光刻胶行业分析：半导体国产替代核心材料，国内厂家有望迎来发展新阶段.pdf

光刻胶行业分析：半导体国产替代核心材料，国内厂家有望迎来发展新阶段。光刻胶为半导体核心材料，景气周期与自主可控共振迎来发展新阶段。光刻 是半导体加工中最重要的工艺之一，决定着芯片的最小特征尺寸。光刻占芯 片制造时间的 40-50%，占其总成本的 30%。光刻胶是光刻环节关键耗材，其 质量和性能与电子器件良品率、器件性能可靠性直接相关。根据 SEMI 数 据，2021 年光刻胶在晶圆制造材料市场中占比 6.1%，而光刻胶基本被日美垄 断，国产化率不足 10%。复盘国内光刻胶上市公司股价走势，半导体景气周 期与自主可控两大因素对股价影响大。从当前时点看下游普遍预期 23H2迎来 复苏，景气周期有望筑底回升；年初以来自主可控紧迫性进一步加强，景气 周期与自主可控共振光刻胶有望迎来发展新阶段。

Fab 厂积极扩产&制程升级重塑光刻胶市场天花板，预计光刻胶市场国内增 速高于全球。光刻胶质量性能直接影响芯片性能和良率，为适应集成电路线 宽不断缩小的要求，光刻胶波长也在不断缩短，按波长划分可分为 G 线 （436nm）→I 线（365nm）→KrF（248nm）→ArF/ArFi（193nm/134nm）→ EUV（13.5nm）。根据 TECHCET 数据 2020 年全球半导体光刻胶市场中， ArFi 光刻胶占据了 40%，KrF 光刻胶占比 33%。受下游晶圆厂扩产&制程升 级驱动全球半导体光刻胶量价齐升，市场空间广阔，根据 TECHECT 数据 2021 年光刻胶全球市场规模约为 19 亿美元，2026 年有望增长至 28.5 亿美 金，2021~2026 5 年 CAGR 5.9%。量增：SEMI 预计未来全球晶圆产能将持续 扩张，光刻胶作为重要耗材需求同步提高；价升：12 英寸晶圆占比持续提 升，2021 年已达 68.47%，12 英寸芯片所用制程通常在 130nm 以下，且在持 续向先进制程转移，随着大硅片趋势&制程结构升级，高端光刻胶的需求将 会进一步提升，带动单位面积晶圆消耗的光刻胶价值量上升。随着晶圆产能 结构向大陆转移，预计未来国内半导体光刻胶市场将保持高于全球的增速 （2022 年国内光刻胶市场预计 39.3 亿元，同比增长 35%，同期全球光刻胶增 速 12.32%）。

从产业链角度看光刻胶存在上游材料/中游配方/下游客户导入等多重壁垒。 ①上游：光刻胶由树脂、光敏剂、溶剂等组分构成，树脂、光敏材料等仍依 赖进口；②中游：光刻胶配方需对成百上千种树脂、光敏剂等进行排列组合 并不断调整比例才能匹配已有产品的关键参数，需要极强的研发积累，此外 测试设备光刻机获取难度大、成本高；③下游：光刻胶性能及量产的稳定性 直接影响芯片性能和良率，且光刻胶的验证时间通常在两年以上，因此下游 晶圆厂与供应商粘性较强，导入新供应商意愿不强。

高壁垒下日美寡头垄断市场，自主可控背景下国产替代加速。高壁垒下当前 全球半导体光刻胶市场呈现日美垄断的格局，2020 年全球 ArF 光刻胶市场前 四大厂商(TOK、信越化学、JSR、住友化学)均来自日本，CR4 近 80%；KrF 日美四大厂商 TOK、信越化学、陶氏化学、JSR 占比近 85%。国内企业半导 体光刻胶主要集中在 g/i 线，高端 KrF/ArF 光刻胶国产化率极低，EUV 光刻胶 尚处于研发阶段，经过多年积累国内厂家逐渐取得突破：g/i 线光刻胶已有多 家企业实现规模量产；KrF 光刻胶北京科华和徐州博康进展较快，2022 年已 有多个品种实现销售，此外晶瑞及上海新阳也有少量销售；ArF 光刻胶南大 光电 2021 年有产品验证通过，华懋科技、上海新阳也有相关产品进行测试导 入；EUV光刻胶：当前国内并无 EUV光刻机，各厂商尚处于理论研发阶段。