2023年德明利研究报告：专注闪存模组领域，周期上行乘风起

1.国内领先的闪存芯片模组厂商，业绩有望高速增长

1.1 产品矩阵不断拓宽，领军存储模组国产化进程

德明利专业从事于存储模组产品的开发、销售，以及闪存主控芯片的设计和研发。 经过多年积累目前已形成自主可控的主控芯片与固件研发两大核心技术平台，产 品矩阵覆盖移动存储、固态硬盘、嵌入式存储和自研芯片四大领域，下游覆盖智 能显示、数据中心、智能安防、车载应用、网络通信、智慧医疗等众多行业领域， 为客户提供完善的整体解决方案。

公司于 2008 年创立，从存储产品销售切入市场，在产业链上下游建立了稳定的 NAND Flash 晶圆采购渠道和市场销售体系；2015 年，公司组建触控芯片研发团 队，开始布局人机交互业务领域，通过汇聚中、韩两国研发技术人员的研发力量， 在高阻抗、高驱动能力等关键触控技术领域实现突破；2016 年公司自主研发的首 颗闪存主控芯片成功量产出货，此后多颗闪存主控芯片和触控芯片逐步量产，移 动模组出货量也达到国内领先地位。2021 年，公司产品研发能力进一步提升， 55nm SD5.1 内存控制芯片成功流片。2022 年 7 月，公司在深交所成功上市，募 集资金主要投入在 3D NAND 闪存主控芯片及移动存储模组解决方案技术改造及升 级项目，SSD 主控芯片技术开发、应用及产业化项目，研发中心建设项目等。 为进一步抓住市场机遇，强化未来核心竞争力，2023 年 7 月，德明利发布定增公 告，公司本次向特定对象发行股票拟募集资金总额不超过 12.5 亿元，扣除发行 费用后的募集资金净额将主要用于 PCIe SSD 存储控制芯片及存储模组的研发和 产业化项目、嵌入式存储控制芯片及存储模组的研发和产业化项目。

公司目前已经建立了完善的闪存存储产品矩阵，主要覆盖移动存储、固态硬盘、 嵌入式存储三大产品线。分产品线来看： 1）移动存储：包含存储盘模组与存储卡模组，存储盘模组产品目前已成为日常生 活中最常用的移动存储介质之一，公司在此领域具有较好的成本优势；存储卡模 组尺寸小巧，外形多为卡片形式，在消费级的基础上，公司进一步开发了工规级、 商规级、宽温级和高耐久存储卡产品，将应用领域拓宽至对稳定性要求较高的复 杂环境。公司在移动存储领域广泛支持三星电子、铠侠、西部数据、海力士、长 江存储等厂家的存储晶圆产品。 2）固态硬盘：主要为满足大容量存储应用场景需求的存储介质，包含 SSD 等产 品形式，广泛应用于 PC、数据中心、人工智能、安防、医疗、航天、军工等领域。 公司目前拥有 2.5-inch、Half Slim、M.2、mSATA 多种形态的产品，其中 2.5- inch 和 M.2 覆盖 SATA3、PCIe 两种协议接口，Half Slim 和 mSATA 主要为 SATA3 协议接口。公司在此领域的定位主要为国产替代，加快国产化平台认证导入进程。 3）嵌入式存储：目前广泛应用于各类智能终端。智能汽车的发展给 ADAS、IVI、 DASH-CAM 等领域的嵌入式存储的使用带来了显著增量，公司于 2022 年收购 UD Store 切入嵌入式存储市场，产品包含 eMMC 和 UFS。目前 eMMC 产品线涵盖车规、 工规、高耐久及商规等场景，面向差异化市场，采用 eMMC 5.1 主流规范。针对 高速、大容量的应用，公司规划的 UFS 3.1 产品线已具备量产能力，容量设定为 256GB-1TB，已在积极进行产品验证和市场导入。

自研主控技术和固件方案带动 Partial Wafer 利用率和稳定性提升。公司初创期 即差异化地选择利用 Partial Wafer 制作存储产品，通过自研主控技术适配 Partial Wafer 的特点（品质等级较低，适合应用于对性能要求不高的产品），形 成有性价比和竞争力的产品，毛利率较高的优势平滑了行业下滑周期的业绩波动， 在行业周期下行的背景下也有较好的盈利安全垫和抗风险能力。 盈利模式：公司主要通过采购 NAND Flash 存储晶圆，将其与闪存主控芯片等进 行封装、测试后形成存储模组，再将存储模组销售给下游品牌、厂家客户或渠道 分销商。公司是中国大陆在 NAND Flash 领域同时掌握持续、稳定的存储晶圆采 购资源和闪存主控芯片设计及芯片固件开发技术能力的少数芯片设计运营公司 之一。

1.2 股权结构集中，管理层经验赋能

公司股权结构较为集中，前 5 大股东合计持股 61.23%。根据 wind，公司实际控 制人、控股股东及董事长为李虎先生，持股 39.67%。魏宏章持股 8.99%，为公司 第二大股东，徐岱群持股 4.85%，谢红鹰直接持股 1.67%，同时通过盐城博仁间 接持股 1.37%。机构股东方面，重庆金程源持股 5.51%，为公司第三大股东；重庆 银程源、盐城菁丰创投、LEADINGUI CO.、洛阳鸿福分别持股 2.21%、2.07%、2.01% 及 1.08%。

实控人产业背景丰富。董事长李虎先生大学毕业后起初从事 U 盘、存储卡等电子 产品分销，于 2008 年创立德名利有限（公司前身），在与产业链上游的合作中建 立了稳定的存储晶圆采购渠道，并带领团队研发优化存储管理应用方案，提高存 储模组的传输率、稳定性和可塑性，不断增强市场竞争力。截止 2023H1，公司已获授权专利 140 项（其中发明专利 45 项），拥有集成电路布图设计专有权 7 项、 软件著作权 77 项。

1.3 短期利润端承压，2023H2 行业反转在即

2023H1 公司营收逆势增长，扣非归母净利短期承压。公司营收从 2017 年的 2.20 亿元快速增长至 2022 年的 11.91 亿元，CAGR 达 40.16%。扣非后归母净利 2017 年至2021年实现稳定增长，2022年扣非后归母净利为0.11亿元，同比减少87.56%， 主要系行业周期下行导致的产品量价承压所致。2023H1 行业需求疲弱延续，公司 通过 UDStore 行业存储产品线在商规级、工规级、车规级与企业级应用领域取得 进展，营收实现逆势增长，达 5.91 亿元，同比增长 10.03%。扣非归母净利润亏 损约 8500 万元，主要系毛利率下滑以及公司加大研发等投入所致。

移动存储为营收主要来源，固态硬盘模组增长较快。主营业务拆分来看，移动存 储为当前营收主要来源，固态硬盘营收占比持续增长。2023H1 公司移动存储营收 2.95 亿元，占比约为 50%，固态硬盘模组营收 1.59 亿元，占比达 27%，存储晶圆 及晶圆封装片营收 1.19 亿元，占比约 20%。我们预计随着公司固态硬盘产品销量 的持续增长以及嵌入式产品的放量，公司产品结构将进一步优化。

短期利润率承压，2023H2 毛利率有望迎来反转。公司毛利率从 2017 年的 14.5% 增长至 2022 年的 17.2%。2020 年毛利率增长主要系存储卡模组单位毛利上升及 存储盘模组、固态硬盘模组销售数量增加所致；2021 年毛利率有所下滑主要系存 储卡模组销量下降所致。2022 年至今行业进入下行周期，公司产品量价持续承压。 2023H1 公司毛利率和净利率分别为 2.2%和-13.4%。当前板块已进入上升周期，我们预计随着闪存产品价格的逐步复苏，公司毛利率水平有望在 2023H2 迎来拐 点。

产品单价随产品结构及市场需求波动性： 1）存储卡模组、存储盘模组：公司 2019 年存储卡模组产品主要以 16G 及以下容 量产品为主，2020 年 16G 以上容量产品销量增长，带动存储卡模组平均单价上 行；2020 年存储盘模组产品销售单价较低，主要系 2020 年公司根据 NAND Flash 货源情况和市场需求销售较多小容量的存储盘模组所致。 2）固态硬盘模组：2019 年下半年公司固态硬盘模组产品开始实现产品销售，2020 年和 2021 年销售规模快速增长。同时，受产品容量结构变动因素和市场价格波 动因素影响，公司固态硬盘销售均价呈现逐年下降趋势。 3）存储晶圆和晶圆封装片：2020 年公司晶圆封装片销售单价大幅提升主要系公 司固态硬盘存储方案逐步成熟，制造存储模组可高效利用的存储晶圆品级范围得 以拓宽，部分 Normal Wafer 被公司制作成固态硬盘模组或 BGA 形态晶圆封装片 半成品对外销售。2021 年公司采购的存储晶圆中 Normal Wafer 比例较高，且主 要为大容量存储晶圆，价值量较高，驱动存储晶圆直接销售单价快速提升。

三费率中枢稳定，研发费用率波动抬升。 1）销售费用，公司销售费用率低于行业平均，主要系公司无需在品牌推广和营销 等方面进行较大的资金投入，近年销售费用率中枢稳定在 0.9%附近。 2）管理费用，高于行业平均水平，原因在于公司对管理人员进行股权激励发生股 份支付费用金额较高。 3）财务费用，2023H1 美元汇率持续上涨，汇兑收益大幅增加使得财务费用率呈 现负值。 4）研发投入，公司研发费用逐年提升，从 2017 年的 0.08 亿元快速增长至 2022 年的 0.67 亿元，同时研发费用率占比波动走高，原因在于公司持续加大研发投 入和智能制造升级投入。

行业周期底部公司加大存货备货。随着公司业务规模扩张，存货规模整体呈上升 态势。同时，当前行业处于底部阶段，公司根据市场情况战略性进行备货，2023H1 存货规模持续增长至 9.53 亿元，较 2023Q1 增长约 1.01 亿元。我们预计随着闪 存产品市场需求的持续复苏以及下游库存的持续消化，2023H2 公司存货有望迎来 拐点并在 2024 年进一步优化。

2 Nand Flash：存储器第二大产品，市场拐点即将来临

2.1 Nand Flash 是主流存储技术，产品应用广泛

Nand Flash 存储器：Nand Flash 存储器是 Flash 存储器的一种，其内部采用非 线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了高性价比、高性能的解决方案。 Nand Flash 存储器具有容量较大、改写速度快等优点，适用于大量数据的存储， 因而在业界得到了越来越广泛的应用。 主控芯片：是闪存模组的核心器件，主要用于管理存储颗粒中数据的写入、读取 与擦除，并与终端应用客户选用的各类外部计算机或电子设备 CPU 进行通信和数 据交换。 闪存模组：包括嵌入式存储、固态硬盘和移动存储等，核心由 Nand Flash 芯片 和主控芯片组成。其中嵌入式存储通常指固定内嵌于电子产品主系统内、具有嵌 入式接口的半导体存储器，包括 eMMC、UFS 等；固态硬盘是按照 JEDEC 有关接口 标准制造的大容量 NAND Flash 存储器，按接口类型可分为 PCIe、SATA 等。移动 存储指 USB 闪存盘（“U 盘”）、存储卡及便携式移动固态硬盘等便携式移动存储 器，主要应用于安防监控、车载应用、高清摄影、智能终端等领域。

2.2 市场分析：智能手机、PC、服务器贡献驱动力

存储芯片是半导体第二大领域，周期波动性较半导体行业整体更强。根据 WSTS， 2022 年全球半导体市场规模达 5740.84 亿美元，集成电路市场规模达 4744.02 亿 美元，其中存储器 2022 年市场规模 1298 亿美金，占集成电路市场的 27.35%，是 整个半导体行业第二大细分领域（第一大为逻辑电路）。作为半导体行业的重要分支，存储芯片周期变化情况基本与半导体行业周期变化情况保持一致，比较存 储芯片市场规模与半导体行业市场规模 2004 年-2024E 同比变化情况，存储芯片 同比变化曲线更为陡峭，其波动性更强，半导体周期景气下，存储芯片市场贡献 更为突出。

中国闪存市场空间广阔。根据 yole，中国是全球重要的 Nand 闪存市场，2022 年 约占全球 33%的市场份额。根据前瞻产业研究院预测，2019-2026 年，中国闪存 芯片市场规模有望以 15%的年均复合增速持续增长，至 2026 年市场规模有望达 到 3032 亿人民币。

Nand Flash 为存储芯片第二大细分品类，主要产品形态为嵌入式存储及 SSD 固 态硬盘。存储器产品主要包括 DRAM、Nand Flash、NOR Flash 等，其中 Nand Flash 为第二大品类，占比达 38.3%。NAND Flash 作为主要的资料存储介质，其最终出 货形态以嵌入式存储和固态硬盘及移动存储为主，其中 eMMC/UFS 主要用于移动 设备，SSD 主要用于服务器及 PC。从 NAND Flash 产品品类看，嵌入式存储和固 态硬盘在 NAND Flash 的应用占比较大。根据公司公告，2022 年嵌入式存储和固 态硬盘的合计占比为 82%，且近三年占比均超过 80%，存储卡、存储盘产品占比在 10%左右。

Nand 闪存产品下游应用十分广泛，手机、PC 和服务器是三大终端需求驱动力。 根据公司公告，2023 年智能手机仍为 NAND Flash 市场终端第一大需求，占比达 38%，PC 和服务器分别占比 21%和 23%。

2.3 行业发展：长期成长依赖持续的科技创新，当前行业拐点已至

(1)行业复盘：成长依赖于大的科技创新周期，智能手机、PC、服务器引领过去 10 年增长。Nand Flash 市场规模整体在波动中不断成长，复盘过去几轮 Nand 闪 存的成长周期，大的科技创新周期是成长主旋律的演奏者。 2012 年-2014 年：智能手机持续发展。 根据 TrendForce，智能手机、平板电脑和 SSD 的增长推动 2013 年 NAND 闪存 需求增长至 46%，同时行业市场规模较 2012 年同比增长近 22%，达到约 246 亿美元。 2015 年-2018 年：3D Nand 推动 SSD 在企业级应用大幅增长。 随着 3D Nand 产品的显著渗透，智能手机、企业级 SSD 需求用量大幅增长， 物联网应用开始蓬勃发展，推动此后 Nand Flash 市场规模的持续增长。 2019 年-2021 年：多元应用百花齐放。 自 2019Q3 开始，随着行业周期反转，行业库存回落至正常水位，半导体行业进 入新一轮上升周期，智能手机、企业级存储容量需求持续增长，汽车存储用量需 求大幅增加，AR/VR 等新兴应用百花齐放，推动 Nand Flash 产品需求进入新一轮 上升期。与此同时，疫情扰动导致的供需失衡推动存储产品价格增长，Nand 闪存 市场规模持续增长。

(2)Nand Flash 当前现状：拐点已至。 市场营收环比已出现拐点。根据闪存市场，2023Q2 全球 NAND Flash 市场规模环 比增长 5.0%，增长驱动力主要来自于位元出货量的增长。分厂商来看， 排除汇 率因素，2023Q2 仅三星电子 NAND Flash 销售收入环比下滑，其他原厂均实现 NAND Flash 收入的环比增长。其中 SK hynix 及子公司 Solidigm 合计实现营收 16.66 亿美元，环比大幅增长 26.4%。根据 yole 预测，2023Q3 起，Nand Flash 市场规 模将进一步实现环比增长。

原厂持续减产配合控价，存储价格拐点已至。根据闪存市场，近期各大原厂 NAND Flash wafer 全面报涨，部分 wafer 官价上扬 10%。一方面，由于存储原厂亏损 仍严重，三星电子、SK 海力士及美光均释出继续扩大减产的规划，其中三星自 2023Q3 起，已停止向华城 16 产线供应 NAND 晶圆，平泽和西安工厂也将降低平均晶圆投入量，预计从每月投入 22 万~23 万片晶圆降低至 20 万片，为两年多来最 低水准。另一方面，根据台湾省《工商时报》，三星已暂停存储第六代 V-NAND 成 熟制程报价，低于 1.6 美元全面停止出货。同时国内存储模组大厂近日向客户宣 布暂停低价接单。全球模组领先厂商金士顿也表示由于价格便宜，从 8 月起拒绝 客户降价，并且会重建部分 NAND 库存。而根据群联，由于 NAND 价格已经触底， 目前已看到来自中国大陆的模组与智能手机客户需求增强，部分客户甚至已接受 了 30%至 35%的价格上涨。供给端的加速收缩以及限制低价供应进一步巩固 NAND Flash Wafer 价格的上涨趋势。我们预计随着 2023H2 国内手机品牌开始陆续推 出新品、PC 需求复苏以及新服务器平台的加速渗透，原厂出货压力将逐步缓解， 存储产品价格拐点已至。

台湾省存储 IC 设计企业 2023Q2 营收环比显著修复，预期 2023H2 环比持续上行。 分析台湾省存储芯片设计企业经营情况，以华邦电、旺宏、南亚科为例，2023Q2 各公司营收环比已有显著反弹，其中华邦电 2023Q2 实现营收 188.11 亿新台币， 环比增长 7.39%；旺宏 2023Q2 实现营收 74.29 亿元环比增长 4.58%；南亚科 2023Q2 实现营收 70.27 亿新台币，环比增长 9.37%。 华邦电：根据华邦电董事长焦佑钧，目前市场各需求面已普遍回温，华邦电 2023 年营运有望逐季成长，2023H2 经营较 2023H1 将改善，预计手机端需求将率先反 弹回温。 南亚科：存储产业已在 2023Q2 筑底，2023H2 需求有望逐步改善，供需状况有望 在 2023Q4 趋于平衡。 旺宏：2023 年会是产业谷底，预期库存去化将持续至 2024 年。 台湾省模组厂商 8 月营收环比显著修复。原厂减产控价以及模组厂商提价在台系 厂商 8 月营收显著体现。台系模组厂商宇瞻科技、十铨 8 月营收环比显著增长， 其中宇瞻科技环比增长 24.4%，十铨环比增长 42.7%。

2023H2 存储板块有望迎来量价齐升。根据美光 2023 财年 Q4 财报，公司 FY23Q4 营收为 40.1 亿美元（上期指引为 37～41 亿美元），QoQ+6.88%，连续两个季度迎 来环比上涨。本轮存储行情已处于上行周期的初期阶段，预计大宗产品出货量受 季节性备货需求、新的手机机型发布以及 AI 带动的数据中心需求驱动，环比继 续增长；而考虑到减产以及下游库存的持续去化，价格端跌幅将持续减小，其中 3D Nand Flash 产品价格有望持续回升。需求的逐步复苏和供给端产能的进一步 削减，有望驱动存储行业向价格反转，出货量增加持续演绎。

(3)展望未来：3D Nand 层数堆叠持续增长，AI 计算、智能汽车各领风骚。 存储密度提升从制程升级转为层数堆叠，3D NAND 是 NAND Flash 当前主流技术， 堆叠已超 300 层。 大厂 3D Nand 堆叠不断突破。早期的 Nand Flash 产品容量提升主要依赖于制程 升级，当进入 1x nm 时代，Nand Flash 通过升级制程的方式提升容量难度及成本 都显著加大，需求驱动 Nand Flash 率先走向 3D 堆叠结构。三星电子 2013 年率 先开发出可以商业化应用的 24 层 3D NAND，此后各 Nand Flash 存储厂商均聚焦 于产品层数的提升。2020 年 3D NAND 高端先进制程进入 176 层阶段，2022 年美 光宣布 232 层 3D NAND 实现量产。 SK 海力士此前表示将进一步完善 321 层 NAND 闪存，并计划于 2025 年上半年开始量产。三星则计划于 2024 年推出第九代 3D NAND（有望达到 280 层），2025-2026 年推出第十代 3D NAND(有望达到 430 层）。

232 层及以上 3D Nand 产品有望成为 2024 年市场规模增长的主要驱动力。从产 品当前层数来看，随着 96 层 3D Nand 产品的逐步退出，128 层 3D Nand 是当前主 流产品，且预计在 2024 年之前与 176 层 3D Nand 产品一起占据主要地位。232 层以上的产品市规模将持续增长，并将在 2024 年逐步成为主流产品，并成为推动 Nand Flash 市场规模增长的主要驱动力。

AI：自 2023Q2 开始的生成式 AI 浪潮席卷全球，推动数据中心存储需求大幅增长。 AI 服务器未来将需要更大的 SSD 容量，且 PCIe 5.0 接口在满足高速计算需求方 面更受青睐。根据 TrendForce ，未来 AI 服务器 SSD 存储需求将从当前的 4.1TB 增长至未来的 8TB。 智能手机：随着存储产品堆叠层数的持续提高以及工艺的日趋成熟，大容量存储 在智能手机等移动端领域有望持续渗透。根据 yole，2023 年 512GB 及以上的智 能手机占比不足 25%，而至 2028 年，预计 512GB 及以上的大容量存储占比将接近 50%。智能手机升级将持续带动高密度存储需求增长。 汽车：汽车智能化、网联化带动车用存储需求大幅度增长，根据西部数据，预计 未来自动驾驶汽车单车存储容量可超 2TB；而根据 SK 海力士，预计至 2030 年车 内信息娱乐及 L5 等级自动驾驶对应的存储容量需求最高可达 3TB。车用存储容 量需求持续增长。

2.4 竞争格局：海外厂商垄断，国产厂商加速崛起

NAND 闪存产业链核心三大环节：NAND Flash 芯片颗粒，存储控制器芯片以及存 储模组。Nand 闪存制造壁垒最高，主要由美日韩等厂商主导；主控芯片格局相对 分散，一部分闪存芯片制造商自研存储控制芯片，同时也会采购部分第三方控制 芯片，这部分厂商主要以台湾省厂商为主，国内近几年相关产业发展也十分迅速； 模组制造商主要也以美日韩厂商为主，头部厂商通常有自己的模组品牌对外销售， 同时也对外出售闪存颗粒。

（1）主流 Nand Flash 芯片呈现海外垄断格局，行业历经合并分拆集中度持续提 升。当前 Nand Flash 供给主要由海外厂商主导，根据 statista，Nand Flash 市 场主要由三星电子、铠侠、西部数据、SK 海力士、美光等大厂商占据主导地位， 其中英特尔于 2021 年开始正式退出 Nand Flash 业务，由 SK 海力士接手。而近 期铠侠也将与西部数据的 Nand flash 业务重启合并谈判，Nand Flash 主流供给格局持续集中。

大宗 Nand Flash 芯片壁垒高筑的三大原因： 1）：主流 Nand Flash 芯片制造系重资产业务，小厂受限于资金规模难以参与。 2）：主流 Nand Flash 芯片制造系技术密集型业务，即使大厂自研切入，时间和 研发成本也非常高昂。 3）：Nand Flash 芯片周期波动剧烈，即便大厂在周期底部也难以承受严重亏损。 行业特性总结：高资本投入和周期性高亏损是常态。 以存储巨头美光为例，尽管受周期波动影响美光营收时有增减，但近几年资本性 支出投入不断加大，占营收比重在波动中不断提升，2022 财年资本性支出高达 120.67 亿美元，营收占比达 39.23%。 从净利润率来看，美光利润率波动较大，净利润率在过去 20 年间多次转负，其 中 2007-2009 年间净利润率更是连续 11 个季度为负，公司经营端承压严重。

（2）存储主控芯片：台湾省扮演重要角色，国内厂商快速崛起。 以固态硬盘为例进行分析，全球固态硬盘主控芯片厂商主要可以分为两大类：第 一类是自研自用固态硬盘主控芯片厂商，采用自己开发的固态硬盘主控芯片，为 下游客户销售固态硬盘模组，主要包括三星等 NAND Flash 原厂和群联电子、德 明利等；第二类是独立固态硬盘主控芯片厂商，主要向下游客户销售固态硬盘主 控芯片和解决方案，包括慧荣科技、联芸科技、Marvell、瑞昱、英韧科技、得一 微等厂商。根据中国闪存市场，2021 年全球固态硬盘主控芯片出货量达到 4.08 亿颗；其中独立固态硬盘主控芯片厂商市场份额约占 45%；在独立固态硬盘主控 芯片市场，慧荣科技固态硬盘主控芯片出货量占比达 57.7%，为全球龙头。

存储应用场景不断扩展，存储控制芯片重要性愈发凸显。一方面，随着存储应用 场景的不断扩展以及市场需求量的增加，存储器产品在网络通信设备、家用电器、 汽车电子、物联网硬件、影像监控、工业控制、商用设备等细分领域渗透率持续 提高，存储模组厂的市场规模不断扩大。另一方面，第三方存储控制芯片公司不 断发展，存储控制技术积累持续加深，可支持的存储协议和存储颗粒类型不断丰 富、可覆盖的应用场景也快速增加，产品价值量不断增长。 存储控制愈发复杂，模组厂倾向于专业化分工部分外购存储控制芯片。以消费级 SSD 存储控制芯片市场情况为例，根据闪存市场，2020 年存储颗粒厂自研自用存储控制芯片出货量占消费级 SSD 存储控制芯片总市场规模比例约为 55%，第三方 存储控制芯片公司销售的存储控制芯片出货量占总市场规模比例约为 45%；预计 至 2022 年第三方存储控制芯片公司规模占比将超过存储颗粒厂自研自用存储控 制芯片市场占比，约达到 55%。

（3）模组厂：格局相对分散。三星多年以来位元出货占比位居第一，SK 海力士 及铠侠近几年份额有所增加。头部厂商多为 IDM 厂商，为谋取高利润，产品重心 更偏向于服务器、手机、PC 等主要应用领域，其他份额相对小厂商及新进厂商多 从移动存储及卡类产品切入，并逐步向 SSD 及嵌入式等产品延伸。

模组厂发展路径各异。以国内模组厂商为例，由于存储芯片晶圆成本占比较高（江 波龙 2019/2020/2021 年成本构成中存储晶圆占比分别为 75.57%、79.76%、 79.02%），各第三方模组厂均需要围绕成本进行产出优化。主要路径包括建立强大的产业链合作关系、自建封测厂、自研主控芯片等。

（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）