2024年钻石散热专题报告:高算力时代的终极方案,打开AI潜力的钥匙

  • 来源:开源证券
  • 发布时间:2024/12/09
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钻石散热专题报告:高算力时代的终极方案,打开AI潜力的钥匙。钻石:“终极”半导体材料,“六边形战士”。随着半导体遵循着摩尔定律纳米制程进步、TDP(热设计功耗)上升,芯片热流密度变得越来越高,散热革命成为AI、HPC时代最大挑战。当芯片表面温度达到70-80℃时,温度每增加1℃,芯片可靠性就会下降10%;设备故障超过55%与过热直接相关。金刚石是已知热导率最高的材料,热导率达硅(Si)13倍、碳化硅(Sic)4倍,铜和银4-5倍,并具有超宽禁带半导体优异特质,被视为“第四代半导体”或“半导体终极材料&rdquo...

1、 钻石:“终极”半导体材料,“六边形战士

1.1、 散热革命成为 AI、HPC 时代的最大挑战

散热革命已成为 AI、HPC 时代的最大挑战。电流通过导体时会生成焦耳热,芯 片在运行过程中不可避免地产生大量热量,若无法及时散发,芯片温度将急剧上升, 进而影响其性能和可靠性。热流密度(热通量)指的是每单位面积传递的热量,随 着半导体产业遵循着摩尔定律逐步迈向 2 纳米、1 纳米甚至是埃米(Angstrom,1 埃 =十亿分之一米)级别迈进,尺寸不断缩小,功率不断增大,带来了前所未有的热管 理挑战。同时,云计算、加密计算和人工智能等需求的增长,芯片的 TDP(热设计 功耗)持续上升,2023 年已出现接近 1000W 的高功率芯片,未来的芯片热流密度可 能达到 1000W/cm²,热流密度越来越高,摩尔定律受到散热挑战。

芯片内部热量无法有效散发时,局部区域会形成“热点”,导致性能下降、硬件 损坏及成本激增。(1)性能下降:据《C a b o n t e c h Ma g a z i n e》,当电子设备温 度过高时,工作性能会大幅度衰减,当芯片表面温度达到 70-80℃时,温度每增加 1℃, 芯片的可靠性就会下降 10%。AI 硬件的高功率需求下,过热限制了硬件性能的发挥, 阻碍了芯片的理论性能实现。(2)设备失效:芯片温度每升高 10℃,其运行寿命减 半,超过 55%的设备故障与过热直接相关。(3)成本激增:企业每年需投入数亿美 元在散热系统上,包括大量消耗能源和资源的冷却系统(如液冷、风冷等),不仅增 加了运营成本,也加剧了能源消耗;(4)安全隐患:极端情况下,温度过高可能引 发火灾等严重事故,给设备和人员安全带来威胁。

英伟达 Blackwell 处理器面临的热挑战。2024 年 11 月 18 日,《The Information》 报道称,英伟达新一代Blackwell处理器在高容量服务器机架中存在严重的过热问题, 导致设计调整和项目延期,引发了谷歌、Meta 和微软等主要客户的担忧。Blackwell GPU 专为人工智能(AI)和高性能计算(HPC)设计,配备 72 颗处理器的服务器中, 过热限制了性能,并可能损坏硬件。每个机架的功耗高达 120 千瓦,给散热带来了 巨大挑战,迫使英伟达多次重新评估服务器机架设计,以确保 GPU 性能和组件的稳 定性。除了 GPU 和服务器机架的过热问题,英伟达还曾遇到 HBM 内存的过热问题。 三星的 HBM3 和 HBM3E 内存面临过热和功耗问题,未能通过英伟达的测试,过热 问题直到几个月后才解决。

发展新一代散热材料,减少散热风险、解决全生命周期散热成本,成为未来关 键突破点。现有的散热材料、导热界面材料(TIM)、热管和均热板等具有一定的导 热性能,但其热导率仍难以满足高功率器件的需求。发展新散热材料迫在眉睫,让 芯片运行效率更快而没有过热的风险,并减少全生命周期的散热成本,已成为解决 高算力设备散热问题的关键。

1.2、 钻石:“终极”半导体材料,“六边形战士”

半导体材料发展演变之路:从“沙子”到“钻石”。自 20 世纪 50 年代以来,半 导体行业经历了多个技术阶段,从第一代半导体材料硅(Si),逐步向第三代半导体 金刚石(又称“第四代半导体”)、碳化硅(SiC)及氮化镓(GaN)等演化。 第一代半导体材料(1950s-至今):自 1959 年硅晶片问世以来,硅和锗(Ge) 成为了半导体材料的主力,广泛应用于集成电路和电子器件中。尽管硅材料为半导 体技术的发展做出了巨大贡献,但其物理特性(如较低的带隙)限制了其在高频和 高功率领域的应用。 第二代半导体材料(20 世纪末):随着技术需求的升级,第二代半导体材料开始 出现,代表材料包括砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)。这些材料具备较高的电子迁 移率和更宽的带隙,使得其在高频、高速和光电应用中具有优势。然而,GaAs 和 InP 的高成本和毒性问题限制了它们的广泛应用。 第三代半导体材料(21 世纪初至今):进入 21 世纪后,半导体行业的研究焦点 逐渐转向了第三代宽禁带半导体材料,这些材料具有更宽的带隙、更高的热导率和 更强的抗电压击穿能力,以金刚石、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等为主第三代半导体 材料成为热点。 尽管部分分类中金刚石属于第三代半导体,但拥有比第三代半导体材料更卓越 的特性,包括更宽的禁带宽度(5.5 eV)以及更卓越的电学和热学性能,因此又被视 为“第四代半导体”、“超宽禁带半导体”或“终极半导体材料”。

金刚石作为一种超宽禁带半导体,基于优异的导热性、载流子迁移率、击穿电 场强度等关键特性,被视为半导体材料“六边形战士”及“终极半导体”。 1. 导热性:金刚石的热导率是已知最高的材料之一,达到 2000 W/m·K,是硅(Si)、 碳化硅(Sic)和砷化镓(GaAs)的 13 倍、4 倍和 43 倍,铜和银 4-5 倍。在热导率 要求为 10~200 W/(m·K)之间时,金刚石是唯一可选的热沉材料。作为芯片基板时, 金刚石也能更有效地将热量从处理器中带走,让器件拥有更高的性能,并实现轻量 化和小型化。 2. 禁带宽度与击穿电场:金刚石的禁带宽度达到 5.47 eV,其击穿电场强度为 10^9V/m,是砷化镓的 17 倍、氮化镓的 2 倍、碳化硅的 2.5 倍。宽禁带特性使金刚 石在高温、高压、高频等极端环境下具有优异的耐电强度,能够承受更高的电压, 广泛应用于高压电力设备、射频器件等高性能领域。 3. 载流子迁移率:金刚石具有极高的载流子迁移率,电子迁移率为 4500 cm²/V·s, 空穴迁移率为 3800 cm²/V·s,显著优于硅、砷化镓和氮化镓等常见半导体材料。其强 大的共价键和稳定的晶格结构,使电子在金刚石中能够以极高的速度运动,大幅降 低电阻和损耗,提升高频电子器件的性能,适用于高频通信、雷达系统等需要高速 信号处理的应用。 4. 绝缘性:金刚石具有宽广的能带间隙,具备出色的绝缘性能,能够有效防止 电子跃迁,保证设备在高压、高温等极端环境下的稳定工作。作为一种优秀的绝缘 体,金刚石能够使器件在较低温度下以更高功率运行,实现了更高的热效率,成为 理想的高效半导体材料。

相较于第三代半导体,单晶金刚石(SCD)和多晶金刚石(PCD)材料优势更 为显著。金刚石衬底能够有效解决 GaN 功率器件面临的散热难题,从而在相同尺寸 下,制造出具有更高功率密度的 GaN 基功率器件,显著提升器件的性能和稳定性。 与硅(Si)相比,金刚石芯片可以使转换器轻 5 倍,体积更小;与碳化硅(SiC)相 比:成本可以便宜 30%,所需的材料面积仅为 SiC 芯片的 1/50,减少 3 倍的能量损 耗,并将芯片体积缩小 4 倍,从而大幅降低能耗。在注重系统体积和重量时,通过 提升开关频率,金刚石器件能够使无源元件的体积减少 4 倍,同时配合更小的散热 器。

金刚石作为散热材料主要有三种方式:作为金刚石衬底、作为热沉片、以及通 过在金刚石结构中引入微通道散热。随着芯片集成度的提高和封装空间的紧缩,金 刚石基板凭借其卓越的导热性能、高硬度和强度,能够在有限空间内为芯片提供支 撑和保护,同时通过其低热膨胀系数,确保高密度组装环境下芯片之间的连接稳定 性不受温度波动影响。相比传统 SiC 衬底,金刚石基板将器件热阻降低至 4.1 K·mm/W,在 2W 功率下可使芯片温度下降 10℃,为芯片构建了高效稳定的散热基 础。Akash Systems 推出的 GaN-on-diamond 射频功率放大器,相较于 GaN-on-Sic, 采用 GaN-on-diamond 制程的晶体管温度降低了 30 多度。

2、 钻石散热:高算力时代的“终极”方案,打开 AI 潜力的钥 匙

钻石基于独特电学和热导的优势,散热前景非常广阔。钻石散热方案有望在高 效能电子产品、量子计算中发挥重要作用,未来每台电脑、汽车和手机都有望装上 钻石。

2.1、 AI、HPC:钻石芯片性能提升三倍,温度降低 60%

钻石散热技术可让 GPU 计算能力提升三倍,温度降低 60%。随着芯片性能的 提升,功率增加导致的积热问题成为制约 CPU、GPU 性能的瓶颈,钻石冷却技术被 视为有效的解决方案。钻石基板具有超高的热导性,可以大幅提升芯片散热效果。 根据 DF 公司描述,钻石晶圆通过在芯片内提供超高速的热量通道,有助于将热量更 快速地从活跃硅层传递到铜层,提升人工智能和云计算领域的芯片速度 3 倍。Akash Systems 提出的“钻石冷却 GPU”技术可以有效降低 GPU 热点温度 10-20 摄氏度,风扇速度减少 50%,超频能力提升 25%,并延长服务器寿命一倍,预计可为数据中 心节省数百万美元的冷却成本,同时温度降低高达 60%,能耗降低 40%。

英伟达率先采用钻石散热 GPU 进行测试实验,性能是普通芯片的三倍。据 Diamond Foundry 官网,图中显示英伟达钻石散热 GPU,可使 AI 及云计算性能提升 三倍。据报道,英伟达率先在未发布的高端 GPU 进行采用金刚石散热方案的测试实 验,其性能是基于标准制造材料的普通芯片的三倍。

2.2、 电动汽车:钻石纳米膜,将电动汽车充电速度提升五倍

超薄钻石纳米膜助力电动汽车充电速度提升 5 倍,热负荷降低 10 倍。2024 年 3 月,弗劳恩霍夫研究所的工程师开发了一种超薄钻石纳米膜,用于冷却电子元件, 从而显著提升电动汽车的充电速度。钻石因其卓越的导热性和电绝缘性,可以替代 传统散热器中的中间层。该钻石纳米膜仅 1 微米厚,能够轻松粘合到电子元件上。 研究人员估计,钻石纳米膜可以将电子元件的热负荷降低 10 倍,这当然会提高这些 元件和整个设备的能源效率和使用寿命。研究小组表示,如果将这种薄膜整合到充 电系统中,可以将电动汽车的充电速度提高五倍。由于金刚石纳米膜可以在硅晶片 上制造,因此其生产过程具有较强的规模化潜力,适合工业应用。该团队已为该技 术申请了专利,并计划未来在电动汽车和电信领域的逆变器及变压器上进行测试。

基于钻石技术的逆变器体积小六倍,性能更卓越。在电动汽车领域,逆变器是 关键组件之一。目前,特斯拉的 Model 3 逆变器被认为是业界最小型的逆变器。然 而,基于钻石晶圆的卓越导热性和电绝缘性,创新的逆变器架构能够显著提升小型 化、效率和稳定性。据 DF 公司称,他们所开发的新型逆变器比特斯拉 Model 3 的逆 变器小了六倍,同时在性能和效率上也有所超越。DF Perseus 原型的第一批样品已在 主要汽车 OEM 实验室中成功测试。

Orbray 与丰田旗下车载半导体研发企业 Mirise Technologies 签订协议,共同 研发钻金刚石功率半导体。日本 Orbray 宣布与丰田旗下的 Mirise Technologies 签订 三年合作协议,共同研发基于金刚石的功率半导体,专为电动车需求而设计。根据 协议,Orbray 将负责开发 P 型导电性金刚石晶圆基板,而 Mirise 将专注于功率元 件中的持续耐电压结构。作为合作的一部分,Orbray 将投资 100 亿日元(约 5 亿 元人民币)建设新的工厂,生产金刚石晶圆基板等电动汽车零部件。此外,Diamfab 公司也致力于推广金刚石在电动汽车中的应用,近期为电动汽车研发了全金刚石电 容器,并预计在未来十年所有电动汽车都会出现钻石。

2.3、 太空卫星:增强通讯速度,数据速率提高 5-10 倍

钻石冷却增强太空卫星通讯速度,数据速率提高 5-10 倍。Akash Systems 通过 钻石冷却卫星无线电彻底改变了卫星通信技术,在卫星无线电和功率放大器的生产 中发挥关键作用,带来以下优势:数据速率提升 5 到 10 倍,显著增强卫星通信速度; 可靠性提升,可在严酷的太空环境中保持稳定表现;尺寸减小 50%,降低了成本并 提升了部署的灵活性。印度太空科技初创公司 Pixxel 的联合创始人兼 CEO Awais Ahmed 称,将 Akash 的 GaN-on-Diamond 无线电集成到自家卫星中是一次革命性 进展,金刚石冷却技术能够确保即使在恶劣的太空条件下,卫星有效载荷也能保持 最佳性能。这一技术突破有望提供前所未有的高分辨率、高光谱图像。此外,日本 佐贺大学于 2023 年 12 月宣布,将金刚石半导体技术应用于太空通信的微波传输领 域,进一步推动了这一技术在航天领域的应用。

2.4、 无人机:解决无人机续航问题,无需大电池也能飞行

人造钻石解决无人机续航问题,无需大电池也能飞行。2018 年 11 月,瑞士公司 LakeDiamond 利用自制的人造钻石和激光发生器相结合,成功实现了无人机的远程 无线充电。通过激光激发钻石,产生的光束能够在远距离内保持高质量的照射效果。 该技术使得电源地面供电网络增强,避免了无人机携带大电池所带来的能量浪费, 从而实现更远的飞行距离。如果激光充电技术按此效果运行,无人机将在不依赖重 型电池的情况下飞行数百英里。LakeDiamond 表示,一架手掌大小、耗电 2 到 3 瓦、 飞行时间为 30 分钟的无人机,仅需 1 分钟就能充满电。

2.5、 量子计算、核处理等领域应用潜力突出

除了半导体和电动汽车外,钻石散热还在量子计算、核处理等方面打开应用潜 力。

1、量子计算:金刚石正在成为量子信息设备的核心材料。金刚石的独特物理特 性,尤其是其氮-空位(NV)色心,使其成为量子比特的理想载体。NV 色心包含六 个电子,其中两个来自氮原子,三个来自与空位相邻的碳原子,剩余的一个则是来 自施主杂质的俘获电子。NV 色心的电子自旋状态可以表示量子比特的 0 和 1,具有 卓越的量子相干性和稳定性。通过金刚石的特殊结构,科学家们实现了量子互联的 突破,显著提高了数据传输速率和安全性。金刚石在量子计算、量子通信和量子精 密测量等领域发挥关键作用。此外,印度也看到了量子计算领域的重要性,并计划 投资 42 亿卢比建立“国家培育钻石中心”,旨在通过培育钻石的生产和设备技术开 发,推动量子计算领域的研究。

2、核处理:金刚石具有强大抗辐射能力,助力核废料清除。由北海道大学和国 立产业技术综合研究所(AIST)孵化的初创公司 Ookuma Diamond Device,正在福 岛县大隈市建设一座大型量产工厂。该工厂预计将在 2026 财年(2026 年 4 月至 2027 年 3 月)投入使用,专门为福岛第一核电站的核废料清除提供设备。这些核废料源 自 2011 年福岛核泄漏事故中反应堆结构和核燃料熔化产生的高放射性物质,只有具 有强大抗辐射能力的金刚石半导体设备才能有效处理这些危险废料。

3、 产业化进入“从 0 到 1”阶段,培育钻石产业链大放异彩

3.1、 全球加速钻石散热应用落地,产业化进入“从 0 到 1”阶段

3.1.1、 钻石散热产业化曾受到技术、成本双重挑战

金刚石芯片产业化曾受制于技术、成本两方面的挑战: (1)并非所有类型的金刚石都适合用于制造芯片。金刚石分为不同的等级,如 量子级、电子级、光学级、热学级和力学级,主要依据位错密度和含氮量等参数来 区分。用于芯片的金刚石必须达到电子级以上的纯度要求,这对材料的选择和提纯 工艺提出了较高的要求。 (2)金刚石芯片的掺杂技术仍存在瓶颈。纯净的金刚石本身是绝缘体,必须通 过掺杂来实现半导体性质。尽管 p 型掺杂技术已经相对成熟,主要采用硼(B)作为 掺杂元素,但 n 型掺杂仍是难以突破的产业化难题。由于 n 型掺杂元素在金刚石中 的电离能较高,且合适的施主元素尚未找到,这使得 n 型掺杂的技术进展缓慢,阻 碍了金刚石芯片的进一步发展。(3)在成本方面,人造金刚石的价格依然高昂,成为制约金刚石芯片产业化面 临的主要难题。相比之下,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)的价格虽然高于硅材料, 但在大规模应用中能够通过提升效率来弥补其材料成本的差距。然而,金刚石芯片 的材料成本几乎是硅的 10000 倍,导致其成本高于现有的半导体材料,这使得金刚 石芯片在产业应用中面临较大挑战。

3.1.2、 应用落地加速,获美国芯片法案支持,华为坚定入局

Akash Systems 已获得美国芯片法案支持,体现了对钻石散热前景的充分认可。 2024 年 11 月,Akash Systems 公司与美国商务部,签署了一份不具约束力的初步条 款备忘录(PMT),根据《芯片与科学法案》提供 1820 万美元的直接资助和 5000 万美元的联邦和州税收抵免。Akash Systems 钻石冷却技术将 GPU 温度降低 20 度, 超频潜力提升 25%,并计划生产人造钻石晶圆。CHIPS 法案为美国半导体行业大规 模投资,小公司和初创公司常不在资助名单上,体现了对钻石散热前景的充分认可。 全球首款碳-14 钻石电池有望供电数年,全球产业应用落地加速。2024 年 12 月 4 日,据英国布里斯托大学官网,该校和英国原子能管理局的研究团队研制出全球首 款碳-14 钻石电池,这款电池有望为设备供电数年。碳-14 钻石电池的工作原理十分 巧妙。它利用半衰期为 5700 年的碳-14 的放射性衰变,来产生低水平的能量,从钻 石结构中捕获快速移动的电子。团队表示,钻石电池不仅安全可靠,而且可持续提 供微瓦级电力。未来应用领域包括医疗设备(眼部植入物、助听器和起搏器等,最 大限度地减少更换电池的频率)、太空和地球上的极端环境中。

华为接连申请公布“钻石散热”相关专利,坚定入局。2024 年 12 月,华为申 请公布使用金刚石散热层的半导体器件专利。在本申请的半导体器件中,钝化层位 于第一外延层和金刚石散热层之间,钝化层朝向金刚石散热层的一侧表面设置有凹 槽,该结构不仅可以增加金刚石散热层与钝化层的接触面积,从而增加金刚石散热 层与钝化层之间的结合力,并且还可以减小栅极与金刚石散热层之间沿半导体器件 的厚度方向的热扩散距离,大幅提高半导体器件的散热效率。2023 年 10 月,华为与 哈尔滨工业大学联合申请公布一项专利《一种基于硅和金刚石的三维集成芯片的混 合键合方法》。通过采用混合键合方法,可以实现硅和金刚石的高效集成,将芯片产 生的热量快速地导出,并减少热阻,从而提高芯片的散热效率,提高芯片的性能和 可靠性。我们认为,华为布局钻石散热相关技术,体现了对技术产业潜力的充分认 可,并有望在未来的高性能计算、5G 通信、人工智能等领域有着广泛的应用。

3.1.3、 化合积电:钻石散热已实现规模化生产,产业化进入“从 0 到 1”阶段

化合积电:专注于金刚石半导体材料的公司。化合积电(厦门)半导体科技有 限公司成立于 2020 年,主要产品包括多晶金刚石(晶圆级金刚石、金刚石热沉片、 金刚石窗口片、金刚石基异质集成复合衬底)、单晶金刚石(热学级、光学级、电子 级)、GaN on Diamond、Diamond on GaN、硅基氮化铝、蓝宝石基氮化铝、金刚石基 氮化铝等,广泛应用于航空航天、电力电子、光通讯、新能源光伏、新能源汽车、 传感器、Al、IGBT 等领域。公司在厦门和首尔设有两大研发中心,研发基地近 1000 平方米,配备全球领先的设备,并与中国集美大学和韩国亚洲大学进行国际技术合 作,已建立独立的知识产权体系,目前累计申请 20 多项专利。2024 年 3 月,化合积 电获得贺利氏集团的战略投资,用于大尺寸多晶金刚石量产线建设及新产品研发。 此外,化合积电还申请了名为“金刚石/单晶硅复合立体基板、其制备方法与应用” 的专利,旨在改善 GPU 等高发热率器件的散热性能,提升运算性能与寿命,并降低 单位算力成本。目前,化合积电未上市,国内上市公司光莆股份有持股。

化合积电的金刚石等核心产品已实现批量化生产,公司在厦门建设了超过 3000 平方米的生产基地,掌握了大尺寸、低成本、高质量金刚石和氮化铝相关产品的制 备与加工核心工艺,持续扩展生产规模,产能迅速提升。据公司官网,化合积电是 国内首家实现 MPCVD 技术规模化量产多晶金刚石的厂家,主要生产设备包括 MPCVD、PVD、MOCVD 等。目前,公司已经拥有一系列成熟产品,如金刚石热沉 片、金刚石晶圆、金刚石窗口片、金刚石异质集成复合衬底等,金刚石热沉片的热 导率为 100-220W/(m),晶圆级金刚石的表面粗糙度 Ra<1nm。这些产品已广泛应用 于航空航天、高功率半导体激光器、光通信、芯片散热和核聚变等领域。我们认为, 化合积电具备较为完整的金刚石半导体材料解决方案,并能够实现规模化生产和批 量供应,标志着钻石散热产业链“从 0 到 1”逐步走向成熟。

3.2、 我们测算未来钻石散热市场空间约 152 亿美元,开启新一代散热革 命

我们测算 2025 年钻石散热市场规模 0.5 亿美元,2030 年增长至 152.4 亿美元, 复合增速 214%,主要行业包括数据中心、电动汽车、太空卫星、无人机以及未来人 形机器人。此外,钻石散热在芯片基板、量子计算等领域拥有突出潜力。我们的具 体测算如下: (1)我们预计钻石散热在数据中心市场规模由 2025 年的 0.2 亿美元(渗透率 0.1%),增长至 2030 年的 48 亿美元(渗透率 12%),年复合增速 202%。数据中心 运算量大,散热需求比较靠前,我们对钻石散热在数据中心领域的市场测算分析如 下: 2023 年全球数据中心 343 万座,建造规模 2600 亿美元。据 Fortune Business Insights数据,2023年全球数据中心数量为343 万,预计到2027 年增长到约360 万, 2023-2027 年复合增长率约为 1.2%。从建造规模看,2023 年全球数据中心建造市场 2599.7 亿美元,预计 2028 年增长至 3482.3 亿美元,2023-2028 年复合增速为 7.6%。

在数据中心的建造成本中,冷却系统(热管理)占比 15%-20%,随着算力的发 展,冷却系统的价值量还有望持续提升。温控系统的能耗占数据中心非 IT 能耗的80%, 是其运营成本中的主要组成部分。随着双碳目标的推进,PUE(电能使用效率)的 要求逐步趋严。 钻石散热技术有望实现 PUE 目标,Akash Systems“钻石冷却”技术提升 GPU、 CPU 的计算能力 3 倍,降低温度 60%,减少能耗 40%,为数据中心节省数百万美 元的冷却成本,基于性能及成本的卓越优势,渗透率有望逐步提升。

2024 年全球数据中心热管理市场规模 166 亿美元,液冷技术渗透率约 17%。根 据 R&M 数据,2024 年全球数据中心热管理市场规模为 165.6 亿美元,到 2029 年预 计将增长至 345.1 亿美元,2024-2029 年 CAGR 为 15.8%。从技术渗透率来看,Omdia 预计 2023 年数据中心风冷和液冷市场规模为 76.7 亿美元,其中液冷的渗透率约为 17%。 散热技术越来越贴近核心发热源,从房间级、机柜级、服务器级向芯片级演进。 作为新型热管理方案,我们认为钻石散热技术能够从根本上解决热量问题,降低能 耗、提升性能,并有效减少全生命周期的散热成本。与传统的液冷和风冷系统相比, 钻石散热兼容两种,具有显著的优势。

我们预计钻石散热在数据中心市场规模由2025年的0.2亿美元(渗透率0.1%), 增长至 2030 年的 48 亿美元(渗透率 12%)。钻石散热作为下一代散热技术,一旦成 熟有望大规模铺开。根据前文对全球数据中心数量、建造规模及热管理市场规模的 预计,结合我们对钻石散热在全球数据中心热管理市场渗透率,由 2025 年 0.1%提升 至 2030 年 12%,我们预计钻石散热在数据中心市场规模由 2025 年的 0.2 亿美元,增 长至 2030 年的 48 亿美元。

(2)新能源汽车:我们预计钻石散热在新能源市场规模由 2025 年的 0.1 亿美 元(渗透率 0.05%),增长至 2030 年的 52 亿美元(渗透率 10%),年复合增速 241%。 钻石芯片凭借卓越的热导性,新能源汽车热管理应用前景广阔。电动汽车需要 散热以有效管理电池、逆变器和功率电子器件等关键部件产生的热量,确保系统高 效运行和延长使用寿命。据乘联分会,2024 年 1-10 月份世界汽车销量达到 7421 万 台,新能源汽车达到 1407 万台,全年销量有望超 1600 万台,新能源车渗透率达到 19%,预计2030 年全球新能源汽车渗透率预计达到 50%左右。钻石芯片凭借其卓越 的热导性,可广泛应用于新能源汽车的逆变器、电池管理系统(BMS)、功率电子器 件和充电系统等热管理领域,提升散热效率并确保系统稳定性。据弗劳恩霍夫研究 所,超薄钻石纳米膜助力电动汽车充电速度提升 5 倍,热负荷降低 10 倍。基于钻石 技术的逆变器体积小六倍,性能更卓越。

新能源汽车热管理 ASP 量显著高于传统燃油车,约为 7000 元左右。据华经产 业研究院,由于新能源汽车热管理系统较传统汽车新增冷却板、电池冷却器、电子 水泵、电子膨胀阀、 PTC 加热器或热泵系统等,传统汽车热管理核心组件单车价值 量约为 2,300 元,新能源汽车提升热管理单车价值量至 7000 元左右,新能源汽车热 管理系统单车价值量约是传统燃油车的 3 倍左右。

我们预计钻石散热在新能源市场规模由 2025 年的 0.1 亿美元(渗透率 0.05%), 增长至 2030 年的 52 亿美元(渗透率 10%)。根据前文全球新能源汽车渗透率及热管 理 ASP 的预计,结合我们对钻石散热在新能源汽车市场渗透率,由 2025 年 0.05%提 升至 2030 年 10%,我们预计钻石散热在新能源汽车市场规模由 2025 年的 0.11 亿美 元,增长至 2030 年的 52 亿美元。

(3)消费电子:我们预计钻石散热在消费电子市场规模由 2025 年的 0.16 亿美 元(渗透率 0.05%),增长至 2030 年的 38 亿美元(渗透率 10%),年复合增速 197%。 AI 技术推动消费电子散热需求的增长。随着 AI 技术的加入,消费电子的算力 需求不断增加,相应的散热需求也显著提升。2023 年,全球智能手机出货量达到了 11.7 亿台,平板电脑为 1.3 亿台,电脑出货量为 2.5 亿台。根据 Counterpoint Research 的数据显示,预计到 2027 年,AI 手机的市场占比将达到 43%。目前,PC 散热器的 价值约为 100-200 元(包括 VC+风扇),高于早期 PC 散热器的价值(约 30-60 元, 热管+风扇)。我们认为,随着 AI 带来热功耗的增加,散热面积的扩大,消费电子散 热器 ASP 仍有望继续增长。

我们预计钻石散热在消费电子市场规模由2025年的0.16亿美元(渗透率0.05%), 增长至 2030 年的 38 亿美元(渗透率 10%)。根据前文全球消费电子出货量及热管理 ASP 的预计,按照未来消费电子销量 CAGR 3%,结合我们对钻石散热在消费电子市 场渗透率,由 2025 年 0.05%提升至 2030 年 10%,我们预计钻石散热在消费电子市 场规模由 2025 年的 0.16 亿美元,增长至 2030 年的 38 亿美元。

(4)卫星通讯:我们预计钻石散热在卫星通信市场规模由 2025 年的 0.02 亿美 元(渗透率 0.05%),增长至 2030 年的 11 亿美元(渗透率 10%),年复合增速 265%。 2024 年全球卫星通信设备市场规模为 379.4 亿美元。卫星通信设备的应用领域 广泛,涵盖了军事、航空、航天、海洋、交通、能源和通信等多个行业。据贝哲斯 咨询的数据,2024 年全球卫星通信(SATCOM)设备市场的规模预计为 379.4 亿美 元,并预计到 2029 年将增长至 918.8 亿美元。 钻石散热技术在卫星通信领域展现出显著优势。Akash Systems 通过钻石冷却技 术,彻底改变了卫星无线电的散热方式,实现了数据速率提升了 5 到 10 倍、增强了 卫星设备的可靠性、尺寸缩了 50%,有望为卫星提供前所未有的高分辨率和高光谱 图像。基于钻石散热的优异特性,我们认为未来该技术有望在卫星通信领域的渗透 率持续提升。

我们预计钻石散热在卫星通信市场规模由2025年的0.02亿美元(渗透率0.05%), 增长至 2030 年的 11 亿美元(渗透率 10%),年复合增速 265%。根据全球全球卫星 通信设备市场规模及预计,参考数据中心热管理比例,结合我们对钻石散热在全球 卫星通讯市场渗透率,由 2025 年 0.05%提升至 2030 年 10%,我们预计钻石散热在 消费电子市场规模由 2025 年的 0.02 亿美元,增长至 2030 年的 11 亿美元。

(5)无人机:我们预计钻石散热在无人机市场规模由 2025 年的 0.01 亿美元(渗 透率 0.1%),增长至 2030 年的 2.6 亿美元(渗透率 10%),年复合增速 184% 2024 年全球无人机动力系统市场规模 61.7 亿美元。据 Mordor Intelligence 数据, 2024 年无人机动力系统市场预计将在 61.7 亿美元,预计 2029 年增至 81.9 亿美元, 2024-2029 年复合年增长率为 5.8%。无人机动力系统续航能力提升一直在业界关注 焦点。金刚石是极好的热导体并且对光透明,可以吸收产生大量热量的高密度激光 束,无人机仅需 1 分钟就能充满电,解决续航问题。

我们预计钻石散热在无人机市场规模由 2025 年的 0.01 亿美元(渗透率 0.1%), 增长至 2030 年的 2.6 亿美元(渗透率 10%),年复合增速 184%。参考 R&M 对无人 机动力系统市场的预计,结合热管理系统占数据中心投入 20%左右,考虑到钻石技 术有望解决无人机核心的续航问题,技术成熟后有望大规模使用,热管理比重在无 人机中比例有望提升。结合我们对钻石散热在无人机市场渗透率,由 2025 年 0.1% 提升至 2030 年 10%,我们预计钻石散热在无人机市场规模由 2025 年的 0.01 亿美元, 增长至 2030 年的 2.6 亿美元。

(6)人形机器人:我们预计钻石散热在人形机器人市场规模由 2025 年的 3 万 美元,增长至 2030 年 1 亿美元,年复合增速 425% 人形机器人由于其复杂的结构、强大的计算能力和高密度的传感及执行系统, 对散热提出了更高的要求。特别是在高性能计算和高功率消耗的组件中,散热的效 果直接影响机器人的效率和可靠性。由于其复杂的结构和高功率需求,人形机器人 多个关键部件如中央处理单元(CPU)、电池管理系统、AI 处理单元和通讯模块等都 会产生大量热量。钻石散热技术凭借其卓越的热导性,能够有效将这些组件产生的 热量导出,确保机器人在高负荷、高计算量的运行环境中保持稳定性能,防止过热 导致系统不稳定。特别是在高功率计算、精密运动控制和长时间工作的需求下,钻 石散热提供了高效的热管理解决方案,提升机器人的运行效率、可靠性和寿命。

我们预计钻石散热在人形机器人市场规模 2030 年约 1 亿美元。相对于新能源汽 车,人形机器人对续航有着更高的要求,钻石散热不仅有助于提高续航,对于性能 提升也十分关键。参考新能源车热管理 ASP 7000 元人民币,我们预计人形机器人热 管理价值量与车相近,ASP 约 7000 元人民币,参考人形机器人量产后售价 2 万美金, 热管理约占人形机器人成本 5%。据特斯拉预计 2025 年 Optimus 人形机器人将超过 1000 个,结合 GGII 预测 2030 年全球人形机器人市场规模 200 亿美元,按照 2 万美 金一台计算,则 2030 年人形机器人销量预计为 100 万台。我们按照 2025-2030 年全 球人形机器人销量分别为 0.1/5/10/30/60/100 万台测算,结合我们对钻石散热在人形 机器人市场渗透率,我们预计钻石散热在人形机器人市场规模 2030 年约 1 亿美元(渗 透率 10%)。尽管这一数值相对较小,但考虑到人形机器人的应用前景,人形机器人 钻石散热市场有望随量产指数级增长。

综合以上分析,我们测算 2025 年钻石散热市场规模 0.5 亿美元(渗透率不足 0.1%),2030 年增长至 152.4 亿美元(渗透率 10.6%),复合增速 214%。随着高功 率处理能力的需求急剧增加,越来越多的设备需要处理和管理更高的功率负荷和能 量密度。钻石散热具有从源头解决散热问题、提升运算速度、节省能源和运营成本、 兼容风冷和液冷技术等诸多优势,成为新一代散热解决方案。我们认为随着钻石散 热产业链逐步成熟,渗透率有望呈现非线性增长。按渗透率 5%/10.6%/15%测算, 钻石散热市场空间分别为 72/152/217 亿美元。

3.3、 培育钻石产业链有望大放异彩

3.3.1、 中国人造钻石产能全球第一,极致成本优势助力金刚石散热产业化

中国人造钻石产能全球第一,极致成本优势助力金刚石散热产业化。2020 年, 我国人造金刚石的产量突破 200 亿克拉,占全球总产量的 90%以上。其上游专用制 造设备中的六面顶压机几乎全部由我国生产,专用 MPCVD 设备的全球市场份额约 为 50%;立方氮化硼的产量约为 6 亿克拉,占全球产量的 75%;大尺寸人造金刚石单晶的产量超过 1500 万克拉,全球占比接近 50%;复合超硬材料的全球份额也超过 50%。在下游应用方面,金刚石线锯的市场份额达到 95%以上,石材和陶瓷领域使 用的金刚石切磨抛制品占比超过 60%。当下,金刚石散热大规模产业化一大难点在 于低成本金刚石制造方法,在我国自主研发的六面顶压机技术的加持下,国产人造 钻石的成本做到了世界最低,助力金刚石散热产业化。

美日钻石散热技术领先全球,但对中国金刚石进口依赖较大。根据超硬材料协 会数据,2019 年美国进口的金刚石中,中国占比 81%,美国进口镀衣金刚石,中国 占比 99%,美国进口进口细金刚石,中国占比 91%,美国进口粗金刚石,中国占比 50%。美国进口金刚石砂轮,中国占比 34%,美国进口金刚石节块磨轮,中国占比 32%;美国进口各种金刚石工具中,中国占比约 26%。此外,2019 年日本进口金刚 石中,55%来自中国。

培育钻石产业链包括“设备制造+毛坯生产”两大环节。 1、设备制造端主要公司:国机精工、辽宁鑫源等。培育钻石 HTHP 法(高温高 压法)的核心设备是六面顶压机,中国在该领域的技术水平居全球领先地位,但由 于设备厂商扩产意愿受限,压机的供应量相对稳定。CVD 法(化学气相沉积法)主 要采用 MPCVD 流派(日本 SEKI 技术较为先进),全球设备数量增长迅速,国产设 备技术水平也显著提升。 2、毛坯生产端主要公司:力量钻石、中兵红箭、黄河旋风、四方达、惠丰钻石、 沃尔德等。全球 HTHP 法与 CVD 法的产能比例约为 6:4,其中 HTHP 法的产能主要 集中在中国,且在生产小克拉钻石方面具备成本与效率优势;而 CVD 法的产能则较 为分散,中国、印度、美国等国都有一定份额,且在生产大钻石、彩钻和异形钻石 方面具有技术优势。

我国培育钻石生产企业积极布局培育钻石产能。从我国培育钻石主要企业产能 规划看,目前我国培育钻石产能规划最多的公司为力量钻石,2022 年规划产能超 200 万克拉。此外,国内多家培育钻石企业推进新产能项目,力量钻石、中晶公司、沃 尔德、国机精工、富耐克等公司积极布局培育钻石新增产能项目。中晶公司、沃尔 德、国机精工、富耐克等公司也纷纷扩产培育钻石生产领域。其中沃尔德计划投资 3.3 亿元,重点建设一条年产 20 万克拉的培育钻石生产线。力量钻石在 2022 年发布 的股票募投项目中,计划利用募集资金采购 1800 台六面顶压机(生产金刚石的核心 设备),投入培育钻石生产制造,旨在加快提高产量。

3.3.2、 国内培育钻石企业积极布局“钻石散热”技术,并取得突破

国内培育钻石积极布局“钻石散热”技术,在半导体衬底、薄膜及热沉方面取 得突破。国内培育钻石企业在散热领域加速布局,依托 CVD 和 HTHP 技术,广泛应 用于半导体芯片、5G 射频、AI 等高端领域的散热材料开发。力量钻石、沃尔德、国 机精工、中兵红箭、黄河旋风、惠丰钻石及四方达等公司,依托金刚石优异的特性, 在人造钻石用于半导体衬底、薄膜及热沉方面的应用取得突破。

3.4、 人造金刚石设备和技术已开始出口管制

2024 年 8 月,我国对人造金刚石设备和技术进行出口管制。2024 年 8 月 15 日, 商务部、海关总署决定对锑、超硬材料相关物项实施出口管制。超硬材料相关物项 包括:(1)六面顶压机设备;(2)六面顶压机专用关键零部件,包括铰链梁、顶锤、 合成压力大于 5 千兆帕的高压控制系统;(3)微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD) 设备;(4)金刚石窗口材料;(5)用六面顶压机合成人造金刚石单晶或立方氮化硼 单晶工艺技术;(6)用于制造已列管的六面顶压机设备的技术。超硬材料又被称为 最硬最锋利的“工业牙齿”或“材料之王”,通常是指金刚石和立方氮化硼,立方氮 化硼的硬度仅次于金刚石(硬度分别为 9.5、10)。


(本文仅供参考,不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息,请参阅报告原文。)

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