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电子行业深度报告：先进封装助力产业升级，材料端多品类受益。互连工艺升级是先进封装的关键，材料升级是互连工艺升级的基础。先进封装技术在重布线层间距、封装垂直高度、I/O密度、芯片内电流通过距离 等方面提供更多解决方案，助力芯片集成度和效能进一步提升。通过凸块 （Bumping）、重布线（RDL）、硅通孔（TSV）及混合键合等关键互连工艺，满 足半导体行业快速发展中日益提升的集成化需求。而工艺的升级，往往会伴随着 材料端的升级与需求的提升，国产先进封装材料方兴未艾。

先进封装带动半导体材料新需求，多品类有望受益

PSPI 光刻胶：PSPI是先进封装核心耗材之一，主要应用于再布线（RDL）工艺， 不仅为封装提供必要的电气、机械和热性能，还能实现高分辨率的图案化，大幅 减少了光刻工艺流程。目前，全球PSPI市场被外企高度垄断，CR4全球市占率 合计达到93%，国产替代需求迫切。国内企业如鼎龙股份正积极突破，放量在即。

深孔刻蚀类电子特气：深孔刻蚀类电子特气以含氟特气如SF6、C4F8等为主，主 要应用于TSV工艺。国内企业正加速刻蚀气体国产替代，如华特气体、中船特 气、金宏气体等在刻蚀气体领域均取得了技术突破，并开始逐步替代进口产品。

电镀液：电镀工艺广泛应用于先进封装，电镀液是核心原材料。具体而言，TSV、 RDL、Bumping、混合键合都需要进行金属化薄膜沉积，这将显著拉动电镀液需 求。目前，全球电镀液供应以外企为主，CR5全球市占率69.49%。中国电镀液 正经历由依赖进口向国产化转变的重要阶段，上海新阳、艾森股份进展国内领先。

靶材：靶材为薄膜制备技术中的关键原材料，主要作用为制作导电层，通常配合 电镀液使用。在先进封装工艺中，靶材在RDL、TSV、Bumping、混合键合工艺 中均有使用。国内靶材企业已经基本实现国产替代，其中江丰电子为代表性企业。

CMP材料&临时键合胶：CMP材料在先进封装中的作用主要为抛光和减薄，因 此其在TSV工艺中应用较多。目前CMP材料已经具备国产替代条件，其中抛光 垫代表企业为鼎龙股份、抛光液代表企业为安集科技。临时键合胶的作用为在晶 圆减薄过程中提供机械支撑，目前全球临时键合胶市场由外资高度垄断CR3全 球市占率约40%。中国大陆企业起步较晚，鼎龙股份有望率先实现突破。

环氧塑封料&硅/铝微粉：环氧塑封料核心作用是为芯片提供防护、导热、支撑 等，先封封装尤其是2.5D/3D封装，对环氧塑封料的流动性、均匀性和散热性提 出了更高的要求，进而对其核心原材料硅/铝微粉的粒径大小、均一性、放射性 等要求更加严格。目前，先进封装用高端环氧塑封料和硅/铝微粉依旧被日韩企 业所垄断，国内企业如华海诚科、联瑞新材、壹石通等正加速突破。