长鑫科技-688825-十年破局DRAM垄断,算力+国产替代双轮驱动成长
- 来源:天风证券
- 发布时间:2026/09/17
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长鑫科技-688825-十年破局DRAM垄断,算力+国产替代双轮驱动成长.pdf
全球DRAM市场正经历由AI算力驱动的结构性变革,服务器存储需求激增打破了传统行业周期。在此背景下,长鑫科技作为国内唯一、全球第四的DRAM全链路IDM厂商,凭借产能释放与技术迭代,正快速抢占全球市场份额。市场地位与竞争格局长鑫科技是我国规模最大的DRAM研发设计制造一体化企业,在合肥、北京布局三座12英寸晶圆厂。根据Omdia数据,2025年第四季度公司全球DRAM市场份额已增至7.67%,位列全球第四、中国第一,推动全球市场从“三强”向“3+1”格局演变。公司聚焦高毛利DRAM赛道,未涉足NAND等低毛利业务,盈利弹性优于海外同业。产品矩阵与技术路线公司采取“跳代研发”策略,核心工艺已达国...
国产DRAM一体化龙头的发展路径与市场地位
长鑫科技是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业。自2016年成立以来,公司始终专注于DRAM产品的研发、设计、生产及销售。在技术路线上,公司采取“跳代研发”的策略,完成了从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的量产,以及DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的产品覆盖和迭代,目前核心产品及工艺技术已达到国际先进水平。
根据Omdia数据,按照产能、出货量和销售额统计,长鑫科技为国内第一、全球第四DRAM厂商。公司在合肥、北京布局三座12英寸DRAM晶圆厂,深耕自主研发,在DRAM设计、制造、封测、模组应用全链路搭建完备核心技术体系。相较于三星、美光等同业同时布局NAND、面板等低毛利业务,公司聚焦高毛利DRAM赛道,盈利弹性更为显著。截至2025年第四季度,按DRAM销售额统计,长鑫科技的全球市场份额已增至7.67%,全球DRAM市场正从传统的“三强”格局向“3+1”格局演变。
AI重塑存储供需格局与行业景气度分析
DRAM行业受市场供需波动影响较大,具有显著的周期性特征。但当前AI算力建设正在打破传统存储周期,推动DRAM供需格局迎来根本性重塑。AI服务器拉动DRAM需求,使得存储由被动仓库转为大模型训练推理的核心基础设施,服务器市场成为存储需求的核心增长极。
根据Omdia数据,2025年全球DRAM下游应用领域中,服务器市场需求占比约为50%,到2030年该比例预计将增长至约71%。全球服务器搭载的DRAM总量预计将由2025年的约19,953MGB增长至2030年的约69,340MGB,年复合增长率约为28.29%。全球DRAM市场规模有望从2025年的1,505亿美元增长至2030年的5,710亿美元,年均复合增长率为30.56%。中国DRAM市场规模约占全球比重超过四分之一,但本土供给不足,叠加地缘摩擦下供应链自主可控需求提升,国产替代空间广阔。
价格走势方面,2026年第三季度DRAM价格保持上涨趋势。多数原厂将手机闲置DRAM产线转投服务器,导致PC端DDR5、LPDDR5X供货持续紧缺。根据CFM闪存市场预测,2026年三季度服务器DDR5价格环比涨幅将落在10%~20%区间,PC DDR5/LPDDR5X涨幅预计约13%-18%,Mobile LPDDR4X/5X价格涨幅分别约5%~15%。
产品矩阵演进与HBM前瞻布局
长鑫科技的主营业务高度聚焦,完整覆盖DRAM设计、制造、封测、模组全链条。DDR系列方面,公司DDR4产品曾广泛应用于PC、服务器等领域,结合下游应用市场发展趋势,2024年底以来自有DDR4产品已停止生产,全面转向已成功研发并量产的DDR5产品,速率可达8000Mbps,性能指标达到国际主流水平。
LPDDR系列针对移动终端市场,推出了LPDDR4X及LPDDR5/5X系列产品。其中LPDDR5X最高速率可达10667Mbps,已进入小米、传音等主流手机厂商的供应链。公司可提供DRAM晶圆、芯片、模组多类方案,广泛适配服务器、移动终端、PC、智能汽车多类下游场景。
在高端AI存储领域,公司计划2026年底启动HBM3小规模试产,2027年实现规模化投产。2026年6月,长鑫存储自主研发HBM3高带宽内存样品完成国内头部云厂商首轮适配验证。技术路线层面,公司跳过迭代相对落后的HBM2e,直接攻坚HBM3前沿技术节点,产品可适配昇腾、寒武纪等国产主流AI芯片,支撑国产智算服务器算力部署需求,实现“国产GPU+国产高带宽内存”全链路自主可控。
财务表现跃升与产能扩张规划
伴随产能释放与产品结构优化,长鑫科技财务端实现了由深度亏损到大幅盈利的转变。2022至2024年公司归母净利润持续为负,2025年实现扭亏为盈,归母净利润达18.75亿元。2026年上半年营收已达1,503.10亿元,同比增速873.64%;盈利规模大幅提升至776.05亿元,同比增速高达3427.76%。毛利率方面,由2024年的5.58%提升至2025年的40.99%,2026年上半年进一步走高至84.74%。
收入结构上,LPDDR系列长期为第一大收入来源,2026年上半年营收达781.91亿元;DDR系列增速更为突出,同期营收694.72亿元。境内外市场同步放量,境外营收规模领先,境内业务增速逐年加快。
产能分配方面,公司主要包括合肥一期、合肥二期和北京三条12英寸晶圆制造生产线。2023年至2025年,整体产能和产量快速增长,各期产能利用率分别为87.06%、92.46%和95.73%。本次IPO募集资金295亿元,主要用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目以及动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目。其中拟投入90亿元开展前瞻技术研发工作,拓展自主创新能力和研发水平。
股权结构、研发团队与供应链协同
长鑫科技的股权结构呈现多元化与制衡特征,无控股股东及实际控制人。直接持有公司5%以上股份的股东包括清辉集电(19.50%)、长鑫集成(10.54%)、大基金二期(7.86%)、合肥集鑫(7.53%)及安徽省投(7.12%)。大基金二期与安徽省投等国资背景股东体现了国家对存储产业的支持,员工持股平台有效绑定了核心团队利益。
公司管理层团队核心领导者拥有25年以上半导体行业经验。截至2026年上半年,研发人员达7,491人,占比33.42%。研发费用持续增长,2025年攀升至95.93亿元。截至2026年6月30日,公司共拥有4,484项境内专利以及3,400项境外专利。
供应链方面,长鑫科技主要原材料采购包括化学品、备件、光阻剂、硅片、气体、靶材等。2023年至2025年前五大供应商合计占原材料采购总额的比例分别为25.65%、31.39%和21.81%。公司积极推进供应链的多元化、本土化,增强供应链的安全保障能力,降低国际贸易摩擦带来的风险。天风证券预计公司2026/2027/2028年营业收入分别为2,948.74/4,533.45/6,132.44亿元,归母净利润分别为1,473.66/2,471.89/3,320.86亿元,首次覆盖给予“增持”评级。
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