SiC碳化硅核心优势体现在哪？

SiC碳化硅核心优势体现在哪？

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最佳答案由匿名用户编辑于2022/10/28 15:19

这个我知道，答案都来自报告《碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源车+光伏需求即将兴起，国产替代有望突破》，如果有兴趣了解更多相关的内容，请下载原报告阅读。

1) 耐高压特性：更低的阻抗、禁带宽度更宽，能承受更大的电流和电压，带来更小尺寸的产品设计和更高的效率；

2) 耐高频特性：SiC 器件在关断过程中不存在电流拖尾现象，能有效提高元件的开关速度（大约是 Si 的 3-10 倍），适用于更高频率和更快的开关速度；

3) 耐高温特性：SiC 相较硅拥有更高的热导率，能在更高温度下工作。

参考报告

高压、高功率应用场景下性能优越,适用于600V以上高压场景。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比，尺寸减小至原来1/10，导通电阻降低至原来1/100，总能损耗降低70%，能源转换效率提高。下游应用新能源车、充电桩、光伏、风电、轨道交通等领域。

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