目前SiC衬底在制备中的难点包括哪些？

我来概括一下，内容都来自报告《碳化硅行业研究：SiC成本逐步下降，行业有望迎来爆发拐点》，如果想要更多了解的话，可以前往原报告查看。

单晶生长速度慢。硅单晶的生长速度约为 300mm/h，碳化硅单晶的生长 速度约为 0.4mm/h，两者相差近 800 倍。故而，SiC 的单晶长度一般就 几厘米到 10 厘米，一般称为晶锭，而不是像硅棒有 2-3 米的长度。

 晶棒生长过程中的控制环节。SiC粉末到晶棒的过程中涉及到热场设计、 生长条件控制、缺陷控制等核心技术，是目前主要影响 SiC 良率的环节。 例如，碳化硅有多达 250 余种同质异构体，用于制作功率半导体的主要 是 4H-SiC 单晶结构。碳化硅单晶生长过程中，4H晶型生长窗口小，对 温度和气压设计有着严苛标准，生长过程中控制不精确将会得到其他结 构的碳化硅晶体。天岳先进 2020 年的晶棒良率为 51%，虽然较前几年 有所上升，但仍然处于偏低的水平，反映晶棒生产的高门槛。

切磨抛加工能力。由于 SiC 材料硬度大，所以在切磨抛中容易破碎，造 成良率损失或者更长的加工时间。衬底良率一般体现单个半导体级晶棒 经切片加工后产出合格衬底的占比。天岳先进 2020年衬底良率在 70%， 反映晶棒到衬底环节仍有一定损失。