佰维存储发展战略、业绩及经营看点在哪？

公司专注存储行业，深耕存储解决方案和先进封测领域。

公司主要从事半导体存储器的研发设计、封装测试、生产和销售，主要产品及服务 包括嵌入式存储、消费级存储、工业级存储及先进封测服务。公司紧紧围绕半导体存储 器产业链，构筑了研发封测一体化的经营模式，在存储介质特性研究、固件算法开发、 存储芯片封测、测试研发、全球品牌运营等方面具有核心竞争力，并积极布局芯片 IC 设 计、先进封测、芯片测试设备研发等技术领域，是国家级专精特新小巨人企业、国家高 新技术企业。公司产品可广泛应用于移动智能终端、PC、行业终端、数据中心、智能汽 车、移动存储等领域。

秉持着“存储赋能万物智联”的深远使命和“成为全球一流存储与先进封测厂商” 的共同愿景，公司从全局出发，以前瞻性的战略思维和严谨的市场洞察为基础，制定了 一套能够有效驱动公司稳健发展的中长期战略——“5+2+X”战略。

“5”代表了公司聚焦五大应用市场（手机、PC、服务器、智能穿戴和工车规）， 其中在手机、PC、服务器等三大主要细分市场着力提升市场份额与核心竞争力， 力争实现与更多一线客户的深度合作；在智能穿戴和工车规市场投入战略性资 源，力争成为主要参与者。

“2”代表了公司二次增长曲线的两个关键布局：芯片设计和晶圆级先进封测， 芯片设计将为公司打造服务 AI 时代高性能存储器奠定坚实的技术基础，晶圆级 先进封测将构建 HBM 和 Chiplet 实现的封装技术基础，确保公司在 AI 和后摩尔 时代的行业竞争力。

“X”代表了公司对存算一体、新接口、新介质和先进测试设备等创新领域的探 索与开拓。 在研发封测一体化经营模式下，公司针对市场的不同需求进行产品设计、研发及原 材料选型，从供应商购入 NAND Flash 晶圆及芯片、DRAM 晶圆及芯片、主控晶圆及芯片等 主要原材料，对存储介质开展特性研究与匹配，通过固件/软件/硬件和测试方案开发适 配各类客户典型应用场景，并进行 IC 封测或模组制造，将原材料生产成半导体存储器产 品，销售给下游客户。该模式为公司在产品创新及开发效率、产能及品质保障等方面带 来竞争优势，同时规避了晶圆迭代的技术风险和过重的资本投入。

公司可覆盖的中下游环节占存储产品整体价值量的 20%-50%。根据公司公告，存储晶 圆设计制造等产业链前端环节与介质特性分析及固件设计、封装测试等产业链中后端环 节相互促进迭代升级。当前公司已具备覆盖主流存储晶圆类别的介质特性分析、固件设 计及芯片封测能力。此外，在 IC 芯片方面，公司第一颗主控芯片研发进展顺利，已经回 片点亮，正在进行量产准备，未来公司产品所覆盖价值量有望进一步提升。

同时公司注重存储领域的前沿技术发展，并布局相关技术研发。根据公司 1 月 18 日 投关记录信息，公司高度重视技术研发创新，近期成功研发并发布了支持 CXL2.0 规范的 CXL DRAM 内存扩展模块，兼具支持内存容量和带宽扩展、内存池化共享、高带宽、低延 迟、高可靠性等特点，赋能 AI 高性能计算。

根据公司 2023 年报，2023 年，在全球经济低迷和行业周期下行的压力下，终端市场 需求持续疲软，以智能手机、PC、服务器等为代表的存储市场需求持续萎缩，导致存储 器出货量及价格大幅下滑，据 Gartner 报告显示，2023 年全球存储器市场规模下降了 37%， 成为半导体市场中下降最大的细分领域。在此情况下，公司 2023 年毛利率下滑 11.97 个 百分点； 2023 年净利大幅下降的另一重要因素为存货跌价准备、研发费用和股权支付费用的 增加，这三项总计较去年同期增加约 3.93 亿元： 受行业整体下行等因素的影响，存储产品售价大幅下降，2023 年资产减值损失 对公司合并报表利润总额影响数为 13,827.48 万元； 新增股份支付费用 13,087.01 万元； 持续加大芯片设计、存储解决方案研发、先进封测及芯片测试设备等领域的研 发投入力度，并大力引进行业优秀人才，导致 2023 年研发费用较去年同期增加 12,358.37 万元，增幅 97.77%（扣除股份支付费用后研发费用较上年同期增幅 53.58%）。

公司根据市场趋势调整库存水位，公司采用按需采购和备货相结合的采购策略，一 方面根据与下游客户签立的销售订单及自身库存情况向供应商提出采购需求，另一方面 公司会根据对市场供给形势、存储晶圆价格趋势等市场因素综合分析，进行备货采购以 应对存储晶圆价格波动对公司经营业绩的影响。

根据 IDC 的预测，2024 年存储均价有望全面复苏，如以每 GB 价格计算（不区分产品 规格），其中 DRAM 有望均价上涨约 25%，而 NAND 价格有望上涨约 10%。因此我们认为在 公司已计提 23 年存货跌价损失的情况下，公司的存货将有望从存储涨价中获益。

按合约价格看，DRAM 与 NAND 存储有望实现全年持续价格上涨，DRAM 全年有望涨价 3 2~52%，DRAM 全年有望涨价 28~49%。根据集邦咨询的信息，DRAM 产品合约价自 2021 年 第四季开始下跌，连跌八季，至 2023 年第四季起涨。NAND Flash 方面，合约价自 2022年第三季开始下跌，连跌四季，至 2023 年第三季起涨。在面对 2024 年市场需求展望仍保 守的前提下，二者价格走势均取决于供应商产能利用率情况。

随着存储价格从 23Q4 的回暖上涨，公司盈利能力也已逐季改善，我们预计公司未来 的盈利能力还将持续受益于存储价格的上涨。

根据公司招股书，芯片类产品在生产过程涉及的原辅料主要包括 NAND Flash 晶圆、 DRAM 晶圆、主控芯片、基板等；模组类产品在生产过程涉及的原辅料主要包括 Flash 芯 片、DRAM 芯片、主控芯片、PCB 等，其中 Flash 芯片主要由公司芯片封测生产模块提 供。 公司在存储晶圆领域，与三星、美光、铠侠、西部数据等国际主流存储晶圆厂商拥 有长达 10 余年的密切合作关系，与包括三星、西部数据在内的国内外厂商达成 LTA/MOU 战略合作。 在主控芯片领域，公司采用慧荣科技、英韧科技、联芸科技等主流厂商的主控芯片， 结合自研核心固件算法，持续推出创新型存储器产品，并保障产品的高品质、高性能。

晶圆是经集成电路制造工艺制作而成的圆形硅片，具备特定的电性功能；芯片是晶 圆经封装测试后能够直接使用的成品形态。在半导体存储器领域，存储晶圆及芯片均系 核心存储介质，系半导体存储器的核心原材料，公司根据生产需求灵活选择采购存储晶 圆或芯片。全球的存储晶圆产能集中于三星、SK 海力士、美光、铠侠、西部数据、英特 尔、长江存储、合肥长鑫等存储晶圆制造厂商，该等厂商一般仅与少数重要客户建立直 接合作关系并签订长期合约。

我们认为公司与上游核心供应商建立的良好合作关系，有助于公司在存储行业建立 一定的供应链竞争壁垒。

公司已构建完整的、国际化的专业晶圆级先进封装技术、运营团队。项目负责人拥 有 15 年以上国际头部半导体公司运营管理经验，曾主持建立了国内首批 12 英寸晶圆级先 进封装工厂并实现稳定量产。项目核心团队具备成熟研发和量产经验，熟练掌握晶圆级 先进封装核心技术。 公司掌握 16 层叠 Die、30~40μm 超薄 Die、多芯片异构集成等先进封装工艺，为 NAND Flash 芯片、DRAM 芯片和 SiP 封装芯片的大规模量产提供支持。公司在 Flash 芯 片筛选测试、嵌入式芯片功能测试、老化测试、DRAM 存储芯片自动化测试、DRAM 存储芯 片系统级测试等多个环节，拥有从测试设备硬件开发、测试算法开发以及测试自动化软 件平台开发的全栈芯片测试开发能力，并处于国内领先水平。通过多年产品的开发、测 试、应用循环迭代，公司积累了丰富多样的产品与芯片测试算法库，确保产品性能卓越、 品质稳定。