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全球功率氮化镓器件市场研报
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- 2023/11/21
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- yole
全球功率氮化镓器件市场研报
标签： 氮化镓 镓 -
天岳先进（688234）研究报告：全球半绝缘SiC衬底巨头，6英寸导电型加速扩产.pdf
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- 2022/01/12
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- 招商证券
国内半绝缘型碳化硅衬底龙头，2021年归母净利润扭亏为盈。公司成立于2010年，曾探索过蓝宝石衬底，2011年至今专注于SiC衬底，已具备2/3/4/6英寸半绝缘型和导电型碳化硅衬底量产能力，目前主营4英寸半绝缘型碳化硅衬底，正在进行6英寸导电型SiC衬底扩产。公司营收从2018年的1.36亿元增长至2020年的4.25亿元，CAGR达76.78%，系国际SiC供应链安全背景下，下游通讯行业需求加剧，大客户验证通过订单放量。根据注册稿全年经营情况预计，预计2021年营收4.65~5.05亿元，同比+9.46%~18.88%,归母净利润0.65~1.05亿元，扣非归母净利润0.12~0.25亿元...
标签： 半导体 氮化镓 功率器件 天岳先进 SiC -
第三代半导体GaN技术洞察报告（发布版）.pdf
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- 2022/01/07
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- 智慧芽
氮化镓材料定义:氮化镓(GaN)主要是由人工合成的一种半导体材料,禁带宽度大于23eV,也称为宽禁带半导体材料氮化镓材料为第三代半导体材料的典型代表,是硏制微电子器件、光电子器件的新型材料
标签： 半导体 第三代半导体 氮化镓 GaN -
化合物半导体行业深度报告：化合物半导体风起云涌，大势所趋大有可为.pdf
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- 2021/08/03
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- 国海证券
随着5G、IoT物联网时代的来临，以砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为代表的化合物半导体市场有望快速崛起。其中，GaAs是手机PA和Switch的主流材料，在5G时代仍占有重要地位，据集邦咨询预测，2023年中国手机砷化镓PA市场规模达到57.27亿美元。再者，以VCSEL为代表的光电器件可用于3D感知、LiDAR等新应用场景，未来亦将成为GaAs增长新的驱动力;GaN高频性能突出，是5G基站与数据中心器件的关键材料，并有望率先在快充领域大放异彩，Yole预计2023年全球GaN功率器件市场规模将达到13亿美元。
标签： 化合物半导体 砷化镓 氮化镓 -
2021-2027年中国GANRF器件市场分析与投资前景研究报告.pdf
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- 2021/07/29
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- 博思数据研究中心
在过去的五十年中，射频（RF）电路经历了快速发展和技术演变，一共经历了四个时期。第一个时期，从20世纪60年代中期到20世纪70年代中期，其特点是使用二极管有源器件和波导传输线和谐振器。第二个时期的主要特点是使用了GaAsMESFET器件，通过连接诸如GaAsMESFET和二极管的有源器件来组装电路。第三个时期主要特点在于不断降低RF/微波固态电路的成本，尺寸和重量，遵循数字IC和模拟IC一样的路径，GaAs集成电路的制造技术于20世纪80年代中期开始出现，单片的MMIC集成电路取代当时存在的大部分陶瓷微带混合硬件。第四个时期随着无线应用场景需求的增多，降成本的需求促使基于Si工艺的RFIC取...
标签： 氮化镓 射频 5G -
第三代半导体专题报告：大势所趋，国内厂商全产业链布局.pdf
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- 2020/09/08
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第三代半导体材料主要分为碳化硅SiC和氮化镓GaN，相比于第一、二代半导体，其具有更高的禁带宽度、高击穿电压、电导率和热导率，在高温、高压、高功率和高频领域将替代前两代半导体材料。氮化镓因缺乏大尺寸单晶，第三代半导体材料的主要形式为碳化硅基碳化硅外延器件、碳化硅基氮化镓外延器件，碳化硅应用更为广泛。
标签： 半导体 氮化镓 -
硅基氮化镓外延晶圆生产建设项目可行性研究报告.doc
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- 2020/08/10
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- 中投信德
硅基氮化镓外延晶圆生产建设项目可行性研究报告
标签： 氮化镓 硅基 可研报告 -
第三代半导体产业发展报告（2019年）.pdf
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- 2020/03/09
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2019年全球第三代半导体技术、产品、市场、投资均呈较高增长态势。产品性能、可靠性趋于稳定，客户接受度提高。材料方面，SiC高品质4英寸衬底全面商业化，6英寸衬底的商业化也在持续推进。GaN，4英寸高纯半绝缘SiC基GaN外延材料为市场主流，6英寸进入试用阶段；Si基GaN外延材料方面，6英寸和8英寸均已量产。SiC功率模块化产品推出速度加快。商业化GaN射频器件供应上量，性能可靠性逐步得到应用端认可。国际企业纷纷加强布局。
标签： 半导体 氮化镓
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