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CMP产品定位及发展启示分析
- 提问时间：2024/01/11
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[1个回答]CMP是半导体芯片制造过程中不可或缺的核心环节之一。1.CMP定位：CMP是晶圆加工过程中的C位要素角色之一在半导体芯片（以下简称芯片或半导体芯片）制造过程中，半导体硅片（以下简称晶圆）经过刻蚀、离子注入等工艺过程中，其晶圆表面会变得凹凸不平，并产生多余的表面物等，为降低晶圆表面的粗糙度和起伏不平度，去除晶圆表面多余物，有效地进行下一道加工程序，则需使用抛光垫及抛光液，在专用设备（CMP设备）上对晶圆进行多次抛光处理，这一过程被称为CMP（ChemicalMechanicalPolishing），中文全称为化学机械抛光。CMP是一种实现晶圆表面平坦化的关键工艺技术，是当今最主流的晶圆抛光技术。...
标签： CMP -
CMP设备技术壁垒、市场现状、格局及空间如何？
- 提问时间：2023/12/29
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[1个回答]CMP设备技术壁垒高企，迭代周期较长。CMP设备产业化关键指标为工艺一致性、生产效率、可靠性等，主要检测参数有研磨速率、研磨均匀性和缺陷量、清洗后颗粒物残留率、金属离子含量控制等。CMP设备技术水平的高低主要取决于抛光、清洗、工艺智能控制等核心模块，抛光技术要实现纳米级别“抛得光”、晶圆全局“抛得平”，是工艺的基础；辅助、控制技术如纳米级清洗、膜厚在线检测、智能化控制等同样重要。根据赛迪顾问，通常CMP工艺后的器件材料损耗要小于整个器件厚度的10%，随器件特征尺寸不断缩小，缺陷对于工艺控制和最终良率的影响愈发明显，清洗技术、工艺控制等辅助技术的重...
标签： CMP -
CMP抛光材料增长驱动、市场集中度及壁垒分析
- 提问时间：2023/12/26
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[1个回答]CMP抛光材料是芯片生产过程中的核心材料之一，占晶圆制造材料的7%。CMP即化学机械研磨/化学机械抛光（ChemicalMechanicalPlanarization），是一种兼具机械抛光和化学抛光长处且去除速率高于单一抛光过程的技术，通过化学和机械的组合技术避免了由单纯机械抛光造成的表面损伤，利用了磨损中的“软磨硬”原理，即用较软的材料来进行抛光以实现高质量的表面抛光，将化学腐蚀和机械研磨作用达到一种平衡，最终实现晶圆表面的超高平整度，是目前唯一能兼顾表面全局和局部平坦化的抛光技术。CMP技术也是目前公认的纳米级全局平坦化精密加工技术。其中，纳米级：CMP技术本身就是...
标签： CMP 抛光材料 -
CMP设备应用场景、核心模块、发展趋势及市场空间如何？
- 提问时间：2023/10/12
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[1个回答]市场空间广阔，国产替代加速。1.CMP设备是晶圆制造不可或缺的关键一环CMP（化学机械抛光）是集成电路制造必需的关键制程工艺。集成电路的制造过程好比建多层的楼房，每搭建一层楼层都需要让楼层足够平坦齐整，才能在其上方继续搭建另一层楼，否则楼面就会高低不平，影响整体性能和可靠性。化学机械抛光（CMP）是集成电路制造过程中实现晶圆表面平坦化的关键工艺，能够有效令集成电路的“楼层”达到纳米级全局平整。如果无法在晶圆制造过程中做到纳米级全局平坦化，那么就将无法重复进行光刻、刻蚀、薄膜和掺杂等关键工艺，也无法将制程节点缩小至纳米级的先进领域；因此随着超大规模集成电路制造的线宽不断细...
标签： CMP -
华海清科CMP设备与竞争对手对比分析
- 提问时间：2023/03/20
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[1个回答]公司CMP设备与竞争对手存在差距，但是仍是国产化追赶的重要力量。目前公司的竞争对手主要为美国应用材料和日本荏原，公司在市场占有率、历史积淀、经营规模、产品丰富性和技术水平等方面均仍与两家行业巨头存在一定差距。市场占有率方面，美国应用材料和日本荏原合计拥有全球CMP设备超过90%的市场份额，我国绝大部分的高端CMP设备也主要由美国应用材料和日本荏原提供。按照SEMI统计的2018年-2020年中国大陆地区CMP设备市场规模和公司2018年度-2020年度CMP设备销售收入计算，2018年-2020年公司在中国大陆地区的CMP设备市场占有率约为1.05%、6.12%和12.64%。美国应用材料是半...
标签： 华海清科 CMP -
华海清科在CMP领域布局及收入情况如何？
- 提问时间：2023/03/20
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[1个回答]CMP设备本土市场领先，国产化提速带来收入、业绩高增长。华海清科是一家拥有核心自主知识产权的高端半导体设备制造商，主要从事半导体专用设备的研发、生产、销售及技术服务，主要产品为化学机械抛光（CMP）设备。CMP是先进集成电路制造前道工序、先进封装等环节必需的关键制程工艺。集成电路的制造过程好比建多层的楼房，每搭建一层楼层都需要让楼层足够平坦齐整，才能在其上方继续搭建另一层楼，否则楼面就会高低不平，影响整体性能和可靠性，而能够有效令集成电路的“楼层”达到纳米级全局平整的技术就是CMP技术，CMP设备则是对硅片/晶圆自动化实施CMP工艺的超精密装备。如果晶圆（芯片）制造过程...
标签： 华海清科 CMP -
哪些因素驱动CMP耗材市场持续增长？
- 提问时间：2023/03/02
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[1个回答]先进工艺带来制造材料的增加，尤其是CMP耗材。1.国大陆芯片制造自给率低，半导体产业链自主可控不断强化 中国大陆自2005年以来一直是全球最大芯片消费国，但芯片产值却一直与芯片消费额差距巨大。ICInsights报告指出，以2021年为例，中国大陆制造的芯片价值为312亿美元，与整个中国大陆的芯片消费市场（1865亿美元）相比，占比仅为16.7%，到2026年的占比也只有21.2%。ICInsights报告进一步指出，2021年在中国大陆制造的价值312亿美元的芯片中，总部位于中国大陆的公司生产了价值123亿美元的芯片，占比39.4%，在中国大陆1,865亿美元的芯片消费市场当中占比...
标签： CMP -
鼎龙股份如何布局CMP的？
- 提问时间：2023/03/02
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[1个回答]以成熟产品CMP抛光垫为切入口，推动CMP抛光液、清洗液、砖石碟等产品发展，完成四大CMP耗材产品的横向布局。1.CMP抛光垫公司是国内唯一一家全面掌握抛光垫全流程核心研发和制造技术的CMP抛光垫的国产供应商，深度渗透国内主流晶圆厂供应链，实现成熟和先进制程的全覆盖，领先优势明显，业绩进入加速兑现期。2021年公司抛光垫实现营收3.07亿元，同比增长288.61%，2022年前三季度实现营收3.57亿元，同比增长84.97%，业绩进入快速释放阶段。公司武汉本部一二期现有合计产能为30万片/年抛光垫，潜江三期抛光垫新品及其核心配套原材料的扩产项目已建设完工处于试生产阶段，并已经送样给主流客户测试...
标签： 鼎龙股份 CMP -
CMP行业竞争格局如何？
- 提问时间：2022/12/08
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[1个回答]应材、荏原垄断市场，华科中国市场突围。行业经历了群雄并起、并购扩张，最终形成寡头竞争格局。1997-2017年，全球CMP设备市场进行了激烈竞争，CMP设备厂商从20家逐渐集中在2017年两大龙头企业，分别是美国AMAT和日本EBARA。2019年，美国AMAT和日本EBARACMP设备销售收入合计占全球市场份额超过90%，分别占比70%、25%。国内绝大部分先进制程的CMP设备来自AMAT和EBARA，国内厂商华海清科、烁科精微主要供给中低端CMP设备。华海清科依托清华大学科研成果转化成立，目前已有12英寸和8英寸CMP设备导入客户产线，打破国外厂商垄断。北京烁科精微电子装备有限公司成立于2...
标签： CMP -
CMP的应用领域及作用原理是什么？
- 提问时间：2022/12/08
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[1个回答]CMP广泛应用于半导体制造工艺中。CMP是硅片制造、晶圆制造前道工序、先进封装等环节必需的关键制程工艺。伴随着IC制造的不断发展，CMP应用更加广泛，目前主要应用于衬底、金属（互连、扩散阻挡层）、介质层、平板显示等其他半导体领域中。CMP抛光基本原理是在晶圆抛光过程中，抛光头将晶圆待抛光面压抵在粗糙的抛光垫上，借助抛光液腐蚀、微粒摩擦、抛光垫摩擦等耦合实现全局平坦化，随后通过清洗清除晶圆表面的颗粒。IC制程工艺的能力由相应的CMP设备及其耗材决定，CMP设备主要包括两部分，即抛光部分和清洗部分，抛光部分由4部分组成，即3个抛光转盘和一个圆片装卸载模块。清洗部分负责晶圆的清洗和甩干，实现圆片的&...
标签： CMP -
CMP设备市场规模及成长空间如何？
- 提问时间：2022/11/08
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[1个回答]我知道CMP设备市场规模及成长空间如何。全球市场空间约23亿美元，中国大陆市场空间约7亿美元。SEMI数据显示，2020年全球CMP设备市场规模和中国CMP设备市场规模分别为15.8和4.3亿美元，2021年全球半导体设备市场规模的同比增速为44%，同年中国半导体设备市场规模的同比增速为58%。参照半导体设备在2021年的增速，我们推算2021年全球CMP设备市场规模约为22.8亿美元，中国大陆CMP设备市场规模约为6.8亿美元。伴随着中国半导体设备高速发展，CMP设备作为其重要前道设备，需求也表现出整体上升的势头，2017-2021年，中国大陆CMP设备市场规模呈现上升趋势。制程升级+晶圆厂...
标签： CMP -
CMP设备工作原理及分类是什么？
- 提问时间：2022/11/08
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- 提问者：匿名用户
[1个回答]以下内容是对CMP设备工作原理及分类的简单介绍。1.CMP设备工作原理CMP设备包括抛光、清洗、传送三大模块，其作业过程中，抛光头将晶圆待抛光面压抵在粗糙的抛光垫上，借助抛光液腐蚀、微粒摩擦、抛光垫摩擦等耦合实现全局平坦化。抛光盘带动抛光垫旋转，通过先进的终点检测系统对不同材质和厚度的膜层实现3~10nm分辨率的实时厚度测量防止过抛，更为关键的技术在于可全局分区施压的抛光头，其在限定的空间内对晶圆全局的多个环状区域实现超精密可控单向加压，从而响应抛光盘测量的膜厚数据调节压力控制晶圆抛光形貌，使晶圆抛光后表面达到超高平整度。此外，制程线宽不断缩减和抛光液配方愈加复杂均导致抛光后更难以清洗，因此需...
标签： CMP -
CMP在晶圆生产中应用于哪些环节？
- 提问时间：2022/11/08
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- 提问者：匿名用户
[1个回答]CMP工艺广泛用于晶圆生产的多个生产环节中，下面我来介绍一下。1）硅片制造环节：半导体抛光片生产流程中，在完成拉晶、硅锭加工、切片成型环节后，在抛光环节，为最终得到平整洁净的抛光片需要通过CMP设备及工艺来实现；2）集成电路制造环节：芯片制造主要可分为薄膜淀积、CMP、光刻、刻蚀、离子注入等工艺环节，芯片制造是CMP设备应用最主要的场景。3）先进封装环节：CMP工艺会越来越多被引入并大量使用，其中硅通孔（TSV）技术、扇出（Fan-Out）技术、2.5D转接板（interposer）、3DIC等将用到大量CMP工艺，这将成为CMP设备除IC制造领域外一个大的需求增长点。
标签： CMP 晶圆 -
CMP工艺的发展历程事怎样的过程？
- 提问时间：2022/11/08
- 浏览量：377
- 提问者：匿名用户
[1个回答]我来简单概括一下CMP工艺的发展历程，如果想要更多了解的话，可以前往原报告查看。CMP技术最早在1988年由IBM应用于4MDRAM芯片的制造，进入0.25μm节点后的Al布线和进入0.13μm节点后的Cu布线，CMP技术的广泛应用才让摩尔定律得以继续推进。进入90～65nm节点后：随着铜互连技术和低k介质的广泛采用，CMP的研磨对象主要是铜互连层、绝缘膜和浅沟槽隔离（STI）；进入28nm节点：逻辑器件的晶体管中引入高k金属栅结构（HKMG），因而同时引入了两个关键的平坦化应用，即虚拟栅开口CMP工艺和替代金属栅CMP工艺；到了32nm和22nm节点：铜互连低k介质集成的CMP工...
标签： CMP -
CMP的工作原理及上游材料包括哪些？
- 提问时间：2022/11/04
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- 提问者：匿名用户
[1个回答]我知道CMP的工作原理及上游领域包括哪些材料。CMP工作原理是在一定压力下及抛光液的存在下，被抛光的晶圆对抛光垫做相对运动，借助纳米磨料的机械研磨作用与各类化学试剂的化学作用之间的高度有机结合，使被抛光的晶圆表面达到高度平坦化、低表面粗糙度和低缺陷的要求。根据不同工艺制程和技术节点的要求，每一片晶圆在生产过程中都会经历几道甚至几十道的CMP抛光工艺步骤。与传统的纯机械或纯化学的抛光方法不同，CMP工艺是通过表面化学作用和机械研磨的技术结合来实现晶圆表面微米/纳米级不同材料的去除，从而达到晶圆表面的高度（纳米级）平坦化效应，使下一步的光刻工艺得以顺利进行。化学作用是指抛光液中的化学品和硅片表面发...
标签： CMP
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