SiC产业深度报告：价格迎来甜蜜点，SiC应用驶入快车道.pdf
- 上传者：小**
- 时间：2021/11/01
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技术进步，产品迭代结构持续优化。自 Wolfpseed 在 2011 年推出业内首款 SiC MOSFET 以来，过去十年受限于 SiC 电力电子器件价格、晶圆质量、工艺技术等限制，始终没有被下游大规模广泛使用。当前在技术层面，SiC 衬底位错密度下降，SiC 功率晶体设计不断迭代，产品性能，可靠性持续提升；主流晶圆尺寸由 4 英寸向 6 英寸过渡，领先厂商已经在大力扩产 8 英寸，主流产品从 SiC 二极管转变为 SiC MOSFET。
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