拓荆科技经营看点在哪？

 十余年磨一剑，技术优势确立领先地位。

产品品类丰富，覆盖度广阔。拓荆科技专注于 CVD 产品，现已形成 PECVD、ALD、 SACVD 及 HDPCVD 为主的薄膜设备系列产品，在集成电路逻辑芯片、存储芯片制造 等领域得到广泛应用，同时，公司不断丰富设备产品品类，拓宽薄膜工艺应用覆 盖面，目前公司推出的 PECVD、ALD、SACVD 及 HDPCVD 等薄膜设备可以支撑逻辑 芯片、存储芯片中所需的全部介质薄膜材料和约 100 多种工艺应用。

1） PECVD：利用等离子体来增强气相前驱体与基底之间的化学反应。等离子体是 通过对气体施加射频（RF）功率而产生的，射频会使气体电离并产生高能电 子，电子会与其他气体分子碰撞，从而产生高活性等离子体。PECVD 可以沉 积出具有极佳均匀性和一致性的薄膜，是制造微电子和光电设备的理想工艺。 且 PECVD 能在不同基底上沉积各种材料，工作温度相对较低，通常在 100°C 至 400°C 之间，沉积的薄膜具有良好的介电性能、低机械应力和出色的均匀 性，因此成为集成电路制造的首选，但成本较高，对前驱气体质量敏感。

PECVD：公司主打产品，国内领先。目前公司已实现全系列 PECVD 薄膜材料的覆 盖，同时不断往先进介质薄膜材料进军，两款新型设备平台（PF-300TPlus 和 PF300M）和两款新型反应腔（pX 和 Supra-D）持续获得客户订单并出货至多个客户 端，验证进展顺利。截至 24H1，公司累计超过 180 个新型反应腔（pX 和 SupraD）获得客户订单，超 130 个反应腔出货至客户端验证。两款新型设备平台的设 计进一步提升了设备产能，机械产能可提高约 20%至 60%，新型反应腔进一步提 升了薄膜沉积的性能指标，包括薄膜均匀性、颗粒度等指标，可满足客户在技术 节点更新迭代的过程中对高产能及更严格的薄膜性能指标的需求。此外，拓展了 新型功率器件领域，开发并推出了用于 SiC 器件制造中的 SiO2、SiN、TEOS 等薄 膜工艺 PECVD 设备，产品持续获得客户重复订单并出货至客户端验证。 公司自主研发并推出了 PECVD Bianca 工艺设备，设备为晶圆背面薄膜沉积设备， 主要应用于集成电路制造过程中对晶圆翘曲的纠正以及晶圆背面保护，可以实现 在不使用翻片工艺、不使用去边工艺的情况下对晶圆背面进行薄膜沉积，减少集成电路制造的工艺步骤，降低客户成本。目前公司首台 PECVD Bianca 工艺设备 通过客户验证，实现了产业化应用。截至 24H1 末,超过 25 个 PECVD Bianca 工艺 设备反应腔获得订单，部分反应腔已出货至客户端。 2） SACVD：通过 SACVD 沉积的 TEOS 和臭氧基 USG 和 BPSG 在高纵横比结构上表 现出良好的薄膜特性和平坦化能力，能够在低压至接近大气压下运行，也可 以在等离子体模式下运行。主要应用于深宽比小于 7:1 的沟槽填充工艺。 3） HDPCVD：等离子体在低压下以高密度混合气体的形式直接接触到反应腔中硅 片的表面，主要优点是可以在 300~400℃较低的沉积温度下，制备出能够填 充高深宽比间隙的膜，应用于深宽比小于 5:1 的沟槽填充工艺，可以同时进 行薄膜沉积和溅射，所沉积的薄膜致密度更高，杂质含量更低。

SACVD+HDPCVD：沟槽填充核心设备，CVD 产品矩阵进一步完善。 HDPCVD：公司多台 HDPCVDFSG、STI 工艺设备通过客户验证，实现了产业化应用， HDPCVDUSG 工艺设备持续扩大量产规模，可以沉积 SiO2、USG、FSG、PSG 等介质 材料薄膜，目前 Hesper 已升级为新型六边形平台(TS-300S)，产品性能达到业界 领先水平，坪效比业界第一，自首台完成验证后，客户持续增加 HDPCVD 设备采 购量，截止到 2024 年 8 月，反应腔累计装机量已超过 70 个，2024 年底预计将突 破 100 个。 SACVD 设备新推出等离子体增强 SAF 薄膜工艺应用设备并出货至客户端验证，基 于新型平台 PF-300TPlus 开发的 SAF 薄膜工艺应用设备获得客户订单并发货至客 户端验证，可实现 SATEOS、SAILD、BPSG、SAF 薄膜工艺沉积的 SACVD 设备在国 内集成电路制造产线的量产规模逐步提升。

4） ALD：a）Thermal-ALD：最传统的 ALD，前驱体按顺序喷洒到基材表面，反应 主要由温度驱动，是所有其他类型 ALD 发明的跳板，T-ALD 工艺简单，但过 程较慢，只有基板温度和前体蒸气压（在较小程度上）能够影响特定前驱体 化学性质的 ALD 过程，且对于某些 ALD 反应或前体，热激活可能不够，从而限制了可生长的材料数量。b）PE-ALD：利用等离子体作为沉积的共反应物。 最初在 2000 年代商业化，用于辅助沉积用于沟槽阻挡层的钛和钽薄膜。由 于基材的方向性，PE-ALD 的各向同性往往略低于热 ALD，但非常适合低温沉 积，并提供了新的参数来调整材料特性。等离子体的高反应性减少了激活表 面所需的热能，使得沉积温度比热处理更低。

ALD：公司产品体系持续完善。公司首台 PE-ALD（NF300HAstra）设备（沉积 SiO2 薄膜）通过客户验证，实现了产业化应用，主要应用于沉积较厚的 PE-ALD 薄膜， 具有高产能和低成本的优势，PE-ALD 高温、低温 SiO2、SiN 等薄膜均已实现产业 化应用，并持续获得客户订单、出货至客户端验证，不断扩大量产规模。首台 Thermal-ALD（TS-300Altair）设备通过客户验证，可在同一台设备中沉积 Thermal-ALD 金属化合物薄膜及 PECVDADCⅡ薄膜，再次获得重复订单。 超高深宽比沟槽填充 CVD 设备布局展开。公司 2024 年自主研发并推出的超高深 宽比沟槽填充 CVD 产品（PF-300TFlora）首台通过客户验证，实现了产业化应用， 并获得客户重复订单及不同客户订单，陆续出货至客户端验证，设备主要用于 SiO2 等介质薄膜材料，截至 24H1 末，与超高深宽比沟槽填充 CVD 设备相关的反 应腔累计出货超过 15 个。

立足十大核心技术，夯实核心竞争力。拓荆科技始终专注于高端半导体设备的研 发，形成了十大具有自主知识产权的核心技术，并达到国际先进水平。公司核心 技术广泛应用于主营业务产品中，解决了半导体制造中纳米级厚度薄膜均匀一致 性、薄膜表面颗粒数量少、快速成膜、设备产能稳定高速等关键难题，在保证实 现薄膜工艺性能的同时，提升客户产线产能，减少客户产线生产成本。面向三维 集成应用领域，形成了晶圆高速高精度对准技术、混合键合实时对准技术，实现 较高的晶圆键合精度，并提高了设备产能。

持续研发，加速赶超海外龙头。拓荆科技持续推进薄膜沉积设备先进领域研发， 同时围绕客户需求持续优化升级、拓展工艺应用所需，2023 年增加“PECVD 系列 产品及工艺开发与产业化项目”、“ALD 系列产品及工艺研发与产业化”、“沟槽填 充薄膜工艺系列产品研发与产业化”三大项目研发预算，以进一步优化产品。

客户涵盖国内知名半导体厂商，关键参数已追平国际同类设备。公司设备产能、 机台稳定运行时间、平均破片率等多项参数以达到国际同类设备水平，基于设备 性能先进性，公司设备已进入中芯国际、华虹集团、长江存储等知名半导体企业， 客户资源丰富，同时公司逐步往海外开拓市场，2023 年出货一台 PECVD 设备至海 外市场。截止 2024H1 末，公司薄膜沉积设备在客户端产线生产产品的累计流片 量已突破 1.94 亿片。

规模效应逐步显现，出货量逐年大幅增加。伴随公司产品品类逐步拓展及市场开 拓顺利推进，公司业务规模扩大，规模效应逐步显现，设备出货量逐年大幅增加， 2023 年，公司出货超 460 个反应腔，截至 2023 年末，公司累计出货超过 1,510 个反应腔，进入 60 多条生产线。2024H1 公司出货超 430 个反应腔，截至 24H1， 累计出货超过 1940 个反应腔（包括超过 130 个新型反应腔 pX 和 Supra-D），进入 超过 70 条生产线，预计 2024 年全年出货超过 1000 个反应腔，创历史新高。

持续扩产，支撑长期增长。目前公司在沈阳、上海和海宁有研发和产业化基地。 沈阳一期研发和生产基地年产能约 300-350 台套，上海临港一期研发与产业化基 地产能约为 80 台套，上海临港二期（正在建设）研发与产业化基地约支撑年产 能 400 台套。公司预期建设高端半导体设备产业化基地，支撑公司 PECVD、SACVD、 HDPCVD 等高端半导体设备产品未来的产业化需求，计划总投资金额约为人民币 11 亿元，其中以变更用途的募集资金投入人民币 2.5 亿元，其余项目资金人民币 8.5 亿元由拓荆科技及公司全资子公司拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司自 筹，并将剩余超募资金 1826.6 万元投入沈阳二期项目建设，沈阳二期产业化基 地建设将为公司后续发展提供产能支撑。

对外投资完善业务发展布局，打造稳定供应链。公司 2023 年设立全资子公司岩 泉科技，围绕公司主营业务开展相关的对外投资活动，面向与公司具有产业协同 性、有发展潜力的相关业务实体开展业务，为公司积蓄新的增长点，同时设立全 资子公司拓荆创益，从事高端半导体薄膜沉积设备的研发、生产、销售与技术服 务。供应链方面，2023 年公司向芯密科技、无锡金源、稷以科技、恒运昌增资， 受让神州半导体股权，投资成立中科共芯。2024 年 5 月公告，公司全资子公司岩 泉科技拟以人民币 1500 万元认购新松半导体新增注册资本人民币 300 万元，获 得本次增资后新松半导体 1.0714%股权，新松半导体的核心产品主要为真空机械 手及集束型设备，主要应用于刻蚀、薄膜沉积、离子注入等工艺环节及领域，公 司持续完善产业协同发展，增强公司上游供应链稳定性。