拓荆科技研究报告：国产薄膜沉积设备龙头，混合键合设备新军.pdf

拓荆科技研究报告：国产薄膜沉积设备龙头，混合键合设备新军。国产薄膜沉积设备龙头，产品矩阵逐步完善。拓荆科技成立于2010年4月， 于2022年科创板上市，公司主要产品包括PECVD设备、ALD设备、SACVD设 备及HDPCVD设备，已广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制 造产线，并已展开10nm及以下制程产品验证测试。同时，公司开发了应用 于晶圆级三维集成领域的混合键合设备产品系列，把握“后摩尔时代”机遇。

薄膜沉积设备市场空间广阔，国内替代进程加速。根据Gartner数据，2023 年全球薄膜沉积设备市场规模为227.2亿美元，受益于芯片制程升级+3D NAND垂直化发展+下游晶圆厂扩产，预计2025年市场规模达252.9亿美元。 2023年中国大陆半导体制造设备销售额占全球设备销售额34.5%，假设中 国大陆薄膜沉积设备市场占全球市场34.5%，则2023年中国大陆薄膜沉积 设备市场达78.4亿美元，叠加DUV时代，国内刻蚀及薄膜沉积设备重要性 凸显。当前薄膜沉积设备市场主要由应用材料、泛林、东京电子垄断，测算 国产厂商本土市场占有率约为16%，替代空间广阔。

专注CVD设备，工艺覆盖度持续提升。据Gartner数据，CVD占薄膜沉积设 备份额41.9%，其中PECVD占比33%，SACVD和HDPCVD占比约为6%。从市 场格局来看，2023年CVD市场CR3达70%，分别为应用材料、泛林、东京电 子。拓荆科技薄膜沉积设备专注CVD领域，已实现全系列PECVD薄膜材料 的覆盖，同时不断往先进介质薄膜材料进军，SACVD及HDPCVD量产规模不 断提升，截止到2024年8月，HDPCVD设备反应腔累计装机量已超过70个， 预计24年底突破100个，新款HDPCVD设备Hesper系列产品性能达到业界 领先水平，坪效比业界第一。

剑指混合键合设备领域，开辟第二成长曲线。后摩尔时代，先进封装不断发 展，凸点间距不断缩小，混合键合成为发展趋势，混合键合通过键合界面中 的嵌入式金属焊盘扩展了熔合键合，从而允许晶圆面对面连接，可分为芯片 到晶圆以及晶圆到晶圆键合。混合键合发展拉动键合设备需求，根据Besi 预计，2024年混合键合系统累计需求将达100套，预计2025年后随着混合 键合技术在存储中的应用，2026年累计需求将超200套（保守口径）。拓 荆科技D2W、W2W键合协同布局，产品包括晶圆对晶圆键合产品和芯片对晶 圆键合表面预处理产品，两款设备为国产首台应用于量产的混合键合设备， 同时公司2024年推出键合套准精度量测产品，键合设备矩阵日益丰富，伴 随公司不断研发实现更新迭代，提高量产规模，有望开辟第二成长曲线。