斯达半导发展历程、股权架构、科研能力、产品矩阵及营收分析

国际 IGBT 模块领先企业。

1.发展历程：深耕 IGBT 领域，第七代微沟槽车规模块大批量装车

（1）IGBT 模块设计、制造和测试：公司自成立之初就专心进行IGBT 产品的研发、相关人才的培养和上游产业链的培育。经过一年多的研发，公司在2007 年成功完成了IGBT模块关键技术工艺的开发，如真空氢气无气孔焊接技术、超声波键合技术、测试和老化技术等，并于当年成功推出了第一款 IGBT 模块。随着公司技术的不断积累和进步，先后推出了各系列IGBT模块。2022 年，公司基于第七代微沟槽 Trench Field Stop 技术的新一代车规级650V/750VIGBT芯片通过客户验证并开始大批量供货。2023 年，公司基于第七代微沟槽TrenchFieldStop技术的 750V 车规级 IGBT 模块大批量装车，公司基于第七代微沟槽Trench Field Stop技术的1200V车规级 IGBT 模块新增多个 800V 系统车型的主电机控制器项目定点，将对2024年-2030年公司新能源汽车 IGBT 模块销售增长提供持续推动力。

（2）IGBT 芯片：IGBT 芯片是 IGBT 模块中最核心的原材料，研发难度较大，市场上可选择的供应商资源较少，客户验证周期较长，故公司较早开始布局研发IGBT 芯片。2012年，公司成功独立研发出了 NPT 型 IGBT 芯片，并于 2012 年实现量产。2015 年，公司成功独立研发出了最新一代 FS-Trench 型 IGBT 芯片，与市场主流的进口芯片性能相当，并于2016年底实现量产。到 2018 年底公司已量产所有型号的 IGBT 芯片。 （3）快恢复二极管芯片：快恢复二极管芯片较 IGBT 芯片来说研发难度相对较低且市面上可选择供应商较多，故公司开始研发快恢复二极管时间较晚。2017 年底，公司成功研发出漏电流小，正温度系数的快恢复二极管芯片，并实现量产。到 2018 年底公司已量产所有型号的快恢复二极管芯片。

2. 股权架构：股权结构相对集中，实控人专业背景背书

公司股权结构相对集中，实控人专业背景背书有利于推动公司快速发展。公司实际控制人为沈华、胡畏夫妇，通过斯达控股间接持有香港斯达 100%股份，从而实际支配香港斯达所持公司41.68%股份。其中，沈华先生于 1995 年获得美国麻省理工学院材料学博士学位。1982年7月至 1983 年 8 月任杭州汽车发动机厂助理工程师，1986 年 7 月至1990 年6 月任北京科技大学讲师，1995 年 7 月至 1999 年 7 月任西门子半导体部门（英飞凌前身，1999 年成为英飞凌公司）高级研发工程师，1999 年 8 月至 2006 年 2 月任 XILINX 公司高级项目经理，公司设立以来一直担任公司董事长和总经理。 斯达欧洲/上海道之为公司重要组成部分。上海道之是专业从事功率半导体元器件尤其是新能源汽车用 IGBT 芯片和模块研发及生产的国家级高新技术企业。成立于2013 年1月，位于上海新能源汽车与关键零部件产业园内，占地 30 亩。主要产品包括可用于新能源汽车、工业控制和新能源等领域的 IGBT 芯片、FRD 芯片、IGBT 模块及功率组件等。是目前国内车用IGBT领域的领军企业。StarPower Europe AG 在其位于德国纽伦堡的分公司开设了一个欧洲研发中心，斯达半导持股比例为 70%，其目的是研究和测试功率半导体的新技术、封装和材料，以便为StarPower 开发未来几代型号。

3. 科研能力：核心技术团队稳定，研发人员占比达24%

核心技术团队稳定，且从业经验丰富。公司创始人为半导体行业技术专家，具备丰富的知识、技术储备及行业经验；公司拥有多名具有国内外一流研发水平的技术人员，多人具备在国际著名功率半导体公司承担研发工作的经历；公司的核心技术团队稳定，大多数人在本公司拥有十年以上的工作经验。2023 年末，公司共有研究开发人员 483 名，占公司员工总数的24.13%。公司核心技术人员为沈华、汤艺、戴志展、刘志红和胡少华，其主要负责的技术研究方向如下：沈华先生有多年 IGBT 相关技术研发及生产管理经验，目前作为公司董事长及总经理，负责把控公司战略发展方向；汤艺女士有多年 IGBT 芯片技术研发及管理经验，目前作为公司副总经理及技术副总裁，负责公司 IGBT 芯片技术的研发工作；戴志展先生拥有多年半导体元器件设计及系统应用经验，目前作为公司副总经理，负责公司产品测试和系统应用工作；刘志红先生一直从事模块设计开发工作，拥有丰富的模块技术研发以及实践经验，现任公司研发部总监，负责公司模块封装技术的研发工作；胡少华先生一直从事模块制造工艺的开发工作，在模块制造工艺方面有丰富的行业经验和技术积累，现任公司工艺部总监。专业的人才团队为公司的持续稳定发展奠定良好基础，人才优势为公司持续发展提供动力。

4. 产品矩阵：以 IGBT 模块为主，多领域广泛应用

公司长期致力于 IGBT、快恢复二极管、MOSFET 等功率芯片的设计和工艺及IGBT、SiCMOSFET 等功率模块的设计、制造和测试。2023 年，斯达半导IGBT 模块销售收入占主营业务收入比例为 91.55%，为公司主要收入来源产品。公司主要产品为功率半导体元器件，包括IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC 等等。其中 IGBT 模块产品超过 600 种，电压等级涵盖100V-3300V，电流等级涵盖 10A-3600A。产品已被成功应用于新能源汽车、变频器、逆变焊机、UPS、光伏/风力发电、SVG、白色家电等领域。以新能源汽车为例，新能源汽车区别于传统车最核心的技术是“三电”系统，主要是指电机、电池、电控。“三电”中电控系统的主要作用是接收整车控制器的指令，进而控制驱动电机的转速和转矩，以控制整车的运动。另外，在制动阶段，电机控制器负责将驱动电机的回馈能量进行回收并储存到动力电池以提高能源利用效率。IGBT模块为电控系统的核心器件，担负着电控系统中将动力电池直流电能转换成驱动电机所需交流变频电能的功能，IGBT 模块决定了整车的电能转换效率。除 IGBT 模块外，公司还生产和供应碳化硅模块。

5. 经营概况：经营管理卓尔不群，新能源为主要收入领域

各细分业务均实现稳步增长，营收同比增长超 35%。2023 年，公司实现营业收入36.63亿元，同比增长 35.39%，实现归母净利润 9.11 亿元，同比增长11.36%。同时，公司主营业务收入在各细分行业均实现稳步增长：（1）公司工业控制和电源业务营业收入为12.79亿元，同比增长 15.64%。（2）公司新能源业务营业收入为 21.56 亿元，同比增长48.09%。（3）公司变频白色家电及其他业务营业收入为 2.03 亿元，同比增长 69.48%。2024Q1，公司实现营收8.05亿元，同比增长 3.17%，归母净利润为 1.63 亿元，同比下降 21.14%。

功率品类差异化&进入技术附加值相对较高领域，共促公司毛利率名列前茅。2019-2024Q1，斯达半导毛利率分别为 30.61%/31.56%/36.73%/40.30%/37.51%/31.78%；可比公司毛利率均值为 21.73%/24.72%/31.54%/31.51%/25.63%/22.58%。公司综合毛利率相对较高的主要原因包括：（1）功率半导体器件行业细分产品领域众多，同行业各公司在产品类型、产品结构、成本结构、技术水平、所处市场竞争情况等方面均有所不同，因此各公司的综合毛利率水平存在差异。公司在多年的经营中积累了丰富的技术经验，形成了领先的生产工艺以及技术优势，产品竞争力突出，使得公司可保持相对较高的毛利率水平；（2）基于公司国内领先的技术实力、稳定可靠的产品质量和良好的信誉及口碑，产品已成功进入技术附加值相对较高的应用领域，在一定程度上提高了公司整体毛利率水平；（3）公司长期从事 IGBT 模块的生产销售业务，掌握了丰富的生产经营及管理经验。同时，公司通过加强采购、生产环节的成本管理，有效地控制了生产成本。

IGBT 模块为公司主要营收来源，占比高达 90%以上。公司主营业务是以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发和生产，并以 IGBT 模块形式对外实现销售。IGBT模块的核心是 IGBT 芯片和快恢复二极管芯片，公司自主研发设计的 IGBT 芯片和快恢复二极管芯片是公司的核心竞争力之一。2019-2023 年，公司 IGBT 模块产品实现营收7.61/9.12/15.95/22.25/33.31亿 元 ， 占 总 营 收 比 例 分 别 为 97.58%/94.65%/93.46%/82.23%/90.94%，毛利率分别为30.81%/31.99%/37.14%/39.65%/37.72%。公司其他产品主要为MOSFET 模块、整流及快恢复二极管模块及分立器件等。2019-2023 年，公司其他产品实现营收0.16/0.48/1.01/4.57/3.32亿元 ， 占 总 营 收 比 例 分 别 为 1.99%/4.97%/5.91%/16.91%/9.06%，毛利率分别为12.15%/20.77%/27.19%/43.67%/35.35%。2022 年由于应用于光伏逆变器的IGBT单管销售收入同比增长 353.18%，故其他收入占比大幅上升，致使 IGBT 模块占比有所下降。

产销率保持较高水平，产品结构为毛利率/价格差异主要因素。公司逐步扩大生产规模，产能呈不断扩大的趋势；同时，随着公司与既有客户的合作日趋稳固，以及公司不断打开新的市场，公 司 的 产 能 利 用 率 呈 现 逐 步 上 升 趋 势 ， 2019-2023 年公司IGBT 模块产量分别为417/545/930/920/1,373 万 块 ， 销 量 分 别 为 418/523/878/980/1,274 万块，产销率分别为100.24%/95.96%/94.41%/106.52%/92.79% ，整体来看产销量率接近100%。价格方面，2019-2023 年，公司 IGBT 模块平均单价为 181.96/174.28/181.67/227.01/261.47元/块，同比增长 4.11%/-4.22%/4.24%/24.95%/15.18%。公司不同规格产品达千余种，产品价格因产品性能、参数要求等而有所不同，从几十元到几千元不等，年度产品平均单价的不同主要源自当年所销售产品的整体结构的差异。 新能源领域为公司产品主要下游应用方向，成为多领域头部企业主要供应商。2019-2023年，公司新能源领域营收占比分别为 21.14%/22.31%/33.48%/53.82%/58.87%，已成为公司主要营收来源领域。从客户角度分析，在新能源汽车领域，公司是国内车规级IGBT/SiC模块的主要供应商，公司积极开拓海外市场并获得了多家国外头部Tier1 的项目定点；在新能源发电领域，公司已是国内多家主流光伏逆变器客户、风电逆变器客户的主要供应商，并且与头部企业建立了深入的战略合作关系，公司根据客户需求不断推出符合市场需求的具有市场竞争力的产品；在工业控制领域，公司目前已经成为国内多家头部变频器企业IGBT 模块主要供应商，同时公司已是工控行业多家国际企业正式供应商。

Fabless 模式聚焦设计，原材料为公司主要成本。斯达半导采用Fabless 经营模式，公司聚焦研发、设计与销售，通过委外代工完成制造与封测环节，该模式相较于IDM属于轻资产模式，能够快速响应市场需求。受公司现有生产模式的影响，公司主营业务成本结构相对稳定，主营业务成本中原材料为最主要的成本，原材料主要包括 IGBT 芯片、快恢复二极管芯片、DBC板 、 散 热 基 板 等 ， 2016-2019H1 公 司 主 营 业 务成本中原材料占比分别为84.10%/87.29%/88.67%/87.21%（自 2019H1 起，公司不再披露材料、人工、制造费用细分占比）。

以直销为主，便于产品调整。斯达半导选择以直销为主、经销为辅的销售模式，可迅速了解客户需求，同时通过经销迅速拓张市场份额，提高市场声誉。此外，公司可以根据客户性质，灵活的选择直销和经销的维护方式，更好地服务客户。2023 年，公司直销占总营收85.79%，经销占比为 14.21%。

研发费用逐年增长，持续投入为公司转型战略塑造技术护城河。2019-2024Q1，公司研发费 用 分 别 为 0.54/0.77/1.10/1.89/2.87/0.64 亿 元 ，研发费用占营收比例为6.93%/8.00%/6.46%/6.98%/7.85%/7.91%。从研发费用增长层面分析，2019-2024Q1，公司研发费用同比增长分别为 10.10%/42.73%/42.95%/71.45%/52.17%/46.90%。2023年，公司在瑞士苏黎世成立新的研发中心，苏黎世研发中心是公司 2024 年成立德国纽伦堡研发中心后在欧洲设立的第二个海外研发中心，公司将不断补充高素质的专业技术团队，进一步加大对下一代IGBT、SiC 芯片以及模块先进封装技术的研发力度。 由于财务费用大幅下降，斯达半导四费合计占营收比例整体呈下降趋势。2019-2023年，四费（销售、管理、财务、研发）合计分别为 1.03/1.16/1.84/1.89/3.36 亿元，四费合计占营收比例分别为 13.27%/12.04%/10.76%/7.00%/9.19%，2022 年四费合计占营收比例显著下降，主要系公司利息收入增加所致。2023 年销售费用为 0.38 亿元，同比增长22.85%，主要系公司营业收入增加销售人员薪酬等支出相应增长所致；管理费用为 0.81 亿元，同比增长13.11%，主要系公司规模扩大人员增加，管理运营成本增加所致；财务费用为-0.70 亿元，同比下降31.64%。2024Q1 四费合计为 0.80 亿元，占营收比例为 9.89%。