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电子行业：碳化硅高速增长的前夕，功率渗透率提升与AI+AR双轮驱动。碳化硅（SiC）成为驱动技术升级与效率革命的关键支撑。作为第三代宽禁带 半导体核心材料，凭借禁带宽度大、击穿电场高、热导率优、电子饱和漂移速 度快等突出性能，正全面渗透新能源、AI、通信、AR 四大高增长产业，其应 用场景从功率器件延伸至散热材料、光学基底等领域，需求呈爆发式增长，行 业即将进入高速发展期。

在新能源领域，SiC 是实现高效节能的核心器件，我们预计 2030 年，全球 “新能源车+充电桩+光储”对碳化硅衬底（6 吋当量，若非特殊说明，下同） 的需求量约 577 万片，CAGR~36.7%。新能源汽车领域，800V 高压平台逐 步普及，2025 年渗透率已达 11.17%，SiC MOSFET 应用于主驱逆变器、DCDC 转换器等核心部件，可使整车能耗降低 8%-10%。我们测算得，2030 年 全球新能源车领域 SiC 衬底需求达 432 万片，中国 328 万片。高压直流充电 桩方面，政策推动下 2027 年将建成 10 万台大功率充电桩，SiC 凭借耐高压 特性成为达标关键，2030 年全球 SiC 衬底需求 51 万片，中国 29 万片。光储 领域，SiC 将提升光伏逆变器与储能变流器效率，2030 年全球碳化硅衬底需 求 94 万片，中国 30 万片。

AI 产业中，SiC 迎来“功率+散热”双重增长机遇。数据中心方面，算力提升 推动机柜功率密度飙升，SiC 应用于 UPS、HVDC、SST等电源设备，2030 年全球电源领域衬底需求 73 万片，中国 20 万片。同时，SiC 作为先进封装 散热材料，解决 GPU 高发热难题，2030 年全球 AI 芯片中介层所需衬底需求 约 620 万片，中国 173 万片；若在现有技术路径下，CoWoS 工艺中，基板 和热沉材料也采用 SiC，则 AI 芯片散热领域衬底空间将增加 2 倍。

通信射频领域，5G-A 与 6G 推动射频器件升级，GaN-on-SiC 方案凭借优异 散热与高频性能成为主流。2030 年全球射频用半绝缘型 SiC 衬底需求量达 17 万片，中国占比 60%，约 10 万片。

2030 年全球 AR 眼镜领域衬底需求 389 万片，中国 137 万片。AR 产业中， SiC 高折射率特性使其成为光波导片理想基底，可扩大视场角、解决彩虹纹问 题，推动 AR 眼镜轻量化与全彩化。

需求端的全面爆发推动行业规模快速扩张，预计 2027 年碳化硅衬底供需紧 平衡，甚至存在出现产能供应紧张的可能性；2030 年，全球 1676 万片的衬 底需求量，较 2025 年的供给，存在约 1200 万片的产能缺口。其中，AI 中介 层、新能源汽车、AR 眼镜是三大核心增长点，我们预计到 2030 年需求占比 分别为 37%、26%、23%；其中 SiC 在 AI 芯片先进封装散热材料的运用上， 若能实现在“基板层”、“中介层”和“热沉”三个环节的产业化，2030E， 全球碳化硅衬底需求量有望达到约 3000 万片。