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电子行业晶圆代工专题2：存储代工需求放量叠加产能转移，大陆本土逻辑代工景气度上行。引言：AI 加速存储需求爆发，存储行业开启新一轮上行周期，推动存储厂商产能扩张及 技术迭代，无论是 NAND 和 DRAM 的存储-逻辑双晶圆架构，还是 HBM 的 Base Die 的工艺升级，共同打开存储领域对逻辑代工的需求增量。本文将聚焦 DRAM、NAND 及 HBM 三大核心产品，以及 CoWoS 中介层需求和成熟制程产能转移，测算大陆 Fab 逻 辑代工的增长潜力。

DRAM：随着 DRAM 工艺制程逐步发展，其外围电路工艺从 HKMG 发展至 FinFET。 据 YOLE 数据，行业目前正在推进 CMOS 键合阵列（CBA）技术研发与落地，泛林也 表示在 4F²中 CMOS 部分将会与存储列阵以 Bonding 形式相结合，海力士也在推动此 类技术发展，CBA 架构为存储密度的持续提升开辟新的技术路径。据我们测算，在 CMOS 逻辑晶圆与 DRAM 晶圆 1:1 键合的模式下，DRAM CBA 架构预计在 2030 年为 全球逻辑代工市场新增 71 万片/月产能需求，其中本土逻辑代工需求将达到 49 万片/ 月。

NAND：在 3D NAND 领域，国际市场长期以 PNC、PUC 架构为主流，而长江存储依 托独创的 Xtacking 架构实现技术突围。该架构可搭载更先进的逻辑工艺，进而大幅提 升 NAND 产品的性能。随着 NAND 外围电路要求逐步提高至 HKMG，分离架构是一种 更好的选择，海外厂商正逐步跟进布局类似 Xtacking 的 CBA 架构，其中铠侠已率先将 CBA 技术导入 3D NAND 量产产品线，据我们预计，在 2030 年 NAND 将会给逻辑晶 圆代工需求带来 142.8 万片/月的需求，其中本土厂商带来的需求为 59 万片/月。

HBM 及 CoWoS：在 HBM3E 及之前的版本中，Base Die 均由存储厂商自主采用 DRAM 制程完成制造，但是随着 AI 服务器性能不断增长，Base Die 要求也随之升级。我们预 计到 2030 年 HBM 将会带来的 12 寸晶圆产能需求大约为 7 万片/月，本土需求大约为 1.4 万片/月。CoWoS 需求持续火热，据我们预计，CoWoS 中介层对 12 寸晶圆的需求 在 2030 年将会达到 15.6 万片/月，其中本土需求为 3.9 万片/月。

产能转移：据 TrendForce 数据，受台积电、三星主动削减 8 英寸产能影响，2025 年 全球 8 英寸产能同比下降约 0.3%，2026 年收缩幅度预计扩大至 2.4%。结合 SEMI、 TrendForce 及 Omdia 数据测算，若台积电、三星全面退出 8 英寸晶圆制造，将导致 全球 8 英寸产能减少约 10%。在 12 英寸领域，台积电亦逐步缩减其成熟制程产能。 随着台、韩厂商成熟制程产能持续收缩，国内晶圆厂有望承接更多外溢需求。