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2026年拓荆科技公司深度报告：深耕薄膜沉积技术护城河，打造混合键合第二增长极
- 2026/01/28
- 131
- 东海证券
公司自2010年成立以来，持续聚焦于高端半导体设备领域，在薄膜沉积设备和三维集成设备（键合及配套量检测设备）方向深耕发展。公司在薄膜沉积方面已形成覆盖PECVD（等离子体增强化学气相沉积）、ALD（原子层沉积）、SACVD（次常压化学气相沉积）、HDPCVD（高密度等离子体化学气相沉积）及FlowableCVD（流动性化学气相沉积）等系列产品，可以支撑逻辑芯片、存储芯片中所需的全部介质薄膜材料的约100多种工艺应用。
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2025年拓荆科技公司研究报告：深耕先进沉积工艺，延展混合键合版图
- 2025/12/30
- 150
- 爱建证券
公司成立于2010年，深耕前道薄膜沉积装备领域，核心产品涵盖PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD等多类工艺设备，广泛应用于集成电路制造、先进封装及三维集成等关键环节。公司持续围绕先进逻辑与存储芯片需求推进技术迭代与平台化布局，已成为中国少数在高端薄膜沉积设备领域实现规模化量产并具备持续技术演进能力的厂商之一。
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2025年拓荆科技研究报告：半导体薄膜设备领军者，混合键合开启第二成长曲线
- 2025/07/10
- 655
- 华安证券
拓荆科技股份有限公司成立于2010年4月，主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。
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2025年拓荆科技研究报告：薄膜沉积设备国内领军者，混合键合设备第二成长曲线
- 2025/01/20
- 1614
- 国海证券
薄膜沉积设备国内领跑者，前瞻布局混合键合设备。2010年公司成立，2011年公司首台12英寸PECVD出厂到中芯国际验证，2013年通过中芯国际产品线测试，2016年公司首台12英寸ALD出厂到客户端，2019年公司SACVD研制成功并出厂到客户端，2022年公司HybridBonding设备出厂，同年公司成功登陆科创板。
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2024年拓荆科技研究报告：薄膜沉积拓展加速，混合键合打开广阔空间
- 2024/10/14
- 1509
- 国泰君安证券
市场认为公司尽管为半导体PECVD企业龙头，但受制于PECVD主要用于成熟产线，跟随成熟制程扩产减缓，公司增长空间有限。我们认为公司薄膜沉积设备研发始终走在行业前列，先进产线中公司在国内薄膜沉积设备市占率第一。
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2024年拓荆科技研究报告：薄膜沉积设备领军者，技术创新步伐加快
- 2024/10/08
- 858
- 华福证券
薄膜沉积设备国产化领军者，专注于薄膜沉积设备的研发和产业化应用。
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2024年拓荆科技研究报告：国产薄膜沉积设备龙头，混合键合设备新军
- 2024/08/29
- 1703
- 方正证券
国产薄膜沉积设备领跑者，进军混合键合设备。拓荆科技成立于2010年4月，于2022年科创板上市，主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售和技术服务。
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2024年拓荆科技研究报告：国产薄膜设备龙头，高端产品加速突破
- 2024/06/21
- 1222
- 中泰证券
拓荆科技为国内薄膜沉积设备龙头。拓荆科技成立于2010年，业务聚焦于半导体薄膜沉积设备。2011年公司首台12英寸PECVD出厂到客户端验证，后续逐渐拓展到ALD、SACVD、HDPCVD等产品领域。
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2024年拓荆科技研究报告：24Q1机台出货金额同比高增长，多品类布局构筑长期发展动力
- 2024/05/07
- 756
- 招商证券
公司2023年收入同比高增长，远超股权激励设定的考核目标值。拓荆科技2023年实现收入27亿元，同比+58.6%，2019年至今收入CAGR为81%。按照公司2022年股权激励目标，2023年收入较2021年增长不低于200%即不低于22.7亿元，公司2023年收入同比2021年实际增长257%，远超股权激励方案设立的目标值。
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2024年拓荆科技研究报告：半导体薄膜沉积设备国产领军者，产品体系持续完善打开成长空间
- 2024/03/01
- 1183
- 华西证券
拓荆科技成立于2010年，专业从事半导体薄膜沉积设备，引领进口替代浪潮。公司曾承担多项国家科技重大专项&省部级重大科研项目，曾三次荣获“中国半导体设备五强企业”，产品已适配国内最先进的28/14nm逻辑芯片、19/17nmDRAM芯片和64/128层3DNANDFLASH晶圆制造产线，尤其在PECVD和SACVD领域，公司是本土唯一实现产业化应用的供应商。
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2024年拓荆科技研究报告：薄膜沉积设备领军者，业绩优异长期增长确定性强
- 2024/02/04
- 611
- 山西证券
深耕半导体专用设备领域，聚焦薄膜沉积设备研发和产业化应用。公司专注于半导体薄膜沉积设备业务，自2010年成立以来始终坚持自主研发，先后多次承担国家重大科技专项/课题。
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2023年拓荆科技研究报告：国内半导体薄膜沉积设备龙头，身处快速成长期
- 2023/11/21
- 1431
- 平安证券
拓荆科技成立于2010年，地点位于沈阳，2022年4月在科创板上市。公司主要从事高端半导体薄膜沉积设备的研发、生产、销售与技术服务，主要产品包括等离子体增强化学气相沉积设备（PECVD）、原子层沉积设备（ALD）和次常压化学气相沉积设备（SACVD）等产品系列，已广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线，并已展开10nm及以下制程产品验证测试。
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2023年拓荆科技研究报告 深耕半导体薄膜沉积设备赛道
- 2023/06/30
- 1148
- 西部证券
2023年拓荆科技研究报告，深耕半导体薄膜沉积设备赛道。拓荆科技成立于2010年，是国内一家专注于高端半导体设备研发、生产、销售和技术服务的高科技企业，目前已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD等薄膜设备产品系列，该产品系列已广泛应用于国内集成电路逻辑芯片、存储芯片等制造产线。
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2023年拓荆科技研究报告 行稳致远的国内半导体薄膜沉积设备龙头
- 2023/02/22
- 1448
- 华泰证券
2023年拓荆科技研究报告，行稳致远的国内半导体薄膜沉积设备龙头。拓荆科技为国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD和SACVD设备厂商。拓荆科技成立于2010年，前身为中科仪PECVD事业部，自成立始便聚焦半导体薄膜沉积设备的研发生产。
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2022年拓荆科技研究报告 半导体设备国产化不断加速，中国半导体CVD设备龙头
- 2022/10/21
- 1011
- 光大证券
2022年拓荆科技研究报告，半导体设备国产化不断加速，中国半导体CVD设备龙头。拓荆科技股份有限公司成立于2010年，2022年4月20日正式登陆科创板，主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售和技术服务，主要产品包括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备三个产品系列。
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