存储产品价格及未来趋势如何？

存储产品价格持续上涨，未来增长趋势明显。

1. 当前时点： DRAM/NAND/Wafer 价格持续上涨

DRAM 价格已触底反弹。DRAM 价格自 23Q4 起涨，截至 2 月 27 日，DDR4 16Gb(2Gx8)2666 Mbps/ DDR4 16Gb(2Gx8)eTT Mbps/ DDR4 8Gb(1Gx8)2666 Mbps/ DDR4 8Gb(1Gx8)eTT/DDR4 8Gb(512Mx16)2666 Mbps 现货价格分别为 3.67/2.75/1.97/1.39/1.91 美元，较各自最低点涨幅分别为 35.3%/25.2%/36.0%/36.5%/30.7%，较 12 月底涨幅分别 为 6.9%/16.4%/11.8%/16.5%/8.9%，增长趋势明显。截至 23 年 8 月，DDR4 16Gb 2Gx8/DDR4 8Gb 1Gx8/DDR4 8Gb 512Mx16 合约价格持续下跌，9 月保持平稳，10 月以 来上述产品合约价格持续上涨；DDR4 4GB 256Mx16 产品 10/11/12 月合约价格分别为 1.10/1.12/1.12 美元，小幅稳步上涨。

NAND 合约价格涨势明显，现货价格稳中有涨。NAND 合约价格自 23Q4 起涨， 32Gb 4Gx8 MLC/64Gb 8Gx8 MLC/128Gb 16Gx8 MLC 价格 4 月至 9 月维持 2.43/2.76/3.82 美元的低点，此后缓慢增长，至 12 月上述产品合约价格 2.57/3.02/4.33 美元。现货价格 整体呈稳中有涨趋势，以 256Gb 32Gx8 MLC 为例，23 年以来现货价格于 7 月触底，为 11.15 美元，此后缓慢上涨，至 24 年 3 月 4 日价格涨至 11.48 美元，保持小幅上涨。

Wafer 涨价趋势明显，原厂涨价意愿强烈。Flash Wafer 512Gb TLC/Flash Wafer 1Tb 价格于 7 月 24 日触底至 1.40/2.78 美元，此后价格持续上涨，截至 24 年 2 月 19 日分别 为 3.44/6.06 美元，涨幅高达 145.7%/118.0%。Flash Wafer 256Gb TLC 价格于 23 年 8 月 14 日触底至 0.93 美元，此后持续上涨，至 24 年 2 月 19 日价格为 1.77 美元，涨幅 90.3%。

2. 未来趋势：存储产品缺货行情明显，涨价趋势有望延续

2.1. DRAM：缺货行情引发价格上涨，产品转型亦拉动均价上涨

三大原厂持续减产，去库存效果显著。DRAM 头部大厂不断降低 DRAM 产量，以 恢复供需平衡，库存去化效果显著。三星、SK 海力士不断减产，23Q3 产量较 Q1 分别 下降 15%/12%；美光宣布已完成库存去化，并于 23Q4 将减产幅度缩小至 17%，较 Q3 减小 14pct。

多因素带动 DRAM 需求改善，高附加值产品供不应求。AI 服务器的高算力要求推 升高带宽存储器 HBM 需求，通用服务器 CPU 升级加速 DDR5 的渗透。尽管存储头部 厂商不断加大对 HBM、DDR5、LPDDR5 等高附加值产品的投资，但缺货行情仍然明显。 三星已收到 AMD 与英伟达的 HBM 订单，将增加 HBM 供应以应对缺货，近期 SK 海力 士宣布 HBM内存生产配额全部售罄，24 年产销量已达饱和状态，公司已备货至今年底， 且正积极筹备 2025 年订单。美光科技 CEO 也对外透露，美光 2024 年的 HBM 产能预 计已全部售罄。根据 TrendForce，23 年 HBM 供需比为-2.4%，处于供不应求状态，预计 24 年供需比将为 0.6%。 DDR5、HBM3 等产品占比提升，带动 DRAM 均价上涨。DDR5 和 HBM3 占比不 断提升，更高的 ASP 带动 DRAM 平均单价提升。HBM 方面，根据 TrendForce 预测， 24 年市场需求将大幅转往 HBM3，其比重将直接超越 HBM2e，预估达 60%。SK 海力 士公司今年的 HBM 已经售罄，正积极筹备 2025 年订单。DDR 方面，根据 Yole 预测， 到 2026 年 DDR5 在 DDR 产品中的占比将超过 90%；此外，已观察到 DDR5 DRAM 价 格的上涨，DDR5 16Gb 2Gx8/DDR5 16GB U-DIMM/DDR5 8GB U-DIMM 合约价格分别 从 23 年 6 月最低点 3.17/28.52/14.84 美元上涨至 4.00/34.00/17.50 美元，涨幅分别为 26.2%/19.2%17.9%，对 DRAM 价格上涨有进一步拉动作用。

2.2. NAND： 供给端减产+需求端复苏，缺货行情促进量价齐升

存储大厂持续减产，涨价预期带动产品缺货。23 年以来，三星、SK 海力士、美光 等主流 NAND 供应商为减小亏损集体减产，且力度大于 DRAM 减产力度，由于产能优 先供应自有品牌，产品对外销售比例下降。与此相应，NAND 价格不断升高，涨价预期 持续发酵带动下游拉货意愿上涨，部分产品已出现缺货。

SSD、eMMC、UFS 等 NAND 产品需求回稳，有助于形成量价齐升局面。NAND 需求持续复苏，部分产品已供不应求，未来有望形成量价齐升的局面，推动 NAND 价格 涨势持续。根据 TrendForce，NAND Flash 主流产品需求位元成长预期良好，预计 24Q1 合约价涨幅在 15%-20%，3D NAND Wafers 预计涨幅 8-13%。