东微半导如何打造市场竞争力？

专注自主技术创新，成就功率半导体技术领导者.

1.研发实力构筑牢固护城河，围绕底层创新推动品类拓宽

公司坚持自主创新的技术研发策略，知识产权实力雄厚。公司作为功率器件设计企 业，凭借多年的研发和产业化经验积累，在功率器件领域积累了深厚的技术并拥有 多项知识产权。公司拥有适用于超级结MOSFET的深槽结构设计及工艺技术；适用 于中低压MOSFET的屏蔽栅结构设计和工艺技术；适用于IGBT的创新性三栅结构设 计和工艺技术等多项核心技术，广泛应用于各类自研功率器件产品中。2022年上半 年，公司共获得专利83项，其中发明专利54项；实用新型专利2项，境外专利27项。

专注于底层结构创新，持续拓宽产品种类。公司凭借功率半导体底层结构和工艺实 现的自主创新能力，持续推进产品品类拓宽进程。公司主要产品结构分别为高压超 级结MOSFET、中低压功率器件、超级硅系列和TGBT四大类。根据公司年报披露， 截止2022H1，公司共计开发产品规格型号1958款，其中涵盖高压超级结MOSFET 产品（包括超级硅MOSFET）1150款，中低压屏蔽栅MOSFET产品710款，TGBT 产品98款，产品图谱处于持续扩张阶段，产品丰富度位居国内前列。

2.推进产品升级迭代，产品实力对标海外龙头

1. 超级结MOSFET覆盖宽域电压范围，性能表现优越。公司推出多系列GreenMOS超结产品，近千种型号，可覆盖宽域电压范围。公司采 用独特的专利器件结构和制造工艺，第三代高压MOSFET已实现大规模出货，多款 芯片进入车载领域，第四代高压MOSFET实现批量出货，最小电阻达17mohm，同 时公司已开始启动第五代超级结MOSFET技术研发相关工作。相较常规MOSFET， 公司产品具有更快的开关速度和更柔和的开关曲线，在获得极低的动态损耗的同时 大限度抑制了开关震荡，不仅可以大大提高系统效率、降低发热量，还可以简化系 统EMI设计。GreenMOS系列产品额定电压范围为500~800V，覆盖了小1A至大76A 以及不同封装类型的总共近百种芯片规格。

公司第三代GreenMOS已批量上市，器件性能水平可与国际领先厂商最新产品对标。 公司深沟槽超级结MOSFET的设计及工艺技术包括优化电荷平衡技术、优化栅极设 计及缓变电容核心原胞结构等技术。电荷平衡技术兼具专利技术创新性与工艺生产 稳定性：技术方面大幅提高衬底掺杂浓度，有效降低了导通电阻，从而降低器件损 耗；同时可以做到内部电场更加均衡，性能更加稳定。

普遍而言，超级结器件由于开关速度快，易产生开关震荡问题，公司的开关震荡栅极结构优化以及缓变电容核 心原胞结构技术能够对此进行有效优化。此外，由于功率器件导通损耗与电阻成正 比，开关时间越短，开关过程的能量损耗就越低，超级结器件在导通损耗方面具有 很大的优势，超级结MOSFET拥有极低的FOM值，从而拥有极低的开关能量损耗和 驱动能量损耗。在公司在优化器件性能的同时提高了产品的生产良率与工作可靠性， 超结产品性能已可对标海外龙头。

2. 器件结构创新基因助力公司进军IGBT领域，提升新能源领域话语权。公司TGBT（Trigate-IGBT）产品器件结构为三叉戟型，是一种区别于国际主流IG BT的创新型器件结构。产品包括低VCEsat系列、高速系列以及逆导型TGBT等多个 系列。2022年上半年公司基于自主专利技术的多个第二代TGBT产品已进入量产阶 段。

器件结构创新实现关键技术参数大幅优化，消除IGBT技术代差。公司的TGBT产品 在不提高制造难度的前提下，提升了功率密度，优化了内部载流子分布，调整了电 场与电荷的分布，并优化了导通损耗与开关损耗。公司TGBT产品的导通压降与开关 速度同时得到优化，在关键技术参数上有着大幅的提高，在应用过程中拥有发热低、 效率高的优势，可使整体应用系统的功耗更低，同时，公司TGBT产品拥有高功率密 度、低开关损耗、高可靠性以及自保护等优势。整体来看，公司TGBT产品整体性能 与国际主流第七代IGBT性能相当，消除多年以来国产IGBT与进口IGBT芯片间的技 术代差。

3.屏蔽栅MOSFET与超级硅产品不断发力创新，丰富产品品类。公司中低压屏蔽栅MOSFET具有高功率密度、低开关损耗、高可靠性等特点。基于 硅基工艺与电荷平衡原理，公司屏蔽栅MOSFET具有优秀的导通电阻与器件的乘积 优值以及更高的应用效率。2022H1，公司多款高可靠性SGT器件成功进入汽车电子 领域，主要应用于EPS转向驱动、风机驱动方面。同时，公司正持续拓展基于第三 代低压高密度屏蔽栅MOSFET工艺平台的产品规格，已应用于数据中心服务器电源 等领域。

公司自主研发超级硅MOSFET产品性能可对标氮化镓功率器件产品。公司的超级硅 MOSFET产品通过调整器件结构、优化制造工艺，突破了传统硅基功率器件的速度 瓶颈，具备极快的开关速度与极低的动态损耗。目前，公司超级硅产品正逐渐从充 电器等消费类领域转向工业和汽车领域，目前已通过全球最大微逆变厂商 Enphase 产品验证并被导入量产。未来随着公司第二代及第三代超级硅MOSFET器件的推出， 超级硅MOSFET将可以进入诸如服务器及汽车电驱等更多高端应用领域。

3.聚焦工业车规应用，积累众多知名客户

公司积累了全球知名的品牌客户群，并已成为部分行业领先客户认证的国产供应商 之一。凭借优异的技术实力、产业链深度结合能力和客户创新服务能力，获得了众 多工业级、车规级产品终端知名企业的认可且维持高度黏性，为公司保持高端功率 器件领域的领先地位奠定基础。在工业及汽车相关应用领域中，公司积累了新能源 汽车直流充电桩领域的终端用户如比亚迪、英博尔、英可瑞、英飞源等，5G基站电 源及通信电源领域的终端用户如华为、维谛技术、麦格米特等，以及工业电源领域 的终端用户如高斯宝、金升阳、雷能、通用电气等；在消费电子领域中，公司积累 了大功率显示电源领域终端用户如视源股份、美的、创维、康佳等。

工业车规收入占比持续提升，下游结构持续优化。根据公司中报披露，2022年上半 年，公司大力发展光伏逆变、储能应用、UPS方面的业务，并持续在工业电源、新 能源汽车车载充电机、直流充电桩、5G通信和基站电源、工业照明、数据中心服务 器电源等领域持续发力，汽车及工业级应用收入占主营业务收入超过70%。 未来，公司将继续深耕新能源汽车直流充电桩、光伏逆变与储能、新能源汽车车载 充电机、5G基站电源及通信电源、数据中心服务器电源和工业照明电源等领域，实现市场的均衡化与多元化；并持续开发更多新技术，以产品性能为第一竞争力迅速 提升超级结MOSFET、屏蔽栅MOSFET及TGBT的销售额，抓住行业快速发展机遇， 夺取广阔的进口替代空间。

4.深度合作龙头代工厂，加速12寸产能扩充

代工厂产能增量助力公司实现规模升级。通过优秀的产品和技术将产能价值提升， 而获得合作伙伴的支持是公司一贯秉承的做法。公司正与上游核心代工厂在产能上 共同规划，定义技术平台，实现更加深度的合作。随着公司上游晶圆代工合作伙伴 的扩产，公司将持续获得更多产能支持，从而实现市场份额的提升。目前，公司核 心供应商华虹半导体与粤芯半导体正进行大力扩产，公司有望显著受益，实现持续 高速成长。

12寸产能扩充进一步提升公司成长潜力。功率器件制造正处于向12寸晶圆生产线上 升级的趋势中，12寸晶圆单片功率器件芯片产量为8寸晶圆的2.25倍（假设Die Siz e大小不变），并能够有效降低平均成本和并提升芯片的提升一致性可靠性。作为国 内最早在12英寸晶圆产线实现量产的功率半导体设计公司之一，公司将进一步利用 平台优势提高现有产品的性能，目前公司基于12英寸芯片代工平台的产品布局已取 得较好成效：截止2022H1，超级结MOSFET产品层面，公司量产产品规格数量在1 2英寸产线持续增加，12英寸和8英寸产线的产品布局得到进一步优化。TGBT产品 层面，公司8英寸及12英寸的先进制造工艺的IGBT技术开发及扩产顺利进行，随着 新产线的扩充及新一代TGBT产品的研发成功，公司TGBT产能将得到迅速增加。

我们认为，公司凭借以华虹为首的代工厂产能支持，持续扩大各类功率器件的产能， 优化8寸产品结构，提升8寸产能的产品技术价值，并加快在12寸线的技术转移，迅 速扩大12寸超级结MOSFET、屏蔽栅MOSFET及TGBT的产品规格与系列，扩大产 能占有率，将有效提升出货量，凭借产能优势实现市场份额的扩张，不断提升市场 占有率。同时，公司持续加大导入工业车规等高端下游领域力度，盈利能力有望持 续提升。