标准铜箔结构、产业链、分类及供需格局分析

厚积薄发，领军高端标箔国产替代。

1.标准铜箔：连接电子元器件导电体，覆铜板关键材料

标准铜箔是制造覆铜板（CCL）、印制电路板（PCB）的主要原材料，起到导电体的作 用。覆铜板是以环氧树脂等为融合剂将玻纤布和铜箔压合在一起的产品，主要起互连导 通、绝缘和支撑的作用，对电路中信号的传输速度、能量损失和特性阻抗等有很大的影 响。印制电路板由经过蚀刻、电镀后的多层覆铜板压合制成，是电子元器件的支撑体， 也是电子元器件电器相互连接的载体，不仅为电子元器件提供电气连接，也承载着电子 设备数字及模拟信号传输、电源供给和射频微波信号发射与接收等业务功能，绝大多数 电子设备及产品均需配备。

标准铜箔产业链上游参与者主要为铜箔原料供应商（阴极铜、硫酸），下游为覆铜板、印 制电路板制造商。PCB 终端应用于多样领域，2021 年显示 PCB 前四大应用领域为通讯、 计算机、消费电子和汽车，分别占比 32%、24%、15%和 10%。从 PCB 成本结构来看， 覆铜板占据 PCB 成本费用 43.59%，而铜箔占据覆铜板成本的 40%。

标准铜箔根据性能可以分类为常规铜箔和高性能类铜箔两大类。常规铜箔多用于家用电 器和各种电子设备的普通覆铜板的合成制造。高性能 PCB 铜箔按照应用领域可以划分为 五类，包括高频高速电路用铜箔、IC 封装载板用极薄铜箔、高密度互连电路（HDI）用 铜箔、大功率大电流电路用厚铜箔、挠性电路板用铜箔。RTF（反转铜箔）与 HVLP（极 低轮廓铜箔）是高频高速覆铜板硬板使用的主流产品。

2.需求： 中低端市场需求稳定，高端市场受益 5G、IDC 发展

中低端标箔产品需求保持稳定，国内 PCB 以普通多层板为主

下游市场规模稳定增长。随着 5G 通讯、服务器升级、汽车电子增长的拉动，全球 PCB 产值规模保持稳定增长，从 2014 年的 574 亿美元提升至 2021 年的 809 亿美元，实现了 5.0%的 CAGR。其中，中国大陆市场 PCB 产值则从 262 亿美元提升至 442 亿美元，实现 了 7.8%的 CAGR。

从 PCB 产品结构来看，普通多层板占据 PCB 产品的主流地位。2021 年全球 PCB 市场以 多层板为主，占比达 38.6。中国 PCB 市场多层板占比达 47.6%。目前我国的高端印制电 路板占比相较其全球占比低。随着电子电路行业技术的迅速发展，小型化、智能化趋势 将使得市场对高密度、高多层、高技术 PCB 产品需求更为突出，高多层板、HDI 板、封 装基板等技术含量更高的产品未来在 PCB 行业中占比将进一步提升。

高频高速用铜箔有效降损耗，5G 和云计算发展拉动需求增长

高频电路中存在“趋肤效应”，导致热损耗、性损耗增大。PCB 传输损耗主要由介质损 耗、导体损耗和辐射损耗三部分组成。其中辐射损耗的影响一般较小；介质损耗和导体 损耗则主要受到电流分布以及导体粗糙度的影响。高频电流或电压在导体中传导时，会 产生趋肤效应，即导体内的电流会集中在导体的表面。趋肤效应导致的热损耗随传输频 率的增加而增大，同时导体粗糙度越大，信号传输时产生的“驻波”和“反射”等越大， 信号损耗越大。而低粗糙度的高频高速用铜箔表面使得信号传输路径相对较短，可以有 效改善趋肤效应，减小信号传输损耗。

高频高速铜箔能够有效改善趋肤效应，减小信号传输损耗。一般电路和器件互连的频率 在 1GHz 以上的被称为高频。当信号频率升高时，又往往需要通过提高信号传输速度的 方式来确保信号时序的有效性和完整性。高频高速基板用铜箔处理面粗糙度小，如 HVLP2、HVLP3 的处理面粗糙度 Rz 值小于 1.5μm，远低于其他铜箔，应用于高频高速 覆铜板有助于减少信号损失。

HVLP 铜箔降低信号损失效果更明显。采用 X6 板材（Very Low Loss 等级）分别搭配不 同铜箔制得损耗性能测试板，并用 FD 法测试相应的损耗值，可以得到与 HTE 铜箔相比， HVLP 铜箔的微带线和带状线损耗比 HTE 铜箔小 12~16%，差异明显；与 RTF 铜箔相比， HVLP 铜箔的微带线损耗比 RTF 铜箔小 4~8%，带状线损耗小 8~12%。

5G 高速率、低时延的特点对其基站建设采用的 PCB 及铜箔提出了更高的要求。5G 数据 速率、数据流量、通道数量相比 4G 大幅提升，峰值数据速率从 1Gbps 提高到 20Gbps， 将在频率速率、层数、尺寸以及光电集成上对 PCB 提出更高的要求，导致高速 PCB 层 数增加、面积增大，其中应用的高频高速铜箔价值量也会随之提升。

5G 基站加速建设推动高频高速铜箔行业发展。截至 2022 年 9 月末，中国累计建成开通 5G 基站达到 222 万个，比去年末新增 79.5 万个，仍处在加速建设阶段。根据十四五信 息通信行业发展规划，预计到 2025 年每万人拥有的 5G 基站数将从 2020 年的 5 个至少 增加至 26 个，即总共 364 万座。

5G 加快建设的同时，云计算市场持续增长。2021 年全球云计算市场回暖，增速上涨至 32.44%，市场规模达 3307 亿美元。中国云计算市场维持高速增长，仍处于快速发展阶段， 市场规模达 3229 亿元，同比增长 54.4%。

数据中心（IDC）作为支撑云计算市场的基础设备，需求也随之增长。近年来数据中心 市场规模保持稳定增长，2021 年 IDC 市场规模达 679.3 亿美元，同比增长 9.79%。全球 数字经济持续稳定增长，计算力作为关键生产力要素，成为推动经济发展的核心驱动力。 因此我国各部门不断出台了相关政策推动数字经济发展。2022 年 2 月 17 日，国家发改 委、中央网信办、工信部、国家能源局联合印发通知，同意在京津冀、长三角、粤港澳 大湾等 8 地启动建设国家算力枢纽节点，并规划了 10 个国家数据中心集群。全国一体化 大数据中心体系完成总体布局设计，“东数西算”工程正式全面启动，为 IDC 建设发展 注入强大驱动力。

服务器作为 IDC 的核心设备决定数据运行的效率，5G 时代下的服务器需求量和承载要求 将逐步提升，推动高端 PCB 印制电路板以及高端标准铜箔需求。同时国内服务器厂商崛 起，叠加国内服务器市场稳步增长，为国产高频高速铜箔厂商带来发展机会。2021 年中 国服务器市场规模达 250.9 亿美元，同比增长 15.9%，中国服务器出货量达到 391.1 万台， 占比 28.9%，占比持续提升。

需求测算：预计 25 年市场空间约 200 亿元，三年 CAGR10.4%

中低端标准铜箔方面，受消费电子行业需求低迷影响，22 年需求略微下降，预计 23-25 年 分 别 保 持 5%/7%/9% 的稳定增长， 对 应 22-25 年 铜箔需求 预计分别达到 52.5/55.2/59.0/64.3 万吨，加工费方面，22 年中低端标准铜箔相比 21 年略有下降，假设 22-25 年分别为 2.4/2.4/2.5/2.5 万元/吨；高端标准铜箔方面，受益 5G、云计算发展，预计 未来几年高端标准铜箔需求增长维持中高速，预计 22-25 年行业增速分别为 30%/25%/20%/20%，对应 22-25 年高端标准铜箔需求预计分别达到 2.8/3.5/4.2/5.0 万吨， 由于高端标准铜箔仍处于国产替代过程中，加工费水平较高，预计维持在 7 万元/吨的水 平。整体来看，标准铜箔 25 年市场空间有望达到 195.7 亿元，22-25 年 CAGR 为 10.4%。

3.供给：中低端竞争激励，高端仍在国产替代中

高端标准铜箔仍由日资、台资企业垄断

国内标准铜箔生产仍以中低端铜箔为主流，产量总体保持稳健增长。受益于产业链下游 市场发展，2021 年我国标准铜箔产量 40.2 万吨，同比增长 19.1%。其中高频高速电路用 铜箔增长较快，2021 年产量为 1.28 万吨，同比增长 69.6%。 行业集中度整体不高，腰部标准铜箔厂市场份额差距尚未拉开。2021 年标准铜箔市占率 CR3、5、10 分别为 43%、54%、75%。除龙头企业外，排名相对靠前的中前部企业份额 基本位于 4%-7%左右。

内资企业在生产高频高速铜箔方面与日资、台资存在较大差距。2021 年全球高频高速标 准铜箔销售量中，中国大陆企业仅占比 7%，而日本企业占比 42%，中国台湾地区企业占 比 41%。RTF 铜箔方面，中国台湾地区的长春化工、南亚塑胶以及日本的三井金属，分 别位居前三名，中国大陆占比仅 9.6%；VLP+HVLP 铜箔方面，三井金属以约 7000 吨销 量，位居市场占有率首位，占比 32.9%，中国大陆内资企业产量仅有 100 吨，占比 0.5%。

高端铜箔技术壁垒高，仍由日韩企业供给为主

标准铜箔最重要的两大性能指标为粗糙度与剥离强度。低粗糙度可以减少信号损耗，尤 其在高频信号下表现更为明显；而高剥离强度使得铜箔与树脂结合制成的覆铜板更为稳 定，二者不可或缺又互为矛盾。因此处理面粗糙度要求更高的高频高速用铜箔生产尤为 困难，目前我国高频高速基板用铜箔依赖进口。在国内的高频高速铜箔市场中，需求最 高的 RTF2 铜箔主要供应厂商为台资企业，占比 40%。而 HVLP 铜箔在国内市场的生产 供应大部分来自日资企业。

同时解决极低的表面轮廓度与高剥离强度的技术壁垒目前主要有四个工艺路线：涂敷底 胶、瘤化处理、铜箔表面化学处理、偶联技术。但大部分专利技术均由日企所持有，后 进入者研发成本高，国内企业亟待突破。 涂敷底胶：即在铜箔层压面进行薄涂覆底胶。2018 年，三井金属铜箔公司推出 FSP501 极薄、超低轮廓带载体型电解铜箔。其厚度为 1.5~3.0μm，Rz 为 1.4μm。涂敷薄胶层提 高了剥离强度，与 FR-4 基材可达到 1.2 kg/cm。但这种方法会对电气性能造成较大损失；

瘤化处理：指将铜箔在含有硫酸铜的溶液中进行粗化层电沉积处理，使铜箔表面生成松 散的瘤体，增强与基材的结合力。再进行固化，使粗化瘤体被正常的铜镀层所包围及加 固，降低粗糙度。日本福田金属箔粉工业株式会社在 2019 年间推出的 CF-T4X-SV 极低 粗糙度铜箔，采用了独创的微细粗化处理技术，大幅降低了粗糙度。同时粗化面处理后 形成的瘤化粒子带来了“高锚栓”效果，使得其具有较高的铜箔剥离强度； 铜箔表面化学处理：如松下 2019 年 12 月公布的超低轮廓铜箔压合面的表面处理新技术 CuTAP，使得铜箔表面上纳米级晶粒构成微小凹凸状，扩大了比表面，使得树脂与铜箔 的黏接强度得到提高。同时加入保护膜，提高基板耐热性，确保了 250 ℃下铜箔光滑面 的抗氧化性能良好； 偶联技术：即在铜箔与树脂的界面间运用偶联技术、偶联剂复配技术。经过偶联剂改性 后的铜箔与基材树脂的耐热结合力，比未做偶联剂改性的基材有所提高。