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南大光电（300346）研究报告：先进半导体材料平台，布局国产替代三大产品。先进半导体材料平台型公司，业务包含前驱体、特气、光刻胶三大产品。前驱 体领域，公司依托“863”计划项目成果，经数年发展，在技术水平、产品种类、 市场拓展上实现跨越式发展。2021 年公司 MO 源市占率接近 30%，占据国内第 一的市场份额。电子特气领域，公司 2013 年获得国家“02 专项”高纯特种电 子气体研发与产业化项目，同年启动砷烷、磷烷等特种气体的研发工作，2019 年收购飞源气体，切入含氟电子特气市场。光刻胶领域，公司 2017 年获得国家 “02 专项”193nm 光刻胶及配套材料的研发项目立项，2020 年公司研发的 ArF 光刻胶产品成为国内通过产品验证的第一只国产 ArF 光刻胶。

MO 源龙头企业，技术领先客户覆盖度高。MO 源是制备 LED、新一代太阳能 电池、相变存储器、半导体激光器、射频集成电路芯片等的核心原材料，其中 90%以上用于生产 LED 外延片。LED 照明市场整体增速较往年有所下降，但 Mini-LED 的新型显示技术、薄膜太阳能电池的量增以及相变存储器、芯片的快 速发展仍对 MO 源需求起到促进作用。我们预计到 2025 年全球 MO 源市场规 模将达 1.8 亿美元，近几年复合增长率为 8.3%。公司 MO 源的合成环节采用独 特的合金法，和卤化物法相比工艺简单，原料无腐蚀性，副产物少，价格便宜。 公司产品远销亚太、欧美等主流市场，客户覆盖度高，龙头地位巩固。

国产光刻胶先行者，ArF 通过产品验证。光刻胶技术壁垒高企，国产替代诉求 强烈，从全球市场份额来看，光刻胶市场主要由日本、美国、韩国企业所把控。 2021 年东京应化、JSR、住友化学、富士胶片、陶氏化学、韩国东进占据近 90% 的市场份额。细分到高端的 ArF 光刻胶，行业垄断格局更为明显。公司自主研 发的 ArF 光刻胶于 2020 年通过客户的使用认证，线制程工艺可以满足 45nm-90nm 光刻需求，孔制程工艺可满足 65nm-90nm 光刻需求，是国内通过 产品验证的第一只国产 ArF 光刻胶。公司预计未来形成年产 25 吨 193nm（ArF 干式 5 吨和浸没式 20 吨）光刻胶产品的生产规模，有望助力光刻胶产品逐步实 现国产替代。

积极布局电子特气，砷烷磷烷+含氟气体优势显著。电子特气是集成电路、平板 显示、LED、太阳能电池等泛半导体领域生产制造过程中不可或缺的关键性材 料。我们预计 2023 年，全球电子特气市场总规模 934 亿元，其中 IC 市场 401 亿元，国内总市场 238 亿元，其中 IC 市场 100 亿元。公司自主研发的磷烷、砷 烷打破海外垄断，产品纯度达到 6N 标准以上级，进入英特尔、欧司朗、飞利浦 等一流公司供应商名录。同时，公司通过控股飞源气体切入三氟化氮、六氟化 硫、四氟化碳产品，已成功进入台积电、中芯国际、京东方、鸿海集团等多家 国际领先企业供应名单。公司持续扩张特气产能，发展动力十足。