民德电子功率半导体产业布局情况如何？

smart IDM赋能，全产业布局有望打造第二增长曲线。

IDM、Fabless 和 Foundry 是半导体行业两种主流运营模式，各有优劣。所谓 IDM， 是指集芯片设计、芯片制造、芯片封装和测试等多个产业链环节于一身的模式，其优点主 要体现在设计、制造等环节协同优化等，缺点主要体现在投资、运营、管理成本等高昂， 且制程越先进，劣势通常越明显。所谓 Fabless 和 Foundry，是指立足分工的半导体设计、 制造等的模式，该种模式下，通过专业分工，降低了企业资本开支，但缺陷也较为明显： 相对于 IDM，工艺协同方面较弱等。

smart IDM 模式综合了上述两种模式优点。通过参控股方式，公司构筑了综合了上述 两种模式优势的 smart IDM 模式，打通功率半导体全产业链。smart IDM 模式下，公司对 产业链上下游各环节企业均保持足够影响力，却不谋求拥有：1）与传统 IDM 模式类似， Smart IDM 模式是在产业链关键环节进行布局，既保证了产业链上下游公司紧密合作，以 实现特色工艺和供应链的安全稳定；2）与 Fabless 和 Foundry 类似，smart IDM 使得产 业链上各家公司保持了独立的组织架构、自主的产品发展规划和广阔的国际化发展空间， 减轻了资本开支压力。目前，公司参控股公司已形成了较强的协同：

1）晶睿电子致力硅片供应：目前，量产的产品为 4/5/6/8 英寸硅基外延片，产能已超 过 20 万片/月。二期项目—智能感知系统应用特种硅片项目（抛光片）已开工建设，预计 今年年底完工并开始量产；同时，晶睿电子也在着手准备碳化硅外延片的生产工作，且已 有明确意向客户，后续将基于供应链和市场情况，逐步推出碳化硅外延片产品；

2）广芯微电子布局晶圆代工：一期产能规划为 10 万片/月的 6 英寸高端特色硅基晶 圆代工产能（计划争取在今年春节前实现通线投产），但实际上，在同等投资规模情况下， 一期项目产能公司预计可提升至 13 万片/月（芯微泰克后续将承接广芯微电子的超薄片背 道代工环节，公司只需保留基本的背道工序，空出的洁净室空间可以进一步扩充广芯微电 子的正面工艺产能）。根据公司初步规划，二期建设 3 万片 8 英寸晶圆代工产能。产品定 位上，坚持“以进口替代为主，以工业和能源市场为主”，明年计划开发和量产的主要产 品包括：MOS 场效应二极管、900-1500V 高压 MOS、IGBT、FRD、SiC 二极管等；

3）芯微泰克致力超薄背道代工：在技术和业务上与广芯微电子协同互补，主要为功 率器件设计公司和晶圆厂客户提供定制化的超薄片背道代工服务（规划建设年产 270 万片 功率器件薄片/超薄芯片背道加工产线）。伴随国产功率半导体产业不断升级，中高端功率器件减薄是必然趋势，市场需求旺盛，薄片/超薄片有助于改善器件结构、提升器件性能、 减小能量损耗、提升产品价值。超薄片背道代工厂是稀缺资源，公司团队均为业内资深专 家，具有丰富的晶圆厂及超薄片加工产线建设和运营经验，且长期与海外该领域顶级机构 保持技术交流合作。项目目前处于建设阶段，预计明年年中开始量产。届时，广芯微电子 所有产品均会在芯微泰克加工成薄片或超薄片再对外销售，将显著提升器件性能和价格；

4）广微集成立足功率半导体设计：主营业务为功率半导体器件的自主研发、生产（生 产部分主要由代工厂完成）和销售。主要产品为 20V-1700V 全系列硅基功率器件，分为沟 槽式 MOS 肖特基二极管（TMBS）、快恢复二极管（FRD）、三端场效应晶体管器件（VDMOS） 三类。目前，公司在 12 英寸晶圆代工厂开发的 SGT-MOSFET 已实现量产，根据其公告， 下半年将针对 SGT-MOSFET 产品开发出更多型号。此外，公司也已着手启动芯片成品销 售工作，为明年扩产上量做好前期销售准备工作。

通过股权持股交叉安排，绑定行业内顶尖人才。民德电子通过现金支付广芯微电子股 权费用，而公司创始人通过二级买入民德电子股票，从而形成交叉持股安排。以广微集成 和广芯微电子为例，创始人谢刚是国内硅基功率半导体器件产业化工作及第三代功率半导 体器件的顶尖人才，在 IGBT 和第三代功率半导体器件的科研和产业化方面有丰富的经验， 在转让股份时，民德电子支付给谢刚现金，而谢刚通过在二级市场买入民德电子的股票（目 前已成为民德前十大股东）绑定了行业内顶尖人才，弥补了民德电子在功率半导体技术方 面的短板。

功率半导体产业化加速推进，有望打造公司第二增长曲线。公司功率半导体产业化加 速推进主要体现在两个方面： 第一，从硅片到晶圆制造产能超预期释放，产品加速推向市场：根据公司公告，①晶 睿电子原规划产能为 2022 年底 100 万片/年，当前已达到 240 万片/年（年化）；②广芯微 电子的晶圆制造产线原计划 2024 年 Q1 通线，当前公司争取 2023 年 Q1 通线，2023 年 底达产；③广微集成 2020 年净利润就已经转正，核心产品 MFER 销售数量迅速增加。

第二，碳化硅功率器件产业化稳步推进。①2021 年公司募投碳化硅功率器件项目， 规划到 2027 年形成 6 英寸碳化硅功率器件产能 3.6 万片/年。目前，广微集成已与方正微 电子就碳化硅工艺平台进行了初步验证，经过两年时间的验证，已形成了两款稳定、可量产的 1200V（分别为 2A 和 10A 规格）碳化硅肖特基二极管器件产品，该等产品处于小批 量投产阶段，试产规模约 200 片，其中 1200V/10A 规格的产品已交由终端用户进行终端 验证，验证时间已超过 3 个月，不存在异常反馈；②晶睿电子已在着手准备 SiC 外延片的 生产工作；③广芯微电子从海外采购的 SiC 功率器件生产设备陆续运抵丽水仓库，计划明 年会实现 SiC 功率器件产品的量产；④芯微泰克 2023 年投产后，也将开展 SiC 器件背道 减薄代工业务，目前已有多家意向储备客户。