SiC衬底生产难点主要体现在哪些方面？

如果你对该问题感兴趣的话，推荐你看看《Wolfspeed投资价值分析报告：全球碳化硅衬底龙头，新能源车驱动中期成长》这篇报告，下面是部分摘录的内容，具体请以原报告为准。

1）生长速度慢：为了保证晶体质量，碳化 硅长晶主要采用物理气相传输法（PVT），生长速度只有 0.3-0.5mm/h，耗时是硅的 100-200 倍，从单晶生长到形成衬底需耗时 1 个月。

2）生长环境要求高：碳化硅气相生长的温度 在 2000℃以上且保持稳定，压力 350MPa，容易混入杂质，且直径越大，良率越低。

3） 晶型多：碳化硅存在 200 多种同质异构体，但只有 4H-SiC 等少数晶型适用于新型电力电子功率器件（拥有高电子迁移率、高热导率），且生产环境的不稳定很容易导致获得晶型 与目标晶型不符。

4）过程不可监测：晶体生长通常在密闭的高温石墨坩埚中进行，无法 即时检测晶体的生长状况，因此难以控制硅碳比、温度梯度、晶体生长速率以及气流气压 等参数，容易产生异质晶型，影响良率。综合来看，晶体生长需要在苛刻环境下，通过精 准控制环境参数，在多种晶型中选择并长出目标晶型，而且过程缓慢且不可监测，这对工 艺和设备稳定性都提出了很高要求，经验累积时间长，因此是衬底生产的核心环节。