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电子行业专题报告：AI浪潮汹涌，HBM全产业链迸发向上。AI 需求爆发驱动 HBM 快速增长，三大存储原厂引领市场。HBM 即高带宽存 储器，是一种基于 3D 堆叠工艺的 DRAM 内存芯片，具有高内存带宽、低能 耗、更多 I/O 数量、更小尺寸等优势。自 2013 年海力士首次制造问世以来， HBM 已迭代至第五代 HBM3E，该代际产品最大容量为 36GB，每引脚最大数 据速率为 9.2Gbps，最大带宽超过每秒 1.18TB。ChatGPT 爆火 AI 大模型迎来 快速发展，引爆算力需求，HBM 助力突破存储瓶颈，成为高速计算平台的最 优解决方案。为应对 NVIDIA 和大型 CSP 厂商对高带宽存储订单的不断增加， 各大存储供应商持续扩大 HBM 产量，有望推动 HBM 市场规模在 2024 年 达到 169 亿美元，同比增长 288 %，占 DRAM 产业产值比重或提升至 20.1%， 同比提升 11.7pct。SK 海力士独占 HBM 市场半壁江山，三星有望逐步缩小差 距。根据 TrendForce 数据，2022 年三大原厂 HBM 份额分别为 SK 海力士占比 50%，三星占比约 40%，美光（Micron）占比约 10%。

设备端：TSV 提升前道工艺及设备需求，混合键合对先进封装提出了更高的 要求。TSV 是 HBM 核心工艺，成本占比近 30%。TSV 属于前道工艺，用于生 产 HBM 的 DRAM 颗粒需要在制造过程中预留 TSV 打孔的位置，属于定制颗 粒，其中最关键的中通孔（Via Middle）的制备涉及刻蚀、沉积、电镀、抛光 等前道工艺，提振相关设备需求。互联距离/互联密度/导热效率优势加持，混 合键合或为未来 HBM 主流堆叠键合技术。混合键合设备的平均售价将显著高 于目前最先进的 Flip chip（倒装芯片）或 TCB 键合系统。随着 HBM 需求持续 抬升，存储领域将会贡献明显增量，中性假设下全球 2030 年混合键合设备保 有量有望达到 1400 台左右。混合键合对表面光滑度、清洁度和粘合对准精度 要求更为严格，生产必须在标准接近前端晶圆厂级别的超洁净室、自动化工厂 和工艺专业知识要求的环境中进行，对先进封装和测试的工艺及设备提出了更 高的要求，键合设备、刻蚀机、电镀机、沉积设备、量测和测试设备等有望受 益。

材料端：TSV、MR-MUF 带动 EMC 材料、前驱体、电镀液、底填胶等增量 需求。MR-MUF 和 EMC 塑封料是 SK 海力士实现 HBM3 技术升级的关键工 艺及材料，MR-MUF 相比目前主流堆叠工艺 TC-NCF 具有散热好等优势，SK 海力士 2016 年首次在 HBM2E 上采用，随着后续堆叠层数变高减薄散热要求 进一步提高，EMC 材料有望迎来进一步发展。TSV 制备涉及刻蚀、沉积、电 镀、抛光等工艺，电镀液抛光材料等需求提升。此外 HBM 由多层堆叠而成， 制造端前驱体、光刻胶等用量需求提升，封装端需用 underfill 填充保护，底填 胶、载板亦有望受益。