长鑫科技-688825-合肥筑基，长鑫逐芯：长鑫科技锻造中国存储硬实力

长鑫科技是国内规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业。自2016年成立以来，公司始终专注于DRAM产品的研发、设计、生产及销售。公司于2019年9月推出自主设计生产的8Gb DDR4产品，实现了中国大陆DRAM产业“从零到一”的突破。公司采取“跳代研发”的策略，完成了从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的量产，以及DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X等产品覆盖和迭代升级，目前公司核心产品及工艺技术已达到国际先进水平。

市场份额跃居全球第四，产品结构持续优化

我国是全球最大的DRAM需求市场之一，而全球前三家DRAM厂商三星电子、SK海力士和美光科技长期占全球90%以上的市场份额。公司在合肥、北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂。根据Omdia的数据，按出货量和销售额统计，公司已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商。Counterpoint数据显示，长鑫科技充分受益于人工智能的增长，实现量价齐升，2026年一季度，长鑫存储DRAM销售收入达73.09亿美元，环比增长115.1%，同比增长超过700%，巩固了其作为第四大供应商的地位，市场份额翻倍以上增长，达到8%。

公司产品覆盖DDR、LPDDR两大主流系列，并且各系列均能提供当前市场主流的第四代、第五代产品。其中DRAM芯片是报告期内公司出货及销售的主要产品类型。基于自身原厂DRAM芯片生产制造的DRAM模组包括DDR4、DDR5系列，涵盖RDIMM、MRDIMM、UDIMM/CUDIMM、SODIMM/CSODIMM、LPCAMM等不同类型产品。2026年上半年，公司DDR系列实现营业收入694.72亿元，收入占比从2025年全年DDR系列占比的31.87%提升至46.22%；LPDDR系列在2026年上半年实现营业收入781.91亿元，占比为52.02%。公司LPDDR6产品已向客户送样验证。

受益存储涨价周期，毛利率比肩海外同行

销量方面，2023年至2025年，公司产能处于持续建设状态，DRAM产品销量快速增长，DDR系列和LPDDR系列的销量复合增长率分别高达107.16%和76.93%。单价方面，随着行业逐步回暖及公司产品结构优化，2024年公司产品均价整体回升。2025年，随着公司单价较高的DDR5和LPDDR5X产品快速放量，同时得益于全球算力需求的快速增长和全球主要厂商产能调配导致的DRAM供给紧张，公司DDR系列和LPDDR系列产品单价进一步显著上升。

毛利率呈现快速上升趋势。2026年上半年DDR系列产品毛利率达到88.35%；LPDDR系列产品毛利率达到82.60%。全球DRAM产品供不应求，价格呈现大幅上涨趋势，带动公司主要DRAM产品销售毛利率大幅增长。2025年，随着公司规模效应持续显现及产品结构持续优化，公司综合毛利率已转正并大幅提升，与三星电子综合毛利率基本相当，并显著高于南亚科技。从毛利率的变动趋势看，受DRAM行业在下行周期后快速回暖和市场供需格局变化等因素的影响，公司毛利率与美光科技、SK海力士等DRAM领域的IDM公司基本一致。

公司与阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米、传音、荣耀、OPPO、vivo等行业核心客户开展了深度合作，持续赢得客户的肯定和赞誉。受益于国内数据中心等基础设施建设需求持续提升，公司在服务器领域产品收入快速增长，推动公司2026年上半年实现营业收入约1503.10亿元人民币，同比增加约873.64%，毛利率达84.84%，与海外存储同业处于同一水平。

AI推理时代重塑存储需求，DRAM产值爆发式增长

存储正在成为影响AI推理效率与经济性的关键环节。推理系统存储呈现金字塔式的层级结构，HBM主要解决高带宽问题。越靠近计算单元，速度越快、容量越小、单位成本越高；越往下走，速度越慢、容量越大、成本越低。进入推理时代，推理产生的数据量已无法由单一HBM承载，存储需求沿着HBM、DRAM、NAND逐级外溢。

HBM是当前存储市场增长最快的细分领域之一。主要增长动力来自于Transformer模型在推理时对KV Cache（键值缓存）需求的爆炸式增长。当模型支持更长的对话上下文或更高的并发时，所需的KV Cache容量会迅速膨胀。HBM正加速挤出传统DRAM产能，成为整个存储产业价值量扩张的核心引擎。随着GPU平台的持续迭代，同步升级的HBM配置由HBM3演进至HBM4E，单卡容量呈指数级扩张。

根据Omdia和WSTS数据，2025年全球DRAM市场规模为1505亿美元，占存储芯片市场规模的比例约为65%，是市场规模最大的存储芯片。TrendForce最新数据预测，受Agentic AI驱动，全球DRAM产值2026年上调至6187亿美元，同比增长303%；2027年预计达9033亿美元，增长46%。DRAM供不应求趋势将在2027年延续。

在下游应用领域，服务器、移动设备、个人电脑和智能汽车构成DRAM主要应用市场。根据Omdia统计，2025年全球DRAM下游应用领域中，前述四大应用市场合计占全球DRAM下游应用需求市场的比例超过90%。服务器DRAM有望成为DRAM各应用领域中增长最快的市场之一。根据Omdia数据，2025年全球服务器DRAM市场占比约为50%，到2030年服务器DRAM市场占比预计将增长至约71%。全球服务器搭载的DRAM总量预计将由2025年的约19953 MGB增长至2030年的约69340 MGB，2025-2030年年复合增长率约为28.29%。

聚焦先进DRAM研发，募资扩产与技术升级并行

长鑫科技本次IPO拟募集资金总额295亿元，计划投向三大方向：存储器晶圆制造量产线技术升级改造投入75亿元、DRAM存储器技术升级投入130亿元、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发投入90亿元。

存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目计划于2027年底前分批实施厂务改造、机台搬入、机台调试、机台投产等工作，于2028年上半年前完成竣工验收。其中主要投入为设备购置及安装费，投入金额46.66亿，占比62.22%。DRAM存储器技术升级项目计划于2026年到2027年底前分批实施设备搬入、设备调试等工作，于2028年上半年前完成竣工验收。其中主要投入为设备购置及安装费，投入174亿，占比96.67%。

动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目聚焦适配于未来先进DRAM所需要的前瞻技术研究。计划于2026年12月前，完成引入新机台的调试，实现适配DRAM的前瞻技术平台的工艺流程搭建工作；2027年12月前，完成前瞻技术平台工艺平台与工艺开发的结构搭建与验证；2028年12月前，完成前瞻技术平台工艺与架构的完善，验证并提取出器件的关键电学特性工作。

公司目前正在从事的主要研发项目包括第四代工艺技术平台及相关产品研发项目、第五代工艺技术平台及相关产品研发项目和预研项目及其他。其中第五代工艺技术平台及相关产品研发项目中，研发目标为采用进一步优化的多重曝光技术，进一步提升存储密度和阵列性能。预研项目旨在建立未来的DRAM技术平台并开发面向未来市场应用的相关产品及技术，能够基于技术平台设计满足行业JEDEC标准的更高密度LPDDR5X、LPDDR6、DDR5等产品。

核心团队经验丰富，国资战略支撑长期发展

公司核心技术人员和高管拥有丰富的行业经验。曹堪宇先生拥有20余年半导体行业经验，是中国DRAM产业的重要推动者。2017年加入长鑫科技以来，主导制定了公司研发战略和技术路线图，带领团队成功开发第三代和第四代自主工艺技术平台，实现DDR4/LPDDR4X、DDR5/LPDDR5/LPDDR5X存储芯片从设计到量产的完整突破。李红文先生在公司组建了本土设计团队，搭建了公司整体设计流程，创建了公司全自主的制程开发套件。TAN TECK HONG（陈德鸿）先生在担任公司晶圆厂厂长和公司运营副总裁期间，带领量产团队完成第一代和第三代工艺技术平台产品的量产工作。

在公司持续推进技术追赶的过程中，合肥国资始终给予坚定支持。发行前，长鑫科技第一大股东为清辉集电，持股比例为21.67%。清辉集电第二大合伙人的实控人为合肥市国资委，第一大合伙人股权穿透后实控人为合肥经开区国资委。长鑫集成也是长鑫科技第二大股东，持股比例为11.71%。安徽省投对长鑫科技直接持股7.91%，大基金二期以8.73%持股位居第三大股东。合肥国资的持续支持，不仅为项目初期的巨额资金需求提供了保障，更在企业经历亏损期时给予了坚定的战略定力，既为企业早期的大规模投入提供了资金保障，也以长期、稳定的战略支持，为技术研发和产能建设奠定了坚实基础。

盈利预测与投资建议

华安证券预计2026-2028年公司归母净利润分别为1611.84、1936.47、2053.24亿元，对应的EPS分别为2.37、2.85、3.02元，对应2026年9月17日收盘价PE分别为22.52、18.74、17.68倍。首次覆盖给予公司“买入”评级。提示关注大客户项目进展不及预期、存储芯片研发进展不及预期、AI需求不及预期、消费电子需求不及预期以及汽车电子需求不及预期等风险因素。