晶 圆制造厂商需求量达到 894.65 吨，占比 49.23%。2024 年随着云计算、大数据、AI、 自动驾驶等新兴领域的快速发展，算力芯片的效能要求逐步加强，多重挑战和趋势 下，半导体行业将不断探索新的发展路径，半导体用光刻胶需求量及性能也将随之 提升，尤其是高分辨率光刻胶以及厚膜光刻胶产品。预计 2024-2026 年中国大陆半导 体光刻胶总体需求量增速为 12.04%、11.50%和 7.71%。

2.3、 国内半导体光刻胶原材料壁垒突破，进口替代趋势明显

我国光刻胶行业发展起步较晚，生产能力主要集中在 PCB 光刻胶等中低端产品。 根据中国产业信息网数据，中国 PCB 光刻胶占比达 94%，而半导体光刻胶等高端产 品仍需大量进口，自给率较低。未来随着光刻胶企业生产能力的提高，我国光刻胶 生产结构有望进一步优化。

我国光刻胶市场主要以日美企业为主。东京应化作为龙头企业占据 25%-30%的 份额，其次是美国杜邦占据 15%-20%的份额、JSR 与住友化学各占据 15%-20%的份 额，最后是 DONGIN 占据 10%-15%的份额，富士胶片占据 8%-10%的份额，其他白 牌厂商占据 5-7%的份额。未来我国有望打破国外技术垄断，积极推进研发，加快国 产化速度。

半导体光刻胶国产化率低，未来国产替代空间广阔。从光刻胶国产化程度来看， 生产技术难度较低的 PCB 光刻胶国产化程度较高，面板光刻胶和半导体光刻胶国产 化程度很低，半导体光刻胶是技术难度和潜力较大的细分市场，其中 g/i 线光刻胶国 产替代率相对较高，而 EUV 光刻胶国产替代化程度最低，目前还处于研发阶段。

制约我国半导体光刻胶国产化的核心原因是上游树脂原材料壁垒高，原材料自 给率低。 G/I 光刻胶：G 线光刻胶用环化橡胶树脂；I 线光刻胶用酚醛树脂，单体为甲基 酚和甲醛，这个酚醛树脂需要是线性的酚醛树脂，国产化程度很低，主要是依赖进 口。 KrF 光刻胶：KrF 光刻胶用聚对羟基苯乙烯类树脂，单体为对羟基苯乙烯的衍 生物单体，此类树脂目前基本也是依赖进口，原因一是生产树脂需要的单体国内很 少厂家供应，原因二是树脂的生产工艺也有一定的难度，特别是后处理的工艺。 ArF 光刻胶：ArF 用聚甲基丙烯酸酯类树脂，单体为甲基丙烯酸酯和丙烯酸酯 的衍生物单体，ArF 的树脂由几种单体共聚而成，定制化程度比较高，国际市场上 能够买到部分普通款的 Arf 树脂，但高端的 Arf 树脂几乎不卖。 EUV 光刻胶：EUV 用聚对羟基苯乙烯类树脂，或分子玻璃，或金属氧化物，国 内由于设备受限，这块基本空白；高端的芯片封装光刻胶会用到 PI 和 PSPI 树脂， 难度也很高，技术也掌握在国外几家厂商手里。

半导体光刻胶树脂单体技术要求高，看重企业对合成的 KNOW-HOW 的理解于 积累。与非电子级树脂相比，半导体光刻胶树脂的主要区别如下： 1）要做到质量一致，即分子量和分子量分布每批都要很接近，而且越是高级 的树脂，越要做到质量一致。 2）越高级树脂的分子量分布越小越好（理论值是 1.0），EUV 光刻胶树脂分子 量分布都是接近 1.02-1.05 左右。 3）金属离子要求越高级要求越高，现在大部分要求小于 1ppb, 甚至将来要到 ppt级。比如与 PCB 的树脂相比，后者的合成对分子量和分子量分布没有很高的要求， 金属离子也没要求。

我国半导体光刻胶树脂国产化壁垒突破，助力国产光刻胶进口替代加速。在光 刻胶树脂需求量逐步增长的背景下，中国大陆企业已加大光刻胶专用树脂业务的布 局：半导体光刻胶树脂企业目前取得一定进展，部分企业已经能够少量供应，整体 处于布局阶段；其中，徐州博康已经实现供应 ArF 和 KrF 原材料到成品光刻胶，八 亿时空和彤程新材均实现 KrF 树脂量产，此外中国大陆显示光刻胶树脂企业主要供 应 TFT 正胶用酚醛树脂并已实现量产。

3、 光刻胶产品覆盖广+设备优势，定增加码光刻胶先进工艺

3.1、 我国唯一一家具备全系列波长光刻机研发平台

公司是目前我国唯一一家拥有全系列波长（436/365/248/193nm）光刻机研发平 台的光刻胶生产企业。目前共拥有 5 台光刻机，覆盖紫外宽谱、g 线、i 线、KrF 及 ArF 光刻胶检测，可为公司产品研发测试、客户验证等提供全面的核心设备保障。

公司具备完善的光刻胶辅助生产机器。其中 LTJ-RDA-790 设备可以对光刻胶显 影分析，是最先进的 18 频道冲洗速度分析评价装置，可以对光致抗蚀剂的显影速度 进行评价；TEL CLEAN TRACK ACT8 适用于 150mm 的各种材料的工艺处理 I 线， 248 纳米，和 193 纳米的工艺能力全自动的匀胶、显影功能，层叠架构多层热处理模 块，结构紧凑，高产能、高可靠性，进一步提高公司产品的产能和良率。

高端光刻机设备购置及维护成本高，对光刻胶企业设备投入要求较高，小型企 业难以维系。根据晶瑞股份可转债说明书数据，单台 ArF 光刻机价格为 1.5 亿元， 整套设备总支出为 3.39 亿元。根据 ASML2023 年报数据，EUV、ArFi、ArF dry、 KrF 和 I-line 光刻机平均单价分别为 1.72 亿欧元、7214 万欧元、2438 万欧元、1197 万欧元和 506 万欧元，高端光刻机价格昂贵。

3.2、 具备高端光刻胶生产线，实现了较为全面的产品技术序列覆盖

公司具备多项自主研发的光刻胶生产核心技术。作为国内较早进入光刻胶生产 领域的企业之一，在技术工艺方面，将自主研发与合作研发有机结合，已掌握了一 系列核心技术。光刻胶产品长期量产经验为公司分阶段梯次技术研发推进奠定坚实 基础，在国内光刻胶行业中，处于相对领先地位。 公司光刻胶实现了较为全面的产品技术序列覆盖。拥有紫外宽谱系列、g 线系 列、i 线系列、KrF 系列等上百个型号产品。目前 i 线光刻胶产品规模化向国内知名 半导体企业供货；KrF 高端光刻胶部分品种已量产。在光刻胶配套试剂方面，公司 覆盖显影液、剥离液、边胶剂等多种光刻胶配套产品。

公司自 1993 年开始已生产光刻胶近 30 余年，量产经验丰富，工艺配方成熟。 截至 2023 年末，公司拥有 32 项国内专利，其中发明专利 21 项。光刻胶作为光刻工 艺的核心，配方研发及生产工艺要求极高，看重企业对合成的 KNOW-HOW 的理解 于积累。光刻胶产品需要根据不同的应用需求定制，产品品类多，配方中原材料比 重的细微差异将直接影响光刻胶的性能，且配方难以逆向解析，严重依赖于经验积 累所形成的技术专利。其次光刻胶下游不同客户的需求差异明显，即使同一客户的 不同应用需求也不一致。这就导致光刻胶的整体生产缺乏统一的工艺，每一类光刻 胶使用的原料在化学结构、性能上均有所区别，要求使用不同品质等级的专用化学 品。这就迫使制造商需要有能力根据差异化设计不同配方，并有相应的生产工艺完 成生产。

公司紫外宽谱光刻胶、g/i 线光刻胶、TFT 光刻胶等产品均已通过客户认证并量 产多年。2022 年，KrF 光刻胶亦通过客户认证并开始量产。客户包括中芯国际、合 肥长鑫、华虹半导体、晶合集成等知名半导体厂商。由于验证周期通常为 6-24 个月， 下游晶圆厂切换光刻胶成本较高，光刻胶新进企业拓展客户壁垒较高。在光刻胶供 货前，一般会经过光刻胶产品的验证及工厂（产线）资质的验证，其中光刻胶验证 根据验证阶段分为 PRS（光刻胶性能测试）、STR（小试）、MSTR（批量验证）及 Release（通过验证）；工厂（产线）资质验证方面，主要在质量体系、供货稳定性、 工厂（产线）产能等几方面进行验证。在工厂（产线）资质验证通过以及产品验证 通过后，可实现对客户的正式供货。

为适应行业现状带来的发展机遇，公司加大研发投入，ArF 高端光刻胶研发工 作已启动。截至 2023 年末，与 ArF 光刻胶相关的在研项目有 ArF 生产的成膜树脂合 成工艺研发和适用于 28nm 工艺节点浸润光刻的 ArF 光刻胶研发，有望帮助公司实 现形成 ArFi(浸没式)光刻胶的成套技术体系并完成产品基础配方定型。

3.3、 晶瑞电材是国产电子化学品领军企业

母公司晶瑞电材是一家专注从事微电子化学品的高新技术企业。公司起步于苏 州中学校的光刻胶研发室，是国内最早研发光刻胶的团队之一。2001 年，晶瑞电材 的前身晶瑞化学有限公司成立，专注于生产和经营微电子业所需的超纯化学材料和 其他精细化工产品。2011 年，晶瑞化学收购了苏州瑞红公司 55%的股份，随后致力 于光刻胶的研发，并成功实现了 i 线光刻胶的量产。2017 年，晶瑞化学在创业板上 市。同时，公司成立了全资子公司瑞红锂电池材料，专注于技术研发和销售锂电池 用粘结剂。2020 年，晶瑞电材收购了载元派尔森，成功进入三星环新 NMP 供应体 系。

晶瑞电材作为国内较早进入电子化学品生产领域的企业之一，产品主要包括在 超净高纯试剂、光刻胶及配套材料和锂电池化学品。 在高纯化学品方面，公司高纯硫酸、高纯双氧水及高纯氨水等产品的金属杂质 含量低于 10ppt，达到 G5 等级，品质已达全球同行业第一梯队水平，产品技术指标 可以覆盖目前主流的先进集成电路技术节点的要求。成体系的解决了我国半导体用 量最大的三种高纯湿化学品的国产替代，公司是目前国际上极少数能同时供应 G5 等级的高纯硫酸、高纯双氧水、高纯氨水的材料企业之一。公司其他多种高纯化学 品如 BOE、硝酸、盐酸、氢氟酸等产品品质全面达到 G3、G4 等级，可满足显示面 板、光伏太阳能等行业客户需求。

在光刻胶方面，子公司瑞红苏州规模生产光刻胶超 30 年，组建了国内领先的光 刻胶研发团队，具有丰富的光刻胶研发和生产经验。2018 年完成了国家重大科技项 目 02 专项“i 线光刻胶产品开发及产业化”项目后，i 线光刻胶产品规模化向国内知 名半导体企业供货；同时，为适应行业现状带来的发展机遇，已在设备购置、人才 引进等方面加大投入，KrF 高端光刻胶部分品种已量产；ArF 高端光刻胶研发工作已 启动。近年来，公司建成了具有国际水平的高端光刻胶生产线和测试实验平台，同 时拥有紫外宽谱、g 线（436nm）、i 线（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）全 系列光刻机测试实验平台。 在锂电池材料方面，公司 NMP 产品采用国际先进技术及工艺，已通过 IATF16949 汽车行业质量管理体系认证，纯度可达 99.9%以上，含水量低于 0.01%，公司 NMP 产品是中国区唯一通过韩国三星集团 SDI 公司认证合格的产品。此外，公司研发的CMCLi 粘结剂已顺利量产，该产品与传统 CMCNa 粘结剂相比可以提高首效性能， 更好的低温性能及循环寿命，实现了我国在该领域零的突破，打破了高端市场被国 外企业垄断的格局。

3.4、 引入中石化战略投资，募资 8.5 亿元加码先进工艺光刻胶

公司拟向中国石化集团资本定向发行股票不超过 1.01 股，预计募集资金总额不 超过 8.5 亿元。

本次股票发行所募集的资金用于先进制程工艺半导体光刻胶及配套材料业务拓 展项目。

（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）