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什么是SiC？其原材料核心优势是什么？
- 提问时间：2023/02/08
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- 提问者：匿名用户
[1个回答]我来简单介绍一下SiC的定义及其原材料核心优势。SiC碳化硅是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。相比传统的硅材料（Si），碳化硅（SiC）的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的4-5倍；击穿电压为硅的8-10倍；电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。碳化硅原材料核心优势体现在：1)耐高压特性：更低的阻抗、禁带宽度更宽，能承受更大的电流和电压，带来更小尺寸的产品设计和更高的效率；2)耐高频特性：SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象，能有效提高元件的开关速度（大约是Si的3-10倍），适用于更高频率和更快的开关速度；3)耐高温特性：SiC相较硅...
标签： SiC -
SiC在电动车应用领域有哪些？
- 提问时间：2023/01/11
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- 提问者：匿名用户
[1个回答]SiCMOSFET目前上车的应用主要集中在电控、OBC和DCDC三大部件领域。 1、主驱电控单元是碳化硅价值量最高的部件，替换IGBT作为全新的功率开关，能够在高压高频环境下大幅降低损耗，提高续航时间，单车碳化硅模块价值量从800-900美元价值不等。2、目前SiCMOSFET在新能源汽车用的比较多的是OBC，6.6kW是目前主流的功率等级，到2022年11kW会成为主流的功率等级，11kW的充电机全部会用碳化硅的方案，充电机从全硅方案向碳化硅转变，每一个11kW的OBC用10颗碳化硅MOS，合计50美元。3、车载DC/DC变换器的功能是将动力电池输出的高压直流电转换为12V、24V...
标签： SiC 电动车 -
SiC器件在新能源汽车应用中有怎样的优势和不足？
- 提问时间：2022/11/23
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[1个回答]我知道SiC器件在新能源汽车应用的优势和不足，以下是从相关文档摘录的一部分内容，具体内容以原文档为准。SiC器件在新能源汽车应用中具有更大优势。IGBT是双极型器件，在关断时存在拖尾电流，因此关断损耗大。MOSFET是单极器件，不存在拖尾电流，SiCMOSFET的导通电阻、开关损耗大幅降低，整个功率器件具有高温、高效和高频特性，能够提高能源转换效率。电机驱动：电机驱动中使用SiC器件的优势在于提升控制器效率，提升功率密度和开关频率，减少开关损耗以及简化电路散热系统，从而降低成本、大小，改善功率密度。丰田的SiC控制器将电驱动控制器体积减小80%。电源转换：车载DC/DC变换器的作用是将动力电池...
标签： SiC 新能源汽车 -
SiC衬底设备主要包括什么？
- 提问时间：2022/10/28
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[1个回答]想了解相关问题，可以下载报告《碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源车+光伏需求即将兴起，国产替代有望突破》查看，以下内容都是根据该报告总结的，仅供参考。长晶炉：主要由衬底制造厂商自研开发，可基本实现国产化（与传统晶硅级长晶炉有相同性，炉子结构不是非常复杂），市场没有形成商业性的独立第三方企业。因为长晶环节主要用的PVT（物理气相传输）的技术路线，温度很高，不可实施监控，难点不在设备本身，而是在工艺本身。因为基本上每家衬底厂商工艺不一样，也是各家的核心机密所在，只有衬底制造企业内部通过对“设备+工艺”合作研发效率更高。主要设备厂商包括：Wolfspeed,Aymont,Ai...
标签： SiC -
SiC产业化核心降本方式有哪些？
- 提问时间：2022/10/28
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- 提问者：匿名用户
[1个回答]在《碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源车+光伏需求即将兴起，国产替代有望突破》报告中，对SiC产业化核心降本方式进行了详细的研究分析，如果需要更多关于碳化硅行业的相关信息，请下载原报告。1.提升材料使用率（向大尺寸发展）目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸（半绝缘型）及6英寸（导电型）。行业龙头美国科锐（已改名Wolfspeed）已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大，单位衬底可制造的芯片数量越多，单位芯片成本越低（6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍）。衬底的尺寸越大，边缘的浪费就越小，有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时，随着晶体尺寸的扩大，其生长难度工艺呈几何级增长。2.降低制造成...
标签： SiC -
SiC碳化硅核心优势体现在哪？
- 提问时间：2022/10/28
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- 提问者：匿名用户
[1个回答]这个我知道，答案都来自报告《碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源车+光伏需求即将兴起，国产替代有望突破》，如果有兴趣了解更多相关的内容，请下载原报告阅读。1)耐高压特性：更低的阻抗、禁带宽度更宽，能承受更大的电流和电压，带来更小尺寸的产品设计和更高的效率；2)耐高频特性：SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象，能有效提高元件的开关速度（大约是Si的3-10倍），适用于更高频率和更快的开关速度；3)耐高温特性：SiC相较硅拥有更高的热导率，能在更高温度下工作。
标签： SiC 碳化硅 -
SiC衬底生产难点主要体现在哪些方面？
- 提问时间：2022/10/21
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- 提问者：匿名用户
[1个回答]如果你对该问题感兴趣的话，推荐你看看《Wolfspeed投资价值分析报告：全球碳化硅衬底龙头，新能源车驱动中期成长》这篇报告，下面是部分摘录的内容，具体请以原报告为准。1）生长速度慢：为了保证晶体质量，碳化硅长晶主要采用物理气相传输法（PVT），生长速度只有0.3-0.5mm/h，耗时是硅的100-200倍，从单晶生长到形成衬底需耗时1个月。2）生长环境要求高：碳化硅气相生长的温度在2000℃以上且保持稳定，压力350MPa，容易混入杂质，且直径越大，良率越低。3）晶型多：碳化硅存在200多种同质异构体，但只有4H-SiC等少数晶型适用于新型电力电子功率器件（拥有高电子迁移率、高热导率），且生...
标签： SiC -
SiC产业链主要包括什么？
- 提问时间：2022/10/21
- 浏览量：83
- 提问者：匿名用户
[1个回答]这个我知道，答案都来自报告《碳化硅行业分析报告：新能源东风已至，碳化硅御风而起》，如果有兴趣了解更多相关的内容，请下载原报告阅读。上游衬底：最为核心的环节，价值量最高，约为46%。根据电阻率的不同，可分为导电型和半绝缘型衬底，分别用于功率和射频器件领域。高纯硅粉和高纯碳粉采用物理气相传输法（PVT）生长SiC晶锭，之后经过滚磨、切割、研磨、抛光、清洗等环节最终形成衬底，其中晶体的生长为核心工艺，核心难点在于提升良品率。晶片尺寸越大，对应晶体的生长与加工技术难度越大，长晶技术壁垒高，毛利率可达50%左右。中游外延：价值量占比约23%，是指在衬底上面再覆盖一层薄膜以满足器件生产条件。其中导电型Si...
标签： SiC -
SiC的优势及应用场景有哪些？
- 提问时间：2022/10/21
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- 提问者：匿名用户
[1个回答]我来概括一下，内容都来自报告《碳化硅行业分析报告：新能源东风已至，碳化硅御风而起》，如果想要更多了解的话，可以前往原报告查看。SiC在耐高压、耐高频、耐高温方面具有独特优势。耐高压方面，SiC阻抗更低，禁带宽度更宽，能承受更大的电流和电压，带来更小尺寸的产品设计和更好效率；耐高频方面，SiC不存在电流拖尾现象，能够提高元件的开关速度，是硅（Si）开关速度的3-10倍，从而适用于更高频率和更快的开关速度；耐高温方面，SiC拥有非常高的导热率，相较硅（Si）来讲，能在更高的温度下工作。因此，SiC能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，有望成为未来最被广泛使用的半导体芯片基础材料。S...
标签： SiC -
SiC产业链与竞争格局如何？
- 提问时间：2022/10/18
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- 提问者：匿名用户
[1个回答]你好，在报告《碳化硅行业专题分析：汽车800V高压超充时代来临，碳化硅步入黄金发展期》中，可以找到SiC产业链与竞争格局的介绍，还有更多关于SiC行业的分析，下面我来根据报告简单回答，具体的信息以原报告为准。SiC产业链具有典型的半导体特征，主要包括了上游材料（衬底+外延）、中游器件设计和晶圆制造、下游模块封装和应用等环节。根据产业调研测算，衬底、外延、晶圆制造和模块封装各环节的价值量依次为40%、15%、30%、15%。上游衬底和外延材料环节：根据Wolfspeed数据，2021年仅Wolfspeed和II-VI两家美国厂商就占据全球70%以上的衬底份额，而包括ST、Rohm、Soitec在...
标签： SiC -
目前SiC衬底在制备中的难点包括哪些？
- 提问时间：2022/10/11
- 浏览量：292
- 提问者：匿名用户
[1个回答]我来概括一下，内容都来自报告《碳化硅行业研究：SiC成本逐步下降，行业有望迎来爆发拐点》，如果想要更多了解的话，可以前往原报告查看。单晶生长速度慢。硅单晶的生长速度约为300mm/h，碳化硅单晶的生长速度约为0.4mm/h，两者相差近800倍。故而，SiC的单晶长度一般就几厘米到10厘米，一般称为晶锭，而不是像硅棒有2-3米的长度。 晶棒生长过程中的控制环节。SiC粉末到晶棒的过程中涉及到热场设计、生长条件控制、缺陷控制等核心技术，是目前主要影响SiC良率的环节。例如，碳化硅有多达250余种同质异构体，用于制作功率半导体的主要是4H-SiC单晶结构。碳化硅单晶生长过程中，4H晶型生长...
标签： SiC -
SiC材料具有哪些优势?
- 提问时间：2022/09/22
- 浏览量：164
- 提问者：匿名用户
[1个回答]SiC材料具有哪些优势?
标签： SiC
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