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碳化硅行业研究：SiC成本逐步下降，行业有望迎来爆发拐点。SiC 具有优秀的材料特性。碳化硅（SiC）是一种化合物半导体材料，被称为第三 代半导体材料。由于 SiC 具有宽禁带宽度，从而导致其有高击穿电场强度、低本 征载流子浓度，使得 SiC 功率器件具有耐高压、体积小、功耗低、耐高温等优势。 SiC 器件适用于高压、高频场景，且可以缩小系统体积。

衬底是产业链核心环节。SiC 产业链主要包括衬底、外延、器件制造、封测等环节， 而衬底的成本占比较高，是核心环节。根据衬底电阻率的不同，SiC 衬底可以分为 导电型、半绝缘型衬底，分别应用于功率器件、射频通信领域。国产厂商目前在导 电型衬底领域市占率较低，但山东天岳在半绝缘型衬底领域占有一席之地。随着各 厂商产能的扩充，SiC 衬底价格在逐步下降。

SiC 应用方兴未艾。根据 Yole 的预测，2027 年全球 SiC 器件市场规模达到 63 亿 美元，较 2021 年的复合增速为 34%，其中汽车 SiC 市场预计增长到 50 亿美元， 占比提升到 79%。除汽车之外，能源、工业也是 SiC 的重要应用下游。随着特斯 拉在 Model 3 的主逆变器中首次采用全 SiC 功率器件，越来越多的厂商开始发布 搭载 SiC 器件的车型。除汽车领域外，SiC 器件也应用到光伏逆变器、轨交牵引逆 变器中。

国产 SiC 器件在快速追赶。从 SiC 的器件形态来看，目前主要分为 SiC 二极管、 SiC MOSFET 以及 SiC 模组，而 SiC IGBT 仍在研发中。SiC 肖特基二极管发展较 为成熟，国内外有多家公司已有量产。SiC MOSFET 最早由 Cree（现 Wolfspeed） 在 2011 年推出，海外多家厂商随后进行几轮迭代。对比来看，国产 SiC MOSFET 的导通电阻和品质因素较国外产品稍差，不过在快速追赶中。

高压领域下 SiC器件预计将逐步显现系统成本优势。根据 CASA Research 统计的 半导体器件经销商网上平均报价（元/安培）来看，650V SiC SBD 报价在 2018~2020 年的复合降幅达到 25%，而 650V SiC MOSFET 的复合降幅为 32%。 由于 SiC 器件价格的下降，其与硅基器件的价差也在逐渐缩小。考虑到 SiC 对系 统成本的减少，例如减少散热组价和缩小体积，我们预计在高电压场景下，SiC 器 件将有更大优势。