东微半导如何打开产品增长空间？

国产化驱动存量替代，新能源加速增量渗透。

1.公司产品性能比肩国际一流厂商，研发成果转换效率高

器件设计能力强，产品性能比肩国际一流厂商。以公司超级结 GreenMOS 系列产品 为例，通过自主器件设计和工艺优化，GreenMOS 产品解决了常规超级结 MOSFET 所存在的成品良率低、开关波形震荡等技术问题，实现了产品优值、导通电阻等 性能指标达到国际先进水平，是国内最早进入工业和汽车相关应用领域的功率器 件厂商之一。

人均创收能力强且研发成果转换效率高。公司持续推进底层器件结构的自主创新， 在高压超级结 MOSFET、中低压屏蔽栅 MOSFET 以及 TGBT 产品领域形成了一系列具 有自主知识产权的核心技术，截至 1H22 公司累计申请专利数为 307 个，其中包含 发明专利 131 个。21 年公司研发人员占比达 44%，明显高于行业其他可比公司； 此外，公司 21 年人均营收贡献 1043 万元，明显高于其他可比公司，人均贡献比 达 37，研发成果转换效率高。

2.公司产品结构不断优化，客户覆盖各行业龙头

公司产品线丰富，客户覆盖各应用领域头部厂商。截止 1H22 公司共计拥有产品规 格型号 1958 款；其中高压超级结 MOSFET 产品（含超级硅 MOSFET）1150 款（覆盖 工作电压范围 500V-950V），中低压屏蔽栅 MOSFET 产品 710 款（覆盖工作电压范 围 25V-200V），TGBT 产品 98 款（600V-1350V），客户涵盖各应用领域头部厂商。

公司 1H22 汽车与工业级应用已超 70%，库存周转天数优于行业平均水平。截至 1H22 公司直流充电桩收入占比超 17%(YoY+60%)，光伏逆变器收入占比约 10%(YoY+300%)，车载充电机收入占比超 14%，约为去年同期 14.5 倍，各类工业 及通信电源领域收入占比约 21%(YoY+58%)；3Q22 汽车与工业应用占比在此基础上 持续提升。3Q22 库存周转天数约为 66.5 天，明显低于功率半导体行业平均水平， 库存保持健康状态。

3.TGBT与碳化硅等新产品打开公司多维增长空间

22-25 年全球 IGBT 市场将 12.1%复合增速增长至 136 亿美元，公司 TGBT 产品性 能优异，业务进入高速增长期。根据 Omdia 数据，22-25 年全球 IGBT 市场将从 96.7 亿美元增至 136 亿美元。公司自主设计的 TGBT 产品通过创新性结构实现了在导通 压降、开关速度等 IGBT 关键技术参数上的提升，对基于传统 trench-gate FS-IGBT 技术的芯片顺利进行替代，已在光伏逆变器、储能、直流充电桩、电机 驱动等领域获客户批量应用。1H22 公司 TGBT 实现收入 1710.46 万元，同比增长 70 倍以上。

22-25 年全球碳化硅器件市场将以 42%复合增速增长至 43 亿美元，公司已推出碳 化硅产品。与 Si 相比，SiC 击穿场强是 Si 的 10 倍，导电能力更强，且热导率及 熔点是 Si 的 2-3 倍，电子饱和速度是 Si 的 2-3 倍，性能优异，未来将在中功率 大电流场景中快速渗透。我们结合 Yole 数据测算，预计 SiC 器件市场将从 2021 年 10.9 亿美元增至 2025 年 43 亿美元以上，复合增速达 42%。其中，新能源汽车 将从 2021 年 6.7 亿增至 2025 年 34 亿美元，复合增速 51%，占整个市场 80%。目 前公司 SiC MOSFET 器件已申请多项专利，部分新能源车载充电机客户已使用公司 开发的并联 SiC 二极管的高速系列 TGBT 产品，并初步获得批量订单，未来，随着 碳化硅行业加速渗透，公司该业务有望同步快速成长。