SiC产业化核心降本方式有哪些？

在《碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源车+光伏需求即将兴起，国产替代有望突破》报告中，对SiC产业化核心降本方式进行了详细的研究分析，如果需要更多关于碳化硅行业的相关信息，请下载原报告。

1.提升材料使用率（向大尺寸发展）

目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在 4 英 寸（半绝缘型）及 6 英寸（导电型）。行业龙头美国科锐（已改名 Wolfspeed）已成 功研发 8 英寸产品。衬底尺寸越大，单位衬底可制造的芯片数量越多，单位芯片成 本越低（6 英寸衬底面积为 4 英寸衬底的 2.25 倍）。衬底的尺寸越大，边缘的浪费 就越小，有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时，随着晶体尺寸的扩大，其生 长难度工艺呈几何级增长。

2.降低制造成本（提升良率）

长晶端：SiC 包含 200 多种同质异构结构的晶型，但只有 4H 型（4H-SiC）等少数 几种是所需的晶型。而 PVT 长晶的整个反应处于 2300°C 高温、完整密闭的腔室 内（类似黑匣子），极易发生不同晶型的转化，任意生长条件的波动都会影响晶 体的生长、参数很难精确调控，很难从中找到最佳生长条件。目前行业主流良 率在 50-60%左右（传统硅基在 90%以上），有较大提升空间。 机加工端：碳化硅硬度与金刚石接近（莫氏硬度达 9.5），切割、研磨、抛光技术难 度大，工艺水平的提高需要长期的研发积累。目前该环节行业主流良率在 70-80%左 右，仍有提升空间。

3.提升生产效率（更成熟的长晶工艺）

SiC 长晶的速度极为缓慢，行业平均水平每小 时仅能生长 0.2-0.3mm，较传统晶硅生长速度相比慢近百倍以上。未来需 PVT 工艺的 进一步成熟、或向其他先进工艺（如液相法）的延伸。