如何看待德龙激光长期成长空间？

多线布局高景气赛道，SiC、钙钛矿、新型显示打开长期成长空间。

1. SiC：掌握激光隐形切割技术，晶锭切割打造新成长曲线

用于多种材料晶圆加工、晶圆制造和先进封装环节。公司布局先进封装激光 开槽，钻孔，激光辅助焊接、打标等设备，集成电路和 LED 芯片的晶圆切割、刻 蚀，以及对光学镜头中光学镀膜玻璃的切割处理等方面，不同的应用场景下处理 的材料有所区别。（1）集成电路：用于硅/砷化镓/碳化硅晶圆切割、划片；（2） LED：用于对 LED 照明行业的蓝宝石材料衬底的晶圆片进行隐形切割、和氮化镓 发光层激光剥离；（3）光学镀膜玻璃（主要为滤光片）；对镀膜光学玻璃、玻璃晶 圆等透明材料进行隐形、精密切割。

碳化硅（SiC）在大功率器件应用中优势显著，行业成长前景广阔。碳化硅 具有高热导率、低能量损耗、高工作频率等优点，适用于高压、高频、高温等应 用场景。根据集邦咨询数据，2022 年全球 SiC 功率元件市场规模达 16.1 亿美元， 预计 2026 年将增长到 53.3 亿美元，2022-2026 年 CAGR 达到 35%。

碳化硅加工难度大，激光隐形切割优势明显。碳化硅材料的硬度极高，仅次 于金刚石，同时又具有晶体的脆性，加工难度较大，良率低产出低，一定程度上 制约了碳化硅芯片的推广普及。碳化硅晶圆划片方法有砂轮划片、激光划片等方 式，其中砂轮划片效率低、磨损大、易造成崩边，已逐渐被激光划片取代。激光 划片方式又可分为激光全划、激光半划、激光隐形划切、水导激光划切等方式， 其中激光隐形划切可实现表面无粉尘污染，几乎无材料损耗，加工效率高。德龙 激光使用自产超快激光器可以实现隐形切割，是国内少数几家掌握激光隐形切割 技术的企业之一。

拓展碳化硅晶锭激光切片设备，进一步开拓市场空间。切片是碳化硅单晶加 工过程的第一道工序，切片的质量也决定了后续薄化、抛光等工序的加工水平。 目前针对碳化硅材料的切片工艺主要有固结磨料线锯切片、激光切割、冷分离以 及电火花切片等技术，其中激光切割技术是通过激光处理在内部形成改性层从碳 化硅晶体上剥离出晶片，具有材料耗损少、晶片产出高、良率可控、切割效率高 等优势。公司开发的碳化硅晶锭激光切片设备可最大支持 8 英寸晶锭分切、最大 切割速度 800mm/s，具有明显的领先优势，目前已完成工艺研发和测试验证，正 积极开拓市场。

2. 钙钛矿：首套钙钛矿电池生产整段激光设备已实现收入

钙钛矿太阳能电池属于继晶硅、薄膜之后的第三代太阳能电池，其化学通式 为 ABX3，其中 A 位离子通常是有机大分子或具有大离子半径的元素，如甲胺离 子（MA+）、甲脒（FA+）或铯离子（Cs+）；B 位离子主要为 IVA 族金属元素离子， 通常为二价铅离子（Pb2+）、锡离子（Sn2+）；X 位通离子常为卤素离子，主要为 碘离子（I-）、氯离子（Cl-）、溴离子（Br-）等。

与晶硅电池相比，钙钛矿太阳能电池具有高效率、低成本、实际发电量高、 用途广泛等特点。高效率：钙钛矿材料在光电性质上有很大优势，效率天花板高， 此外钙钛矿具有带隙连续可调的特点，可制成钙钛矿/晶硅、钙钛矿/钙钛矿叠层电 池，进一步打开效率天花板；低成本：钙钛矿太阳能电池原材料成本低、制备工 艺简单、能耗低；实际发电量高：钙钛矿太阳能电池有良好的弱光性能，在早晨、 傍晚、阴天等弱光环境下仍可正常发电；用途广泛：与晶硅相比，钙钛矿太阳能 电池重量轻，可制成透明组件、柔性组件，拥有更广泛的用途。

钙钛矿设备市场空间广阔。随着相关企业加大布局和开发力度，钙钛矿电池 的产业化探索步伐逐渐加快，预计 2026 年钙钛矿电池新增产能达 16GW，2030年将达 161GW。目前钙钛矿单 GW 投资超过 10 亿元，预计 2026 年下降至 7 亿 元。我们测算 2026 年钙钛矿设备市场空间超百亿，2030 年有望达到 966 亿元。

激光划线、清边是钙钛矿单结电池生产的必要工序。目前，大面积钙钛矿太 阳能电池多采用串联方式降低电阻，需要通过激光方式（P1-P3）在不同位置针 对不同功能层进行划线。此外，激光也可用于封装前的清边工序（P4）： 激光 P1 划线：对 TCO 层进行划线切割，确定每个子电池的面积。 激光 P2 划线：完成电荷传输层、钙钛矿层的制备后，使用激光清理出各子 电池之间串联所需要的 TCO 区域，后续通过沉积电极层实现子电池的串联。 激光 P3 划线：完成电极沉积后，通过激光划线分割相邻子电池的正电极。 激光 P4 清边：清理掉电池边缘的膜层，为封装做准备。

公司首套钙钛矿电池生产整段激光设备已实现收入。公司早在 2009 年就推 出过非晶硅薄膜太阳能电池的激光刻蚀设备，对薄膜太阳能电池生产制造及激光 加工工艺有技术储备及工艺沉淀。公司首套钙钛矿薄膜太阳能电池生产整段设备 （百兆瓦级，除 P1-P3 激光划线设备及 P4 激光清边设备之外，还包括 P0 激光 打标设备）2022 年已交付客户并投入使用，为客户在国内率先实现百兆瓦级规模 化量产提供了助力。目前公司正在开发针对钙钛矿薄膜太阳能电池的新一代生产 设备，对设备的加工幅面、生产效率等都进行了迭代升级。公司从 2022 年下半 年开始一直在配合头部客户的新工艺开发，同时不断开拓新客户。

3. 新型显示：Mini/Micro LED 市场广阔，激光巨量转移设备已获订单

LED 产业链景气度回温。过去几年受疫情及供需关系等因素影响，LED 行业 出现周期波动，2021 年开始产业链明显回暖。以 LED 芯片为例，2019 年中国 LED 芯片市场规模下滑至 201 亿元，2020 年市场开始回暖，2021 年市场规模提升至 305 亿元，预计 2022 年将继续增长至 324 亿元。

新兴显示技术发展迅猛，Mini-LED 趋于成熟。从投资层面来说，高工 LED 预计继 2020 年 Mini/MicroLED 等领域新增投资约 430 亿元及 2021 年 Mini/Micro LED 等领域新增投资 750 亿元之后，2022 年针对 Mini/Micro LED 等 LED 显示领 域的投资也超过了 700 亿元规模，产业链上中下游投资热情高涨。

据 DSCC 的数据，2021 年所有应用的 Mini LED 面板出货量为 980 万片，预 计 2026 年将达 3700 万片，2021-2026 年 CAGR 达到 30.4%。行家说 Research 预计，TV、MNT、Vehicle 和 VR 是 Mini LED 的增长赛道，以上市场 2022 年到 2026 年的复合增长率（CARG）分别是 66.23%、47.78%、154.57%和 30.5%。 Micro LED 方面，集邦咨询预计 2026 年 Micro LED 大型显示器的 4 吋 wafer 约 当量为114万片；芯片产值预计达27亿美元，2021~2026年复合成长率约241%。 Mini/Micro LED 的高速增长，将为 LED 行业带来新的增长极，相关设备需求前 景广阔。

Micro LED 应用瓶颈：巨量转移技术。随着芯片尺寸的变小，Micro LED 对 芯片转移的效率、精度等方面要求明显提升。以 4K 电视为例，一台 4K 电视为例， 需要转移的晶粒高达 2400 万颗，对晶粒转移技术的精度、效率、稳定性都提出 了很高的要求。整个制程对转移过程要求极高，良率需达 99.9999%，精度需控 制在±0.5μm 内，一次转移需要移动几万乃至几十万颗 LED，数量巨大。

激光转移技术优势明显。Micro LED 巨量转移已发展出精准拾取转移技术、 自对准滚轮转印技术、自组装转移技术、激光辅助转移技术等多种技术方案，其 中激光辅助转移技术在合适的工艺参数下可达到较高的良率、精度和转移速率， 成为 Micro LED 巨量转移的主流技术方案之一。

公司 Micro LED 巨量转移设备已获订单。德龙激光面向 Micro LED 推出了系 列全新解决方案，包括：Micro LED 激光剥离设备（可整面剥离/选择性剥离）， Micro LED 激光巨量转移设备（可通过直转/二次转移等方式将三色芯片转移到基 板上），Micro LED 激光修复设备，其中 Micro LED 激光剥离及激光修复设备已 交付客户并实现收入，Micro LED 激光巨量转移设备已获得头部客户订单。