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电子行业AI产业系列深度报告：AI技术创新与供需格局变化，共同驱动存储景气周期。行业核心观点：存储市场规模较大，有望迎来以 AI 驱动的新一轮景气周期：据 CFM 闪 存市场数据显示，2025Q3 全球存储市场规模创造季度历史新高，且已 连续两个季度增长，其中 DRAM 市场规模环比增长 24.7%至 400.37 亿美 元，NAND 市场规模环比增长 16.8%至 184.22 亿美元。当前存储芯片有 望迎来以 AI 驱动的新一轮景气周期，需求拉动力更强、存储技术迭代 进一步加速、供给端产能调控策略升级，同时短期供给端新增产能有限， 供需缺口有望维持，本轮存储行业涨价持续性或更强。

服务器存储受益于云厂商资本开支加速，端侧存储有望持续扩容：全球 八大核心云端服务提供商 2025 年以来均加大资本投入以响应 AI 数据 中心与云端运算的旺盛需求，根据 TrendForce 集邦咨询预测，2025 年 全球八大云厂商资本支出总额年增率预计为 65%，并预期 2026 年行业 仍将维持积极投资节奏，合计资本支出将突破 6000 亿美元，年增率达 40%。资本支出的持续扩张有望全面带动 AI 服务器需求升温，进而拉动 存储器等上游供应链需求。在存储器下游应用中，服务器存储占比有望 进一步提升，NAND 领域，算力中心积极应用超高容量 eSSD 提升性能、 降低能耗；DRAM 方面，随着支持 DDR5 的处理器平台渗透率提升、搭载 AI 加速芯片的 AI 服务器出货放量，服务器 DDR5 及 HBM 需求快速增长。 同时，2024-2025 年全球手机及 PC 出货量持稳，AI 手机、AIPC 等智能 终端加速渗透，端侧存储有望持续扩容。

技术创新驱动存储市场成长,供给端调控产能致 DDR4 等供不应求：HBM、 DDR5 引领高端 DRAM 市场，其中 HBM 技术持续迭代，存储容量与带宽不 断提升，主流 AI 加速卡多数采用 HBM 配置方案，有望推动 HBM 市场规 模稳步增长；DDR5 在企业级与数据中心客户的应用规模有望持续提升。 NAND 市场方面，QLC NAND 技术逐步成熟，兼顾大容量、低功耗、高性 能的 QLC SSD 成为企业级存储新星，渗透率有望提升。为应对 AI 算力 旺盛需求，存储大厂调整产能规划至 HBM 等高端环节，减产或停供 DDR4 等传统产品，使相关产品价格大幅上扬。

存储市场集中度较高，国产存储技术突破有望提升出货量，产业链迎来 发展机遇：全球存储市场集中度较高，竞争格局较为稳定，三星、SK 海 力士、美光等厂商稳居前列。国产 DRAM 龙头厂商长鑫存储已实现 DDR5/LPDDR5X 的技术突破与产品供应，出货量有望逐步攀升。国产 NAND Flash 龙头厂商长江存储已实现 QLC、TLC 等多款产品的技术突破。AI 驱动、技术创新叠加供需格局变化，国内存储厂商、模组厂商有望充分 受益于存储新一轮景气周期。此外，存储景气周期有望推动存储厂商提 升资本开支，上游半导体设备有望受益。