"砷化镓" 相关的精读

碳化硅行业深度研究报告：能量转换链的材料变革
- 2021/12/31
- 549
- 国信证券
碳化硅（SiC）是一种由碳和硅两种元素组成的宽禁带化合物半导体材料，具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高等特点。由于碳化硅宽能带（~3.2eV）的物理性质，又称为宽禁带半导体。经过几十年的发展，硅（Si）作为半导体行业的基础材料，完成了全球95%以上的集成电路的制造；随着电子的发展，化合物半导体如砷化镓（GaAs）、碳化硅、氮化镓（GaN）等也逐渐渗透到下游应用中。
标签：半导体材料砷化镓集成电路氮化镓碳化硅
化合物半导体行业报告：化合物半导体风起云涌，大势所趋大有可为
- 2021/08/05
- 4767
- 国海证券
随着5G、IoT物联网时代的来临，以砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为代表的化合物半导体市场有望快速崛起。其中，GaAs是手机PA和Switch的主流材料，在5G时代仍占有重要地位，据集邦咨询预测，2023年中国手机砷化镓PA市场规模达到57.27亿美元。再者，以VCSEL为代表的光电器件可用于3D感知、LiDAR等新应用场景，未来亦将成为GaAs增长新的驱动力;GaN高频性能突出，是5G基站与数据中心器件的关键材料，并有望率
标签：化合物半导体砷化镓氮化镓
半导体行业研究报告：砷化镓本土闭环，碳化硅等待“奇点时刻”
- 2021/03/03
- 1429
- 国金证券
半导体行业研究：砷化镓本土闭环，碳化硅等待“奇点时刻”。在新能源汽车刚性需求驱动下，碳化硅产业链在实现综合成本优势之后，有望迎来爆发式增长；砷化镓未来仍将继续主导sub-6G手机射频，国内PA厂商的发展带来本土砷化镓代工需求；GaN在5G宏基站和消费级快充上将取得大发展。化合物半导体在射频、光电子和功率领域有望获得大发展：化合物半导体材料在电子迁移速率、临界击穿电场、导热能力等特性上具有独特优势。
标签：半导体砷化镓碳化硅

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