上海新阳研究报告：晶圆及先进封装材料国内领先，高端光刻胶进展顺利.pdf

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时间：2024/01/04
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上海新阳研究报告：晶圆及先进封装材料国内领先，高端光刻胶进展顺利。公司电镀液及添加剂产品已覆盖 90-14nm 技术节点；干法蚀刻后清洗液已经实现 14nm 以上技术节点全覆盖，20-14nm 电镀液及添加剂已实现销售；用于存储器芯片的原创新产品氮化硅蚀刻液打破国外垄断，并与客户共同开发、验证更高层级的产品系列；用于铜抛光后清洗液产品开发完成，已进入到客户端。芯片制造用铜互连电镀液及添加剂、蚀刻后清洗液、氮化硅刻蚀液产品已大规模供应国内集成电路生产制造企业。

公司积极规划产能，在光刻胶、抛光液领域构建第二、第三成长曲线上海工厂完成改扩建后产能达 1.9 万吨/年。合肥新工厂一期 1.7 万吨/年的产品产能，预计 2023 年年底试生产，二期项目目前处于同步建设阶段。公司自主研发的 KrF 光刻胶持续通过认证客户，已在国内主流晶圆制造厂商处实现供货，ArF 光刻胶目前处于客户端认证阶段。抛光液方面，目前已有成熟的 SiO2 体系的抛光液成功进入客户端，实现销售，CeO2体系的部分产品已在客户产线上线测试，性能良好，公司的第二、第三成长曲线正逐步成型。