2023年半导体设备行业专题分析：全球逻辑NANDDRAM扩产周期下，TOP5半导体设备企业成长复盘，先进工艺塑造成长天花板

1.全球市场：逻辑围绕“摩尔定律”，存储围绕“3D 化+价格周期”

1.1.半导体设备：受益逻辑/存储扩产，享超越终端β高增速

拉长时间维度，2009 年以来，继续受智能手机、IoT 等创新下游驱动，全球半导体产品市 场销售额从 2009 年的 2263 亿美元，增长至 2022 年的 5735 亿元，复合年增速 7.4%。对比 分析产业链各环节主要头部公司 2009-2022 年收入复合增速情况，可以发现，除了受益行 业β的发展，各环节头部公司凭借自身技术等核心壁垒享有超越β的超额增速，设计环节 高通/英伟达/AMD/联发科分别实现年复合增速 11.8%/17.2%/12%/13.2%，存储环节镁光复合 年增速 15.4%，代工环节台积电复合增速 17.3%，设备环节头部企业增速更为显著，ASML/ 应用材料/泛林/东京电子/科磊分别实现复合年增速 19.2%/13.4%/23.4%/9.3%/14.9%。

本质上来看，全球半导体行业是摩尔定律与终端应用创新相互促进下，台式机—移动 PC— 智能手机—AIoT/汽车/高性能计算的创新周期更迭的结果。 反应到半导体设备行业，从下游来看，则直接得益于逻辑（包括代工、IDM 厂等）、DRAM、 NAND 三大主线下游的变革与扩产。因此，我们分别复盘逻辑、存储（DRAM 和 NAND）的扩产 周期，研究其对半导体设备企业的影响，可以发现： 1） 全球成熟工艺扩产阶段，半导体设备厂商完善自身产品布局，凭借行业高壁垒特性形成 卡位优势，收入则围绕终端“库存周期”呈现波动状态；2） 逻辑芯片的扩产重点围绕“摩尔定律”，先进制程给设备公司带来更陡峭的成长曲线； 3） 存储芯片的扩产重点围绕“价格周期”，周期性强，波动相对更大。 4） 技术驱动周期更长，价格周期则相对更短。

1.2.逻辑扩产：围绕“摩尔定律”，先进制程贡献更陡峭成长曲线

以全球晶圆代工龙头台积电为例，拆分复盘历年其营收中各工艺节点扩张和贡献周期： 40/45nm（2009Q1-2011Q2）、28nm（2011Q4-2014Q2 ）、20/16nm（2014Q3-2016Q4）、7nm （2018Q3-2020Q3）、5nm（2020Q3-2022Q4）。

综合资本支出节点，可以发现： 1） 2014 以前：成熟制程演变及扩产期。尤其 2010 年开始进入 28nm 突破期，台积电每年 资本支出明显上升，随着 28nm 逐步扩产，其资本支出从 60 亿美元左右逐步抬升至接近 100 亿美元； 2） 2015-2017：20/16/10nm 扩产期。随着 2015 年下半年 16nm FinFET 制程正式量产，台 积电进入 16nm 扩产及更先进制程研发周期，资本支出超 100 亿美元，再上新台阶； 3） 2018-2022 年：7nm/5nm 扩产期。随着 2018 年台积电 7nm 制程正式量产，逻辑制程进入 EUV 时代，其资本支出高速增长，同时叠加疫情缺芯的加速催化，台积电积极扩产，资 本支出从 2018 年的 105 亿美元增长至 2022 年的 356 亿美元，四年复合增速 36%。

先进工艺设备需求：14nm 扩产所需设备投资额约 28nm 节点 1.6 倍。复盘台积电看历年营收 及资本支出情况，可以验证，随着逻辑制程从 28nm 逐步往先进制程走，其资本支出高速增 长，即每万片晶圆月产能所对应半导体设备投资额大幅上升。根据 IBS 统计，28nm 节点扩 产每万片月产能晶圆所需设备投资额约为 7.9 亿美元，而到 14nm 则约为其 1.6 倍，5nm 则 达到 31.3 亿美元，是 28nm 的四倍左右。 最后，我们回到复盘历年逻辑扩产对半导体设备公司发展的影响，可以发现： 1） 2010-2014 年 28nm 为主的扩产阶段：因 ASML/Lam/TEL/KLA 数据缺失，主要参考 AMAT 逻辑设备销售收入情况，2010-2014 年分别为 39.7/37.3/42.9/39.3/36.2 亿美元，差 异不大。 2） 2015-2017 年 20/16nm 为主的扩产阶段：2015 年，全球 PC 出货放缓、日本经济萎缩等 背景下，半导体行业增速放缓，行业迎来需求低点。2016-2017 年，随着行业需求复苏 以及技术端 FinFET 架构下 16nm 的扩产，半导体设备企业收入迎来修复与增长，到 2017 年，ASML/AMAT/Lam/TEL/KLA 逻辑/代工设备销售收入规模分别达到 34.6 亿欧元 /46.4/27.5/29/20.7 亿美元，可获取历年数据下均创新高。此阶段下，ASML/AMAT/Lam 复合年增速也分别达到 28%/24%/16%。 3） 2018-2022 年 7/5nm 为主的扩产阶段：此阶段，毋庸置疑疫情诱发的全行业的“缺芯” 奠定了行业高景气的基础，而反映到半导体设备端，除了终端需求以外，摩尔定律的迭 代，7/5nm 先进制程设备投资密度的剧增驱动了头部半导体设备企业更陡峭的成长曲线。 2018-2022 年，ASML/AMAT/Lam/TEL/KLA 逻辑/代工部分销售收入复合年增速分别达到 28%/37%/41%/41%/48%，其中尤以全球量检测设备龙头 KLA 增速显著；而 AMAT 也成长为 全球逻辑/代工领域最大设备供应商，2022 年实现逻辑领域设备销售收入 135.7 亿美元。

1.3.存储扩产：围绕“价格周期”，波动相对更大

1.3.1.NAND：3D 化技术+价格周期驱动，刻蚀设备需求大幅增加

2013 年量产端实现 2D 平面到 3D 架构的重大转变，3D NAND 扩产周期开启。1987 年东芝首 先发明 2D NAND 技术，随后得到广泛应用；2007 年，在 VLSI 上东芝又首次提出 3D NAND， 并将之命名为 BiCS，实现了 NAND 从 2D 平面到 3D 架构的重大技术转变。但 3D NAND 真正量 产则由三星实现，2013 年，三星首次量产 24 层 128Gb 的 3D NAND 产品 V-NAND。之后十年 时间，随着技术升级和终端应用对容量要求的提升，3D NAND 垂直堆叠层数及工艺复杂度越 来越高，已突破至 200 层以上。面向未来容量角逐，头部厂商三星、海力士、美光也都公 布了 3xx/4xx/5xx 开发规划。

3D NAND 的扩产和堆叠层数的增加也驱动半导体设备市场高速增长，尤其刻蚀和沉积设备价 值量大幅提升。根据 Yole 测算，2019-2025 年，3D NAND 三大核心工艺设备中，刻蚀设备 市场规模约占 69%-73%，沉积设备则约占 23-24%。在 3D NAND 制造工艺中，刻蚀环节工艺 难点主要在于高深宽比（HAR）刻蚀，而沉积环节工艺难点则在于 ONON 堆栈沉积、硬掩模 沉积以及字线填充。 NAND 光刻需求：以 ArFi、ArF、KrF、I-line 为主，价值量对叠层增加敏感度较小。延展到 制造工艺端，3D NAND 微缩主要体现在垂直方向的堆叠，因此，相对于其他存储和逻辑，其 对光刻要求更加宽松，主要以 ArFi 和 ArF、KrF、I-line 等干法光刻设备为主。根据 ASML 的测算，随着堆叠层数逐步迭代，NAND 所需光刻设备投资增速约为 10%，相较逻辑/DRAM 的 30%/20%，变化较小。

最后，我们回到复盘 3D NAND 扩产周期及对半导体设备公司发展的影响，可以发现： 1） 2013-2018 年：受益 3D 结构化技术驱动，泛林成长为 NAND 设备最大供应商。 2013 年三星首个量产 3D NAND 后，3D NAND 进入扩产周期，渗透率快速提升。受益 3D 结构 化变革，半导体设备企业迎来第一轮高速增长期，至 2017 年下半年市场供需关系发生转变， NAND 价格进入下行通道；反应到半导体设备企业，我们可以看到 AMAT、Lam、TEL 三家几乎 均在 2018Q1 迎来阶段性单季度收入最高点，随后伴随 NAND 价格下行共同经历 2018- 2019H1 的下行周期。 年度来看，在这一轮技术变革驱动的成长周期中，应用材料 NVM 设备销售收入从 2013 年的 12.3 亿美元增长至 2018 年的 35.6 亿美元，CAGR 达 42%；泛林 NVM 设备及服务收入从 2015 年 16.3 亿美元增长至 2018 年的 60.3 亿美元，CAGR 达 55%；东京电子 NVM 设备收入则从2016 年的 10.9 亿美元增长至 2018 年的 35.8 亿美元，三年实现 3 倍多增长。泛林凭借其在 刻蚀方面的优势和沉积设备的拓展，成长为 NAND 设备最大供应商。

2） 2019-2021 年：受益价格周期驱动，AMAT/Lam/TEL NVM 相关收入 CAGR 26%/39%/39%。 2019 年下半年，NAND 市场价格重新进入上行通道，且一直持续到 2022Q1，随后受手机、PC 为代表的消费电子需求走弱影响，NAND 价格由涨转跌。对应我们看到，半导体设备企业季 度营收也陆续从 2019Q3 开始进入上升周期，至 2021Q1/2021Q2 达到阶段性高位。剔除季节性差异分析各季度营收同比增速，也可以发现应用材料 NVM 收入在经历 2018Q2 -2019Q4 七 个季度的同比下滑后，在 2020Q1-2021Q2 进入同比正向增长阶段；泛林则在经历 2018Q4- 2019Q4 五个季度的同比负增长后，在 202Q1-2021Q3 进入同比正增长阶段；趋势上看，东 京电子同比正向增速阶段为 2020Q2-2021Q4。 年度来看，2019-2021 年 NAND 价格上行周期下，头部半导体设备公司 AMAT/Lam/TEL 分别实 现 NVM 相关销售收入复合年增速 26%/39%/39%，泛林、东京电子凭借其在刻蚀、沉积设备优 势相对应用材料实现更高复合增速。

1.3.2.DRAM：10nm+节点微缩放缓，设备成长与 DRAM 价格周期高度相关

DRAM 在进入 20nm 以下节点后，制程上的微缩相对放缓，头部存储厂商在 10nm+节点上，拓 展 1x、1y、1z、1a（1α）、1b（1β）、1c（1γ）、1d（1δ）等工艺节点。目前，三星、海 力士均规划在 2023 年量产 1b-nm；美光 1β节点在 2022 年底量产，其下一代 1γ节点规划 将在 2025 年上半年量产；国产厂商长鑫存储目前也将进入 1y 阶段。

光刻需求：2019 年末进入 EUV 时代，1c 节点 EUV 投资占比近 60%。最早，2019 年末三星在 其 1x-nm DDR4 DRAM 模组上应用 EUV 技术，随后 2020 年宣布在其 1z-nm 工艺节点量产上导 入 EUV 设备，生产 16GB LPDDR5；并预计在之后的工艺节点中持续导入 EUV 设备。海力士则 在 2022 年在其 1a-nm 节点量产 EUV 技术，其在前序先进工艺节点依然采用基于 ArFi 的双 重曝光技术。美光对于 EUV 技术的应用则相对保守，预计 2024 年末在其日本工厂引入 EUV 技术，用于 1γ芯片的生产。因此，我们可以看到，DRAM 也正逐步进入 EUV 时代，根据 ASML 测算（图 10），每 10 万片月产能 1z-nm DRAM 扩产所需光刻设备花费中约 20%用于 EUV 设备、20%用于 ArF 等干法设备以及 60%用于 ArFi；而到 1c-nm 节点，EUV 占光刻设备投资 的比例将提升至 60%上下。

最后，我们分析 DRAM 周期下半导体设备企业的成长，对比设备企业 DRAM 相关季度营收与 DRAM 历年价格趋势，可以发现，其成长与 DRAM 价格周期高度相关： 1） 2012Q4-2014Q3 涨价周期：由于订单到验收确认收入之间存在时间差，因此各周期内设 备公司营收高点基本稍晚于 DRAM 价格高点。2012-2015 年应用材料 DRAM 相关营收从 3.3 亿美元增长至 15.6 亿美元，复合增速达 68%。 2） 2016Q3-2017Q4 涨价周期：设备公司在此轮价格周期下迎来新一轮成长，至 2018 年 AMAT/Lam/TEL 分别实现 DRAM 相关设备收入 25.8/28.1/24.4 亿美元，相差不大，对应 2016-2018 年复合年增速分别为 52%/46%/70%，东京电子增速显著。 3） 2019Q4-2021H1 涨价周期：此轮价格周期下，AMAT/Lam/TEL 相关设备销售收入在 2019- 2021 年分别实现 37%/19%/26%的复合年增速。

2.龙头复盘：成熟制程完成卡位，技术革新塑造陡峭成长

前期成熟制程阶段，全球龙头半导体设备企业以技术为基础，与核心下游客户共同成长， 完成了最重要的卡位优势的建立。全球半导体设备行业形成了核心大赛道 2-3 家供应商头 部集中，小赛道一家高垄断的竞争格局。此部分我们将从各龙头公司入手，结合核心下游 扩产，复盘龙头设备公司成长的核心驱动。

2.1.ASML：光刻设备龙头，深度受益 EUV 垄断

产品角度，2017-2022 年 ASML 光刻机设备中 EUV/ArFi/ArF Dry/KrF/I-line 销售收入复合 增速分别为 46%/5%/27%/18%/12%，可以发现，ASML 成长最主要得益于其在 EUV 设备领域的 垄断地位，其 EUV 设备收入从 2017 年的 11 亿欧元增长至 2022 年的 70.8 亿欧元，占设备 系统收入的比例从 2017 年的 17%提升至 2022 年的 46%。 从直接下游角度看： 1） 逻辑端：随着台积电突破 7nm 工艺，逻辑先进工艺率先进入 EUV 时代，对应 ASML 的 EUV 光刻设备从 2017 年 Q2 开始进入放量阶段（2018Q3 台积电 7nm 开始贡献收入）。 2018-2022 年先进逻辑芯片扩产周期内，ASML 设备系统中来自逻辑芯片扩产的销售收入 从 2018 年的 37 亿欧元，增长至 2022 年的 100 亿欧元，复合年增速 28%。 2） 存储端：三星 2020 年率先在其 1znm 工艺节点上导入 EUV 设备，量产 16GB LPDDR5，之 后 2021 年 7 月，SK 海力士第一代使用 EUV 生产的 DRAM 产品也正式进入量产阶段， DRAM 进入 EUV 时代。

2.2.AMAT：平台化龙头，全球逻辑扩产最大设备供应商

2012 年充分实现平台化布局，覆盖 CVD/刻蚀/PVD/热处理/CMP/离子注入/量检测领域。应 用材料最早以化学气相沉积（CVD）设备起家，1990 推出 Endura 5500 PVD，进入物理气象 沉积设备市场；1999 年收购 Obsidian 公司，开辟 CMP 设备产品线；1996 年收购以色列掩 膜版检测系统制造商 Orbot Instruments 和关键尺寸测量系统制造商 Opal Technologies， 2000 年收购电子显微镜制造商 Etec Systems，奠定其量检测设备基础；2001 年收购以色 列半导体清洗设备厂商 Oramir；2011 年收购 Varian，完善离子注入机产线。至今，应用材 料已成长为全球半导体设备行业平台型龙头企业，产品覆盖刻蚀、CVD、PVD、ALD、、量检 测设备、热处理、离子注入机、CMP 设备等领域；2022 年（日历年），应用材料实现全年销 售收入约 261 亿美元，其中半导体设备系统收入贡献 74%，服务收入占比 21%。 2012 年以后，结合下游分析，我们可以发现：在完善的产品组合和技术优势加持下，应用 材料最大的成长驱动来自 2018 年以后逻辑芯片 7nm/5nm 先进工艺的扩产；2018 年，应用材 料半导体设备系统收入中，逻辑产线贡献比例为 39%，而 2022 年逻辑占比高达 70%；应用 材料也成长为全球最大的逻辑芯片设备供应商。

2.3.Lam：深耕刻蚀+沉积，全球 NAND 扩产最大设备供应商

泛林成立于 1980 年，最早以刻蚀设备起家，1981 年推出其第一款产品 AutoEtch 480，主 要应用于多晶硅刻蚀；目前设备工艺覆盖导体刻蚀（Kiyo 和 Versys Metal 系列）、介质刻 蚀（Flex 和 Vantex 系列）、TSV 刻蚀（Syndion 系列），在全球干法刻蚀设备领域市占率接 近 50%。2011 年以来，泛林继续在 CVD/ALD/ECD 领域不断扩展，包括金属薄膜沉积（SABRE 和 ALTUS 系列）、介质薄膜沉积（VECTOR、Striker、SPEED 系列），其 CVD 设备全球市占率 近 20%。此外，公司在清洗设备领域在占据小部分份额，产品包括湿法清洗设备（EOS、DVPrime、Da Vinci、SP Series 系列）、干法边缘清洗设备（Coronus 系列）。 依托其在刻蚀设备领域的强大优势和沉积设备的拓展，综合下游分析，可以发现： 1） 2015 年以后，公司第一轮高速成长主要由 3D 结构化的 NAND 扩产驱动，至 2018 年，其 NVM/DRAM/逻辑及代工相关销售收入规模分别达到 60.3/28.1/21.7 亿美元，NVM 营收占 比达 55%；2） 2019-2022 年第二轮成长周期则由 NAND 价格周期和先进逻辑工艺迭代共同驱动，至 2022 年，其 NVM/DRAM/逻辑及代工相关营收分别增长至 74.7/29.9/85.9 亿美元，占比 39%/16%/45%。 因此，综合来看，泛林的成长与 NAND 3D 化和扩产密切相关，目前，其已成为全球 NAND 扩 产的最大设备供应商。

2.4.TEL：日系平台化龙头，先进逻辑扩产为近年主要增长引擎

东京电子成立于 1963 年，最早起源于东京广播系统旗下的东京电子研究所，以扩散设备起 家，目前其半导体设备主要覆盖涂胶显影、刻蚀、沉积（CVD/ALD/氧化扩散设备）、清洗及 探针台领域。根据 TEL 公告，2022 年其涂胶显影设备占全球市场份额近 89%，干法刻蚀设 备 /ALD/CVD/ 氧化扩散设备 / 清洗系统 / 探 针 台 全 球 市 占 率 也 已 分 别 达 到 25%/19%/43%/49%/29%/37%，TEL 已成为全球半导体设备领域的日系平台化龙头。2023 财年，TEL 实现总销售收入 22090 亿日元，其中半导体设备销售贡献比例 77%，半导体设备销售收 入中，涂胶显影机/刻蚀/沉积/清洗/探针台分别占比 26%/34%/21%/12%/5%。 完善的产品布局下，同样我们复盘其半导体设备收入历年下游构成，可以发现：2016-2018 年，TEL 的成长主要由 NAND 和 DRAM 扩产驱动，三者占比差距不大；而之后的 2019-2022 年，先进逻辑的扩产则成为公司最重要的增长引擎。

2.5.KLA：半导体量检测设备龙头，逻辑收入 CAGR2018-2022高达 48%

1997 年，KLA 由 KLA Instruments 和 Tencor Instruments 两家公司合并而成，最初以光掩 模版检测和膜厚测量起家合；并后的二十多年里，KLA-Tencor 陆续执行了多项收购，目前 已几乎形成全面的半导体量检测设备布局，成长为全球半导体量检测设备领域的龙头，市 占率超 50%。

从营收上看，2005 年 KLA 营业收入 20.9 亿美元，2015 年营业收入 28.1 亿美元，10 年年复 合增速 3%，除了 2009/2010 年受全球金融危机影响处于低谷外，基本保持平稳增长态势。 2015 之后，KLA 进入高速成长期，到 2023 年 8 年收入复合年增速达 17.9%；拆分下游来看， 可以发现：2017-2018 年主要驱动来自三星、海力士等存储端的大幅扩产，2018-2022 年则 主要受益于“缺芯”以及逻辑端先进工艺的迭代，此阶段 KLA 逻辑/代工领域收入规模复合 增速达到 48.3%（调整为日历年），根据上文逻辑扩产中的对比，是全球龙头半导体设备公 司中增长最快的企业。

3.中国市场：国产替代成效显著，先进工艺突破成为天花板关键

3.1.内资扩产：在建产线投资额 NAND/DRAM/逻辑分别占比约 21%/24%/54%

根据我们不完全统计，目前内资 12 吋在建晶圆厂合计规划产能达 175 万片/月，除鹏芯微/ 鹏新旭/积塔无法获取准确投资金额外，其他合计投资金额达 1117 亿美元，其中 NAND（长 江存储）投资占比 21%，DRAM（长鑫存储+福建晋华）投资占比 24%，以中芯国际、华虹半 导体为代表的逻辑及其他产线合计投资占比近 54%。 逻辑端：1）中芯国际：京城/深圳/临港/天津 4 条产线合计规划产能就达 34 万片/月，合 计投资金额达 263.2 亿美元。其中，中芯深圳于 2022 年量产，中芯京城 2023H2 开始量产， 中芯临港正在建先导线，中芯天津正在土建。2）华虹无锡-三期：投资 67 亿美元，规划 8.3 万片/月 12 吋产能，计划 2024Q4 完成厂房建设并开始安装设备。 存储端：1）NAND：长江存储早前规划投入 240 亿美元建设 3D NAND Flash 工厂，合计规划 产能 30 万片/月；技术上，长存于 2022 年首发其 232 层产品。2）DRAM：长鑫早前规划投 资 1500 亿元（约 217 亿美元）用于“长鑫 12 吋存储器制造基地项目”，三期共建设 DRAM 产能 36 万片/月；技术上，长鑫存储预计也将进入 1y、1z 阶段。尽管受 2022 年 10 月美国 BIS 清单影响，短期国内存储厂商发展有所放缓，但长期来看，随着国产半导体设备逐步突 破和成熟，上下游共振，国产存储器发展及扩产仍值得期待。

3.2.大陆格局：国产替代成效显著，国产合计营收 CAGR2018-2022达 54%

2018 年以来，国产半导体设备企业在“国产替代”推动下步入高速发展阶段，2022 年北方 华创/中微公司/盛美上海/拓荆科技/华海清科/芯源微半导体设备相关收入分别达到 114.3/38.5/28.7/17.1/14.2/13.8 亿元， 2018-2022 年复合年增速分别为 55%/29%/51%/122%/159%/60%。量检测设备板块，精测电子和中科飞测收入规模仍较低，板 块整体国产化率仍不足 5%，未来替代空间巨大。

从占比上看，我们拉取全球 TOP5 半导体设备厂商 2018-2022 年中国大陆销售收入，对比国 内企业半导体设备收入，测算发现：1）2018 年，中国大陆国产比例约为 5.2%，至 2022 年 已提升至 14.5%；2）海外设备厂商中，AMAT 的份额下降明显，从 2018 年的 42.8%下降至 2022 年的 26.8%；3）国产设备厂商突破显著，其中，北方华创份额从 2018 年的 2.4%提升 至 2022 年的 6.8%。 平台化布局趋势加速工艺突破与竞争，国产半导体设备企业不断锤炼α竞争力。随着国产 半导体设备市场规模逐渐扩大，头部半导体设备企业均开始依托自身原有的核心优势机台 和工艺开发能力，从“单一品类”向“平台化”模式发展，打造自身发展的 N+1 条成长曲 线。北方华创在硅刻蚀、PVD、炉管设备的基础上，开始发力介质刻是、CVD 等领域；拓荆 科技继续深耕薄膜沉积工艺，同时开拓混合键合设备，瞄准 2.5D/3D 封装市场；中微公司 形成“刻蚀全覆盖，沉积部分覆盖，量检测投资布局”的业务版图；华海清科开辟第二成 长曲线—减薄设备，同时投资布局离子注入机；盛美上海电镀、炉管产品进入放量期，第 三梯队涂胶显影机、PECVD 产品正在验证；芯源微涂胶显影机台持续放量，同时布局前道化 学清洗领域；至纯科技定增布局炉管和涂胶显影赛道。可以预见，随着国内半导体设备行 业持续高速发展，市场竞争也将愈加激烈，国产半导体设备企业预计将在竞争中不断锤炼 自身α竞争力，进而推动国产替代加速提升。

3.3.后市展望：“周期复苏+先进工艺+存储突破”成为预期关键

3.3.1.市场预期一：终端需求何时再起？

从当前国内成熟制程扩产来看，当前“市场预期之一”在于“需求何时再起”？ 2023Q2 中芯国际产能利用率回升，需求复苏利好晶圆厂重启扩产招标。中芯国际中国区需 求从 2022Q3 开始下滑，经历约 2 个季度调整，2023Q2 部分下游客户已逐步开始补库存；海 外需求来看，其 2023Q1 开始出现明显下滑，整体比中国区大概慢 2 个季度。产能利用率角 度看，2023Q2 中芯国际产能利用率已开始回升，达到 78%。我们判断，随着终端需求逐步 向好以及新产品工艺平台的升级，下游扩产也将加速，兑现市场对新订单的预期。

2023Q2 进口多台高端光刻机，保障晶圆厂后续扩产。2023Q2 ASML 设备系统收入中中国大 陆销售收入相较 2023Q1 的 4.3 亿欧元，环比大幅增长至 13.5 亿欧元，创历史新高；从产 品结构上看，ArFi 设备销售 39 台，环比 2023Q1 增长 14 台，ArFi 平均单价也从一季度的6410 万欧元提升到二季度的 7043 万欧元。因此，我们可以判断，2023Q2 相比一季度中国 大陆进口多台套高端光刻机系统，锚定后续晶圆厂投资扩产。

3.3.2.市场预期二：先进工艺何时突破和放量？

从长期天花板视角来看，当前“市场预期之二”在于“先进工艺何时突破和放量”？ 回顾全球半导体设备企业发展历程，可以发现，先进工艺的突破与放量才是半导体设备企 业突破成长天花板的关键，在先进工艺阶段掌握核心技术的设备企业将享有市场更高的估 值溢价。 2019 年以来，在国产替代催化下，国内主要半导体设备企业在其核心赛道领域已基本形成 卡位优势。对比全球半导体设备龙头，国内北方华创发展模式更类似应用材料，产品布局 较为全面，包括刻蚀、PVD、CVD、ALD、热处理、清洗设备等，属于平台化龙头；中微公司则类似泛林，深耕刻蚀设备领域，并开始向 CVD/ALD 方面拓展。下游角度分析 AMAT、Lam 的成长，我们可以看到，AMAT 深度受益先进逻辑芯片的扩产，而泛林则深度受益 3D 结构化 下 NAND 芯片的扩产；因此，当前产品与工艺布局下，预计未来北方华创对先进逻辑芯片扩 产将更为敏感，而中微则对 NAND 芯片扩产更为敏感。

编辑：火腿肠