北方华创研究报告：塑造刻蚀薄膜沉积清洗热处理平台企业，深度受益国产替代战略发展.pdf

北方华创研究报告：塑造刻蚀薄膜沉积清洗热处理平台企业，深度受益国产替代战略发展。布局刻蚀/薄膜沉积/清洗/热处理四大应用领域，打造半导体设备平台型企业。半导 体设备处于产业链上游，支撑制造和封装测试，半导体行业技术高、进步快，一代 产品需要一代工艺，一代工艺需要一代设备，半导体设备是半导体产业的技术先导 者，通常半导体设备的研发领先半导体工艺 3~5 年。制造半导体芯片过程主要包 括晶圆加工、刻蚀、光刻、沉积、离子注入、金属化等多个工艺步骤。北方华创设 备涉及刻蚀/薄膜沉积/清洗/热处理四大应用领域，广泛应用于集成电路、先进封装、 半导体照明、微机电系统、功率半导体、化合物半导体、新能源光伏、平板显示等 领域，为半导体、新能源、新材料等领域提供解决方案。随着公司设备平台型布局 完善，公司将充分受益于半导体产业链自主可控发展战略。

刻蚀设备：ICP 突破 12 英寸各技术节点，CCP 实现逻辑/存储/功率多关键制程覆 盖。（1）ICP：北方华创先后攻克了电感耦合脉冲等离子体源、多温区静电卡盘、 双层结构防护涂层和反应腔原位涂层等技术难题，实现了 12 英寸各技术节点的突 破。公司多晶硅及金属刻蚀系列 ICP 设备实现规模化应用，完成了浅沟槽隔离刻 蚀、栅极掩膜刻蚀等多道核心工艺开发和验证，助力国内主流客户技术通线，已实 现多个客户端大批量量产并成为基线设备。（2）CCP：北方华创集成电路领域 CCP 介质刻蚀设备实现了逻辑、存储、功率半导体等领域多个关键制程的覆盖，为国内 主流客户提供了稳定、高效的生产保障，赢得客户信赖和认可。

薄膜沉积：全面布局 PVD/CVD/ALD 等产品技术，提供前沿产品与创新解决方案。 （1）PVD:北方华创集成电路领域铜互连、铝垫层、金属硬掩膜、金属栅、硅化物 （Silicide）等工艺设备在客户端实现稳定量产，成为多家客户的基线设备，并广泛 应用在逻辑、存储等主流产线，同时也成功实现功率半导体、三维集成和先进封装、 新型显示、化合物半导体等多个领域的量产应用。（2）CVD：北方华创基于十余 年沉积工艺技术的丰富经验，布局拓展了 DCVD 和 MCVD 两大系列产品。针对 介质和金属化学气相沉积关键技术需求，攻克了进气系统均匀性控制、压力精确平 衡、双频驱动的容性等离子体控制、多站位射频功率均分控制等多项技术难题，实 现金属硅化物、金属栅极、钨塞沉积、高介电常数原子层沉积等工艺设备的全方位 覆盖，关键技术指标均达到业界领先水平。

清洗与热处理：提供多类型湿法清洗设备，立式炉逻辑/存储全覆盖。在清洗设备 领域，北方华创经过多年的技术积累，先后突破了多项关键模块设计技术和清洗工 艺技术，包括伯努利卡盘和双面工艺卡盘、高效率药液回收系统、热 SPM 工艺、 热磷酸工艺、低压干燥工艺等，实现了槽式工艺全覆盖，同时高端单片工艺实现突破。在立式炉领域，北方华创突破并掌握了气流场/温度场控制、反应源精密输送、 硅片表面热场设计等关键技术，实现了立式炉系列化设备在逻辑和存储工艺制程应 用的全面覆盖。