东微半导业务布局进展如何？

公司 MOSFET 产品性能比肩国际龙头，构建产品竞争力护城河。

公司 MOSFET 产品覆盖高压超级结 MOSFET、中低压屏蔽栅 MOSFET、超级硅 MOSFET，产品性能比肩国际龙头，并持续推进器件结构和工艺研发，构筑技术护城河。 1）高压超级结 MOSFET：产品主要为 GreenMOS 产品系列，全部采用超级结的技 术原理，具有开关速度快、动态损耗低、可靠性高的特点及优势。公司在高压超级结技 术领域积累了包括优化电荷平衡技术、优化栅极设计及缓变电容核心原胞结构等行业领 先的专利技术，产品的关键技术指标已达到与国际领先厂商可比的水平。 2）中低压屏蔽栅 MOSFET：产品均采用屏蔽栅结构，主要包括 SFGMOS 产品系 列、FSMOS 产品系列，积累了包括优化电荷平衡、自对准加工等核心技术，产品的关 键技术指标达到国内领先水平。 3）超级硅 MOSFET：是公司自主研发、性能对标氮化镓功率器件产品的高性能硅 基 MOSFET 产品，通过调整器件结构、优化制造工艺，突破传统硅基功率器件的速度 瓶颈，在电源应用中达到接近氮化镓功率器件开关速度的水平。

市场需求旺盛，公司产销量快速增长。公司逐步扩大生产规模，产量呈不断提高的 趋势；同时，伴随公司与既有客户的合作关系日趋稳固，且公司不断打开新市场，产品销量亦呈不断提高的趋势，22 全年公司功率半导体产销率达 98%，持续保持较高水平。 在公司从上游供应商获得的晶圆代工产能持续提升的前提下，公司进一步聚焦于大 功率、大电流高压超级结 MOSFET、高性能 TGBT 产品，上述成品具有单位芯片面积 大、单颗售价高的典型特征，广泛应用于车规及工业级领域。同时，公司亦针对下游客 户的需求情况进行了积极备货。

公司 TGBT、SiC 器件性能国际领先，营收持续高增长可期。（1）TGBT。TGBT 产品已覆盖新能源多应用领域，技术迭代升级有序进行。公司的 IGBT 产品 采用具有独立知识产权的 TGBT 器件结构，区别于国际主流 IGBT 技术的创新型器件技 术，通过对器件结构的创新实现了关键技术参数的大幅优化，公司已有产品的工作电压 范围覆盖 600V-1350V，工作电流覆盖 15A-200A，已具备赶超目前国际最为先进的第七 代 IGBT 芯片的技术实力。 公司 TGBT 多款产品进入批量供货阶段，进入光伏逆变及储能、新能源汽车车载充 电机、新能源汽车直流充电桩模块等多个新能源领域的头部企业。E 系列高速 TGBT 产 品批量应用于 60kHz 频率电源系统，实现高速 IGBT 领域国产替代；L 系列 TGBT 实现 了对国外超低 VcesatIGBT 的替代；在新能源汽车主驱应用领域进入认证阶段。2022 年 TBGT 产品迭代升级有序进行，在研项目有望进一步丰富产品矩阵。

TGBT 22 年营收同增 685%，成公司业绩增长新动能。2021 年公司 TGBT 产品首 次量产出货，全年实现营业收入 568 万元，营收占比仅为 0.73%；2022 年公司 TGBT 产 品实现营业收入 4,461 万元，同增 685%，营收占比达 4%。TGBT 产品收入增速显著， 基于自主创新 Tri-gate 器件结构形成技术护城河，将成为公司营收增长新动能。

（2）碳化硅。SiC 器件已取得较大研发进展， Si2C MOSFET22 年首次实现营收。公司 SiC 二极 管、SiC MOSFET 均使用 SiC 衬底，充分利用 SiC 宽禁带材料的耐高压和耐高温特性。 Si2C MOSFET 则部分使用 SiC 衬底，克服传统 SiC MOSFET 成本高和 Vth 飘移的缺点， 实现高栅氧可靠性，同时实现接近 SiC MOSFET 优秀的反向恢复能力，应用领域覆盖新 能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、数据中心服务器高效率电源 等。22 年公司 SiC 器件（含 Si2C MOSFET）首次实现营收 0.13 万元，取得重要突破。