如何看待中国大陆先进制程、存储扩产弹性？

中国大陆先进制程、存储扩产高弹性。

摩尔定律：当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔 18~24 个 月便会增加一倍，性能也将提升一倍。在过去的半个多世纪中，以 CMOS 技术为 基础的集成电路技术一直遵循“摩尔定律”，即通过缩小器件的特征尺寸来提高 芯片的工作速度、增加集成度以及降低成本，取得了巨大的经济效益与科学技术 的重大发展，推动了人类文明的进步，被誉为人类历史上发展最快的技术之一。

摩尔定律虽然放缓，但仍然是芯片性能升级最主要驱动力。AMD CEO 苏姿丰在2019 年表示，过去十年来 CPU、GPU 的性能约每 2.5 年翻倍，尽管摩尔定律有所放缓， 但根据 AMD，在过去十年芯片的性能提升中，40%归功于制程节点的提升，其他如 TDP、格外的芯片尺寸、架构升级以及功耗管理等亦扮演重要角色。

BIS 升级出口管制措施。 2018 年 8 月，美国颁布了《2018 年出口管制改革法》，其中美国商务部下设 的工业与安全局（BIS）负责军民两用物项出口管制的监管。BIS 对于“出口 行为”的管控范围、以及对被出口“物项”的管控范围均十分宽泛。不仅是 处在美国、或美国生产的物项可能被纳入管控范围，依赖美国技术生产、或 含一定比例“美国成分”的物项均有可能被纳入管控，即便并非由美国企业 生产。

2022 年 10 月，美国针对半导体等发布出口管制措施，其中关于半导体制造 相关的是禁止向中国的半导体制造“设施”上“开发”或“生产”提供满足 以下任一标准的物项： A． 具有 16nm 或 14nm 或以下生产技术节点的非平面晶体管结构的逻辑集成 电路； B． 128 层或以上更多堆叠的 NAND 闪存集成电路； C． 18nm 半间距或更小的 DRAM 内存集成电路。

2023 年 10 月，BIS 发布《半导体制造物项更新规则》，在物项管控层面增加 了受管控设备，其中对光刻设备管控限制为： 用于对晶圆进行对准和照射以进行加工的重复设备（"步进重复"（"直接晶 圆步进"）设备或"步进扫描"（扫描仪）设备），采用光学或 X 射线方法，具 有以下任意一项或两项条件： 1.光源波长小于 193nm，或 2.光源波长等于或大于 193nm 米，且同时满足: a.能够生产具有"最小可分辨特征尺寸"（MRF）为 45nm 或更小的图案；和 b.满足以下任意一项: b.1:DCO(最大专用卡盘覆盖)值小于或等于 1.50nm;或 b.2:DCO(最大专用卡盘覆盖)值大于 1.50nm 但小于或等于 2.4nm。

BIS 限制下，中国大陆无法获得 EUV 及先进 DUV 光刻机。以 ASML 的光刻机参数 为例，公司所有 EUV 设备均使用 13.5nm 波长光源，因此都在限制范围内。此外， 根据 ASML，DUV 系列光刻机中，公司预计自 2024 年开始不再能获得向中国大陆 出货其 TWINSCAN NXT:2000i 及更高端型号设备的出口许可。

2025 年：台积电计划量产 N2 节点，美光计划量产 1γDRAM。2024Q2 台积电收入 中 7nm 及以下节点占比约 67%，从应用领域来看，智能手机、高性能计算平台收 入占比达到 85%。同时台积电表示智能手机、高性能计算客户对最先进制程节点 的需求强劲，公司计划 2025 年量产 N2 节点，预计 N2P 及 A16 在 25H2 量产。美 光目前量产的 DRAM 均采用 DUV 光刻设备制造，公司已于 2024 年开始试生产基于 EUV 光刻的 1γ DRAM，并计划于 2025 年量产。 中芯国际 2023 年销售额位列晶圆代工行业第四位。中芯国际是世界领先的集成 电路晶圆代工企业之一，也是中国大陆集成电路制造业领导者，拥有领先的工艺 制造能力、产能优势、服务配套，向全球客户提供 8 英寸和 12 英寸晶圆代工与 技术服务。根据全球各纯晶圆代工企业 2023 年销售额情况排名，中芯国际位居 全球第四位，在中国大陆企业中排名第一。

大力研发加速追赶，研发费用率领先。中芯国际研发费用率维持高位，2018 年以 来研发费用率始终高于同行业的台积电、联电、华虹公司，公司在纵向追求更小 的晶体管结构的同时，持续利用已开发工艺节点的产线成本和性能优势，开展横 向衍生平台建设，以满足庞大的终端市场的应用需求，以及各细分市场中不同客 户的差异化需求。

中国大陆 DRAM 自主化需求空间广阔。当前中国大陆 DRAM 投片量占全球比重仅约 10%，显著低于中国大陆半导体销售额全球占比约 30%的水平，DRAM 自主化需求 空间广阔。根据 TrendForce，2022Q4 全球主要 DRAM 厂商月平均投片量合计 159.1 万片（12 英寸片），其中中国厂商占比约 5%。2023 年下游需求收缩，海外三大厂 减产，但国产存储厂逆势扩产，2023Q4 全球 DRAM 月均投片量合计为 135.1 万片， 国产厂商份额约 9.8%。2024 年随着下游需求逐步修复，海外三大厂产品价格提 升，稼动率修复，预计到年底全球 DRAM 月均投片量提升至 180.2 万片，国产厂 商持续扩产，2024 年中国厂商份额仍维持在 10%左右。

大基金三期成立，注册资本超前两期总和。根据天眼查，2024 年 5 月 24 日，国 家集成电路产业投资基金三期股份有限公司成立，注册资本 3440 亿元，前几大 股东中，财政部持股比例 17.4%，国开金融持股 10.5%，上海国盛持股 8.7%，建 设银行、中国银行、农业银行、工商银行分别持股 6.25%，亦庄国投和交通银行 分别持股 5.8%。2014 年 9 月和 2019 年 10 月，大基金一期和二期成立，注册资 本分别为 987.2、2041.5 亿元，大基金三期注册资本规模超过前两期总和，股东 结构中，大基金三期的银行股东占比显著提升。 大基金二期入股长鑫，彰显发展决心。根据企查查 2023 年 10 月 26 日变更记录， 长鑫新桥存储投资人发生变更，长鑫芯安出资额由 43.5 亿元提升至 147.5 亿元， 合肥鑫益合升出资额由 6.5 亿元提升至 145.2 亿元，此外新增大基金二期出资额 145.6 亿元，公司总体获得增资超过 380 亿元。2024 年 2 月，武汉新芯注册资本 由 57.8 亿元提升至 84.8 亿元，长江存储持有武汉新芯 68.2%的股权。大力投入 推动国产存储产业链升级发展。