东微半导发展历程、股权架构、主要产品及财务分析

具备从专利到量产高性能功率器件的完整经验。

1.发展历程：技术驱动型的功率半导体公司

技术驱动型的半导体技术公司：东微半导体成立于2008年，采用 Fabless 的经营模式，专 注功率半导体技术创新，拥有多项半导体器件核心专利。坚持打破国外厂商的垄断：2016年东微半导自主研发的新能源汽车直流大功率充电桩用核 心芯片成功量产，打破国外厂商垄断。目前是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性 能功率器件设计公司之一，在新能源领域替代进口半导体产品迈出了坚实一步，产品进入 多个国际一线客户。

2.股权架构：实控人股权集中

实控人股权集中，股权激励绑定人才红利。截至2022年2月9日，公司联合创始人王鹏飞博 士和龚轶直接或间接控制及通过一致行动安排合计共同控制了公司43.51%股份，系本公司 的实际控制人。公司在2018年、2019年对部分核心员工实施了三次股权激励，公司部分核 心员工通过持股平台苏州高维和得数聚才间接持有公司3.32%、2.11%权益。

3.主要产品

公司实现大规模销售的主要产品为MOSFET功率器件，包括高压超级结MOSFET及中低压 屏蔽栅 MOSFET等。同时公司已开发了超级硅MOSFET及TGBT等先进功率器件产品，也已处于量产阶段。产品的电压范围0~1350V，电流从0A~300A，应用场景跨度较大。

高压超级结MOSFET：相比普通硅基MOSFET技术优势明显

超级结产品相比普通硅基MOSFET具有显著优势，公司产品 Green MOS 产品系列性能先 进：超级结 MOSFET 产品通常需要更高的技术设计能力及工艺制造水平，能够突破平面型 器件的性能局限性，具备更好的静态和动态特性，可以工作于更大功率的系统之中。公司 产品主要为 GreenMOS 产品系列，是该领域规格较完整的国内厂商之一。

超级硅MOSFET和TGBT：销量大幅增速

超级硅MOSFET和TGBT都是公司最新产品，销量大幅增长：2021年公司超级硅MOSFET的 销量为72.7万颗，同比增长413.06%，TBGT的销量为72.43万颗。 公司超级硅MOSFET和TGBT具有明显技术优势：超级硅MOSFET性能对标氮化镓功率器件产 品，采用硅基材料，具有工艺成熟度高、工艺成本低及高可靠性等技术特点及竞争优势。公司 的 IGBT 产品采用具有独立知识产权的 TGBT 器件结构，不提高制造难度的前提下提升了功率 密度，优化了内部载流子分布，调整了电场与电荷的分布，同时优化了导通损耗与开关损耗， 具有高功率密度、开关损耗低、可靠性高、自保护等特点。

4.财务分析：产品出货量持续提升

近三年，公司营业收入年均复合增长率达72.30%：公司主营产品广泛应用于新能源汽车充 电桩、通信电源、光伏逆变器、新能源车车载充电机、数据中心服务器电源、快速充电器 等领域。公司业绩的持续增长主要系受前述应用领域需求增长、产能持续扩大、新产品不 断推出及产品组合结构进一步优化等因素影响。2021年收入达7.82亿元，同比增长 153.28%，扣非归母净利润达到1.41亿元，同比增长588.67%。2022 年上半年公司营收同 比增长。主要产品出货量持续增长，2021年高压超结MOSFET出货量达1.88亿颗，三年复合增长率 为57%，中低压屏蔽栅MOSFET出货量为0.99亿颗，三年复合增长114%。

高压超级结MOS和屏蔽栅MOS占据收入主导

近三年营收增长率分别为28.22%、57.51%、153.28%。公司主要产品分为高压超级结 MOSFET，中低压屏蔽栅MOSFET，超级硅MOSFET，TGBT四大类，其中前两者为公司的 主要产品，二者合计占比超过98%，超级硅MOSFET和TGBT处于初期阶段，收入占比较低 ，但是增长趋势良好。公司产品的终端应用聚焦在工业级领域和消费级领域。车规级和工业级应用领域以新能源 汽车直流充电桩、5G 基站电源及通信电源、数据中心服务器电源和工业照明电源为主，消 费电子应用领域以 PC 电源、适配器、TV 电源板、手机快速充电器为代表。