东微半导发展历程、股权结构、业务布局及营收分析

国内高性能功率器件引领者。

公司是国内高性能功率半导体领域的头部设计公司，专注半导体器件结构的技术 创新，拥有多项半导体器件核心专利。2008 年，龚轶与王鹏飞先生作为联合创始 人共同创办东微半导体，13 年东微在国际顶尖期刊《Science》上发表了原创的 半浮栅器件技术论文，取得我国半导体核心技术的重大突破。随后公司在高压超 级结 MOSFET 等功率器件结构设计上不断革新，产品打破了大功率充电桩等领域国 外厂商的长期垄断，逐渐成为了国内高性能功率半导体领域的代表公司。

公司实际控制人为联合创始人龚轶及王鹏飞，均拥有丰富的半导体从业经验。公 司董事长兼总经理龚轶先生曾担任美国超微半导体公司工程师和德国英飞凌汽车 电子与芯片卡部门技术专家；董事兼首席技术官王鹏飞博士，曾担任德国英飞凌 科技存储器研发中心研发工程师、德国奇梦达公司研发工程师及复旦大学微电子 学院教授，提出并制造世界上首个半浮栅晶体管，成果于《Science》发表。目前 东微半导拥有 2 家子公司(广州动能半导体、香港赛普锐思)以及两家分公司(上 海分公司、深圳分公司)，并作为有限合伙人参与苏州工业园区苏纳微新创业投资 合伙企业（基金）。

公司产品包括高压超级结 MOSFET（简称超结 MOS）、中低压屏蔽栅 MOSFET、超级 硅及 IGBT(TGBT)等器件类型，中低压产品应用于高性能同步整流、专用机器人及 各类工具电机驱动，高压产品应用于直流充电桩及车载充电机、变频及电机驱动、 数据中心及通讯电源、光伏及储能工业电源、大屏幕显示电源和工业照明等领域。

公司通过器件设计创新实现产品性能领先，在各类器件性能交叉区开发差异化品 类拓宽产品能力圈。单管产品封装形式偏标准化，产品竞争力来源于芯片性能。 公司产品性能对标国际一流厂商，铸就了在超结 MOS 等细分领域的领先地位；在 此基础上，公司在 MOSFET、IGBT 等传统器件结构上进行设计革新，推出了超级硅、 TGBT、碳化硅及 Hybrid FET 等新品类，可将原传统器件参数范围拓宽至品类交叉 区，最终实现产品能力圈的扩展。

2018-2021 年公司营业收入年均复合增长率 72.3%；扣非归母净利润年均复合增 长率 95.1%。在新能源应用的驱动下，公司近五年保持高速成长，2018-2021 年公 司营业收入年均复合增长率 72.3%；扣非归母净利润年均复合增长率 95.1%。22 年 前 三 季 度 公 司 实 现 营 收 7.9 亿 元 (YoY+41.3%) ， 归 母 净 利 润 2 亿 元 (YoY+115.62%) ， 扣 非 归 母 净 利 润 1.9 亿 元 (YoY+114.5%) ， 毛 利 率 33.7%(YoY+5.1pct)。

高压超结 MOS 目前为公司主要产品，公司研发投入保持高增长。公司主要产品高 压超结 MOS 在储能及光伏需求拉动下，1H22 占比为 78.1%。TGBT 产品经过 21 年 小批量过程后进入高速增长期，1H22 营收同比增长 70 倍且占比增至 3.7%。在此 基础上，公司持续进行研发投入，保持技术迭代升级。截至 1H22，公司研发部共 拥有 44 名研发人员，合计占员工总数的 44.90%；1H22 研发投入 2072.58 万元， 同比增长 25.60%。