中瓷电子（003031）研究报告：电子陶瓷外壳“一枝独秀”，碳化硅MOSFET“勇立潮头”.pdf

中瓷电子（003031）研究报告：电子陶瓷外壳“一枝独秀”，碳化硅MOSFET“勇立潮头”公司简介：电子陶瓷外壳龙头，拟收购三代半导体资产。作为国内电子陶 瓷外壳的龙头厂商，公司依托控股股东中电科十三所强大的研发资源和技 术积淀，开创了国内光器件电子陶瓷外壳产品。作为行业引领者，受益于 光通信需求高成长和大客户突破，2016-2021 年，营收复合增速 34.4%，归 母净利润复合增长 35.2%，持续高增长；公司加速新市场布局，在消费电 子、汽车激光雷达/IGBT 模组等陶瓷外壳领域均有突破，呈现“全面开花” 态势；国资委密集发文鼓励国企优质资产上市，公司公告拟发行股份收购 中电科十三所下属氮化镓基站射频芯片业务、博威集成和国联万众 100% 股权，并募集配套资金，十三所的上述资产系国内氮化镓/碳化硅三代半导 体市场引领者，且构筑了稀缺的 IDM 模式，上市后有望加速产能扩张， 凭借技术和客户优势，抢占市场份额，并作为电子陶瓷外壳重要下游，发 挥协同效应；公司高管和核心骨干在公司持股 7%，激励充分，管理文化 优异，保障公司持续成长动力。

电子陶瓷外壳“一枝独秀”，迎激光雷达/IGBT 市场爆发：电子陶瓷外壳 作为高端电子陶瓷的品类之一，主要用于工作在高频、高温、高压或者 高可靠性环境的芯片的气密性封装，伴随越来越多的芯片工作在上述环 境，未来市场持续扩张，成长逻辑清晰；2020 年，全球电子陶瓷外壳市 场规模超 300 亿元，日本京瓷“一家独大”，市占率超 50%，公司作为国 内龙头，市占率约 3%，考虑到公司在通信、消费电子、工业激光器等电 子陶瓷外壳的产品性能与日本京瓷相当，服务响应、交付和成本具备显著优势，国产替代呈加速态势。在新能源汽车市场，公司产品应用于激光雷达 发射端模组、IGBT/碳化硅模块，逐渐实现客户突破和批量供应，深度受益新 能源车市场爆发；电子陶瓷外壳技术壁垒高，配方是核心，工艺和设计能力难 度大，国内竞争对手少，公司在材料配方体系和工艺设计等方面积累深厚，构 筑了强大的护城河，有望在国产替代和新业务爆发驱动下持续高增长。

氮化镓 PA 比肩海外巨头，下游应用逐步拓展：氮化镓作为三代半导体的主要 材料之一，开关速率快、耐高温、耐高压、电阻低等性能优势突出，碳化硅基 氮化镓应用于射频（基站、卫星通信、军用），市场增速平稳，硅基氮化镓应 用于消费电子（快充），市场快速增长；公司拟收购资产主体为十三所优质氮 化镓业务，客户为全球主要设备商龙头，性能比肩海外巨头，国内领先优势明 显，伴随公司产能扩张，份额仍有提升空间，预计保持平稳增长；公司有望加 速新市场布局，拓展氮化镓市场应用，打造新增长点。

率先突围碳化硅 MOS，迎新能源车高压平台蓝海市场：碳化硅是另一种三代 半导体材料，在保有了氮化镓大禁带宽度、电子饱和速率高等优势外，还在击 穿场强（耐高压）、热导率和损耗等方面具备更大优势，碳化硅 MOSFET 正逐 步替代部分硅基 IGBT，技术演进趋势确定，未来有望广泛应用于高压平台新 能源汽车。碳化硅产业链，衬底成本占比超 40%，技术壁垒最高，集中度高， 外延、器件和模块封装技术难度递减，伴随 CREE、II-VI 等厂商加速扩产和 8 英寸工艺升级，叠加以天科合达、天岳先进为代表的国内龙头逐渐追赶，上游 成本有望加速下降，驱动下游需求爆发；以特斯拉、比亚迪、蔚来、小鹏等为 代表的新能源整车厂顺利导入碳化硅 MOS，应用于电驱（价值核心）、OBC （快速成长）、DC-DC 等，伴随成本下降，其他厂商有望加速跟进，渗透率提 升速度加快。公司拟收购的国产万众，承接了十三所积累多年的碳化硅芯片器 件技术，在碳化硅 MOSFET 领域逐渐突破，产品应用于国内龙头整车厂 OBC，应用于电驱的碳化硅 MOSFET 亦有望逐渐突破，抢占先机，深度受益 新能源车需求爆发。