中微公司经营看点在哪？

微刻蚀产品全国领先，ICP收入加速上升。

刻蚀设备作为中微公司半导体设备业务的基本盘，近年来随着中微公司技术能 力的提升和下游国产晶圆厂持续高投入，实现了快速增长。中微公司的刻蚀从 高能刻蚀产品CCP（Capacitively Coupled Plasma，电容耦合等离子体）起家。 CCP产品主要用在对介质材料，下游广泛面向逻辑，存储等不同应用。 据中微公司管理层的介绍，中微先进入CCP领域，主要是因为与其主要中国内 地竞争对手北方华创在国产设备起步阶段适当分工，而后者刻蚀则最先聚焦在 ICP（Inductively Coupled Plasma，电感耦合等离子体）。ICP 技术一般用于刻蚀 硅和金属材料等化学键能较低的材料。从市场规模来看，2024年，CCP和ICP市 场规模相仿。

尽管最先聚焦在高能刻蚀产品CCP设备，但据中微管理层的介绍，包括CEO尹志 尧在内的公司主要技术人员职业生涯中都有潜心研究ICP设备的经历。对ICP设 备的深入了解，使得公司近期加大ICP产品的研发和市场推广。ICP设备的客户 总装机量已从2020年的57台左右到2024年超过1000台。同期，CCP总装机量则 从2020年的1,100多台到2024年超过4000台。 我们认为，中微公司在刻蚀领域的发展轨迹或恰好与北方华创刻蚀业务发展相 互补，后者刻蚀设备先从ICP刻蚀设备切入市场，进而完整发展CCP设备。2024 年北方华创刻蚀设备总收入超过80亿元，而中微公司则达到了72.8亿元。我们 估测2024年二者总共占中国内地半导体刻蚀设备总额的25%左右，从一定程度 上做到了对海外品牌的国产替代。同时，我们认为两者在刻蚀市场虽然有一定 竞争关系，但二者最重要的竞争对手仍然是海外市场。目前看，海外公司仍然 占有超过七成的中国内地刻蚀市场，二者分别通过开发新产品获得市场。我们 认为，目前总体国产半导体设备产能有限，国产厂商间的竞争相对良性。 具体从产品发货量和单价（ASP）看，2024年，中微公司刻蚀设备共发货908 台，ASP达到约800万元每台。我们估算，2024年刻蚀产品中，CCP出货数量大 于ICP数量，而ICP ASP或略高于CCP产品。 展望2025年及之后的销售情况，根据管理层的指引和2024年的订单情况，我们 认为ICP出货量增速或在2025年高于CCP的增速。CCP/ICP出货量分别为640/550 台，ICP单价或继续略高于CCP。从收入口径看，我们预测CCP/ICP 2025年收入分 别为51.4/45.7亿元（合计97.0亿元）。我们认为两者营收差距或进一步减小， ICP营收或在2026年超过CCP营收。我们分别预测2026/2027年刻蚀产品总收入分 别122.6/145.2亿元。

我们认为，虽然2024年中微公司半导体刻蚀产品的销售总额略低于北方华创， 但中微公司在CCP等主要产品线上的技术能力在全国处于领先。公司刻蚀设备 有技术实力进入在国际一线客户（主要是台积电）从65至5纳米及其他先进的 集成电路加工制造生产线及先进封装生产线，这或许从一个侧面看出公司在刻 蚀领域全国领先的技术水平。

我们总结中微在CCP和ICP刻蚀设备上的优势和发展方向如下：对于ICP和CCP产品，提高刻蚀深宽比：正如在我们在上文3D NAND制造 流程的论述中提到，高深宽比刻蚀 （High Aspect Ratio HAR etching）对 3D类似堆叠的工艺流程至关重要，另外随着先进封装技术的普遍应用， 高深宽比刻蚀在TSV （Trough Silicon Via）等制造过程中亦发挥重要作 用。根据我们研究发现，虽然在学术上有160:1的刻蚀机尝试，但工业 上普遍认为100:1的深宽比或已经达到全球领先水平。中微公司从第二 代AD-RIE产品达到20:1的深宽比以来，基本保持每3-4年一代的产品升级 进程。之前第四代60:1 CCP刻蚀机广受中国内地客户好评，而其第五代 XD-RIE 90:1 CCP刻蚀机或有望今年向客户发货，接近国际先进水平；

单双反应台并举策略，双台机刻蚀性能持续提升：对于CCP和ICP刻蚀 机，公司在过去近2020年着力开发了一个完整系列的15种等离子体刻 蚀设备，并积累了大量的芯片生产线量产数据和客户验证数据。在多 款CCP和ICP的双反应台刻蚀设备基础上，公司持续技术创新，进一步提 升单片晶圆的片内刻蚀性能，以减小两个反应台间的刻蚀差异到亚埃 级，从而进一步延伸双台机的可适用工艺种类，降低该工艺的制造成 本；

成功开发的可调节电极间距的CCP刻蚀机：可调节电极间距的CCP刻蚀 机主要针对28纳米及以下的逻辑器件生产中广泛采用的一体化大马士 革刻蚀工艺。我们认为，通过可调电极间距功能可以灵活调节等离子 体和活性自由基的浓度分布，从而在同一刻蚀工艺中有效应对在实现 最优沟槽和通孔刻蚀均匀性过程中可能发生的问题，极大拓宽了一体化刻蚀工艺的工艺窗口和工艺能力。可调节电极间距可以在相同技术 要求下提高刻蚀工艺的效率，避免多次刻蚀；或是在同样的流程复杂 度下获得更好的刻蚀性能；

提高刻蚀精度，刻蚀速率和生产能力：刻蚀精度一直是衡量设备性能 的关键指标，中微公司产品在此项关键性能上近年来持续提高。以ICP Twin Star两台设备的加工精度为例，根据中微公司介绍，刻蚀精度或可 达到0.02nm。在提高精度的同时，中微刻蚀降低单片晶圆的制造成本， 帮助客户实现高密度存储芯片的制造需求，有效减少芯片使用过程中 的能耗。