拓荆科技主营产品、研发团队、营收及业务成长空间分析

本土薄膜沉积设备龙头，业绩持续快速增长。

1.引领PECVD进口替代，产品供货半导体主流客户

拓荆科技成立于2010年，专业从事半导体薄膜沉积设备，引领进口替代浪潮。公司曾承担多项国家科技重大专项&省部级重大科 研项目，曾三次荣获“中国半导体设备五强企业”，产品已适配国内最先进的28/14 nm逻辑芯片、19/17nm DRAM芯片和 64/128层3D NAND FLASH晶圆制造产线，尤其在PECVD和SACVD领域，公司是本土唯一实现产业化应用的供应商。在薄膜沉 积设备基础上，公司还积极布局先进封装领域，成功研制应用于晶圆级三维集成领域的混合键合设备系列。

公司无实控人&控股股东，大基金持股比例达到19.86%。姜谦先生与其他7名自然人股东及11个公司员工持股平台签有一致行动 协议，为一致行动人。特别地，中微公司持有公司7.41%股份，其董事长尹志尧先生为公司董事之一。

公司主营产品包括 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD等薄膜设备产品，以及混合键合设备产品系列。1）PECVD ：已配适 180-14nm 逻辑芯片、19/17nm DRAM 及 64/128 层 FLASH 等制造工艺需求，并积极拓展更先进制程领域。2）ALD：PE-ALD已 经成功量产，兼容SiO2和SiN等介质薄膜；Thermal ALD正在产业化验证，满足Al2O3等金属化合物薄膜沉积需求。3）SACVD： 可以沉积BPSG、SAF、TEOS等介质薄膜，在逻辑、存储领域均已实现产业化应用。4）混合键合设备：晶圆对晶圆键合产品 Dione 300可实现混合键合和熔融键合工艺，芯片对晶圆键合设备Pollux主要用于晶圆及切割后芯片的表面活化及清洗。

拥有一支高水平研发团队，持续加大员工激励力度

公司拥有一支高水平研发团队，核心技术人员具备全球一线半导体企业工作经验。公司核心技术人员姜谦、吕光泉、田晓明、叶 五毛先生等均拥有多年海外半导体研发经验，曾任职于英特尔、美国诺发、泛林半导体等全球一线半导体企业，产业经验丰富。

在国际技术专家带领下，公司已形成一支高质量的研发团队。截至2022年末，公司技术研发&支持人员分别为335和290人，合计 占比高达75%。从学历构成上来看，在公司研发人员中，2023H1末硕士&博士学历员工占比高达61%，高端人才优势显著。此外 ，为了建立长效激励机制，吸引和留住优秀人才，公司设立了11个员工持股平台，利于人才梯队的稳健发展。

从研发投入来看，公司持续性高研发投入，研发费用率高于本土半导体设备同行。1）从增速来看：2019年公司研发费用约为 7432万元，2022年快速上升至3.78亿元，期间CAGR达到72%。2）从费用率来看：2022年公司研发费用率为22.21%，相较本土半 导体前道设备企业同行处于较高水平，高强度研发投入有助于公司技术持续突破，保持一定技术领先性。

2.收入规模快速扩张，盈利水平处于快速上升通道

1）收入端：受益PECVD快速放量，公司收入端实现快速增长。2018年公司营收仅7064万元，2022年达到17.06亿元，期间CAGR高达 122%。2022年公司PECVD收入约15.63亿元，2018-2022年CAGR高达134%，高于同期营收CAGR，是收入端快速增长的主要驱动力。 根据2023年业绩快报，2023年公司实现营收27.05亿元，同比+59%，延续高速趋势。

2）利润端：规模效应持续显现，净利润进入高速增长阶段。与收入规模持续高增形成对比的是，高研发投入下，2021年以前公司在 利润端依旧呈现亏损状态，2022年公司归母净利润和扣非归母净利润分别达到3.69和1.78亿元，分别同比+438%和+317%，利润端正 式进入高速增长阶段。根据2023年业绩快报，2023年公司归母净利润和扣非归母净利润分别为6.65亿元、3.13亿元，分别同比+80%、 +76%。若剔除股份支付费用影响（2023Q1-Q3股份支付费用达到1.71亿元），则利润端表现更加出色。

2.PECVD仍有较大成长空间，SACVD、ALD等市场加速开拓

PECVD：工艺覆盖面持续扩大&客户验证推进，仍有较大提升空间

PECVD在集成电路中应用广泛，是介质薄膜沉积的主要工艺方式。PECVD广泛用于硬掩模、反射层、阻挡层、介质隔离、钝化 层等介质薄膜生长，具备一定不可替代性。这一方面是由于PECVD薄膜沉积效果易调谐，薄膜密度、化学组成、机械应力等均可 通过等离子体参数优化。此外，由于等离子体作用下工艺温度较低，PECVD对于含有金属或其他对温度敏感结构衬底的薄膜生长 具备一定必要性。例如，在后道金属互连应用中，薄膜沉积具备严格的热预算限制，通常需要等离子体辅助完成。

公司PECVD 设备推出较早，产品线较为丰富。若以收入/销售额为统计口径，我们估算2022年公司PECVD在国内市占率约12% ，仍具备较大的国产化提升空间。基于工艺覆盖面持续扩大&客户拓展推进两个维度，我们看好公司PECVD业务持续高速增长。

SACVD&HDPCVD：沟槽填充核心设备，产业化快速推进

SACVD沟槽填充性能突出，先进制程下渗透率存在提升趋势。SACVD工作环境为次常压，气相化学反应分子自由程减小，分子间碰 撞几率增加，主要应用于深宽比小于 7:1 的沟槽填充工艺。常规PECVD多适用于平面衬底薄膜沉积，SACVD主要适用于STI、ILD 等填孔工艺，二者不存在严格竞争关系。沟槽填充主要包括HDP-CVD、SACVD等工艺，其中HDP-CVD适用130-45 nm技术节点， SACVD为45-14 nm主流工艺。先进制程技术迭代背景下，沟槽深宽比增大，SACVD在沟槽填充领域的渗透率有望快速提升。

公司作为本土唯一SACVD产业化应用的供应商，产品体系不断完善。根据公司招股说明书，公司SACVD已实现12英寸40/28nm 和8英寸90nm以上逻辑芯片产业化应用。在此基础上，公司积极拓展130nm以上逻辑芯片工艺需求，以及19/17nm DRAM刻蚀调 节层等应用。截至2023年中报披露，公司用于实现 SA TEOS、BPSG、SAF 薄膜工艺沉积的 SACVD 设备均通过客户验证。

展望未来，受益新品产业化顺利推进，公司SACVD设备有望加速放量。公司自2020年以来SACVD产量快速增加，根据2022年 报披露，2022年公司SACVD产量达到10台，销售量5台，2022年底库存量达到13台，我们判断公司已有较多机台逐步进入量产 订单阶段。受益于在手订单陆续交付&收入确认，叠加量产订单持续放量，SACVD设备有望成为公司后续重要业绩增长点。

ALD：先进制程下需求快速提升，公司产品体系持续完善

根据供能方式不同，ALD主要分为PF-ALD和Thermal-ALD两大类，二者适用薄膜沉积类别各异。具体来看：1）PE-ALD ：利 用等离子体增强反应活性，提高反应速率，具有相对较快的薄膜沉积速度、较低的沉积温度等特点，适用于沉积硅基介质薄膜 材料；2）Thermal-ALD：利用热能使反应物分子吸附在基底表面，再进行化学反应，生成薄膜，具有相对较高的反应温度、优 越的台阶覆盖率、高薄膜质量等特点，适用于金属、金属氧化物、金属氮化物等薄膜沉积。

公司率先实现PE-ALD产业化，横向布局Thermal-ALD夯实市场竞争力。基于和PECVD在等离子技术的协同性，公司已经率先 实现PE-ALD的产业化突破，根据公司招股说明书，2018年取得销售，成功供货ICRD。在稳固PE-ALD行业地位的同时，公司持 续加码Thermal-ALD研发力度。根据公司2023年中报披露，公司 Thermal-ALD持续获得原有客户及新客户订单，出货至不同客户 端进行产业化验证，验证进展顺利，进一步提升在ALD领域的市场竞争力。