公司 IPO 募集资金拟投向于 lXnm 闪存产品研发及产业化项目、车规级闪存产品研发及产业化项目、研发 中心建设项目和补充流动资金项目,募投项目合计投资金额为 7.5 亿元。
(1)2.31 亿元投入 1Xnm NAND 的研发,将提升芯片性能及容量,同时单片晶圆产出更多芯片,产品竞争力提高;

(2)1.66 亿元投入车规级存 储项目,基于 38nm 工艺平台研发 SLC NAND,可用于智能辅助驾驶、仪表盘、车载娱乐系统等相关平台,产 品向高性能、高附加值的方向发展;
(3)0.58 亿元投入研发中心建设,开发中的新品包括:存算一体化芯片、 LPDDR4X、DTR NAND Flash,25nm 4Gb LPDDR4X 将进一步打开公司的成长空间。