不同光伏技术激光设备有哪些价值量 ？

不同光伏技术激光设备价值量

中国激光设备平稳增长。中国科学院武汉文献情报中心预计，2022 年我国的激 光设备市场销售收入增速有所回落，将达到 876-900 亿元，同比增长 6.7%~9.6%。2020 年至 2022 年中国激光设备市场销售收入及预测分别为 692 亿元、821 亿元和 876 亿元。

激光设备价值量占光伏设备整线投资有望达到 20%以上。激光技术可应用于 PERC 电池激光消融、SE 激光掺杂，TOPCon 电池激光硼掺杂、激光开膜、特 殊浆料开槽，HJT 电池的 LIA 激光修复，IBC 电池的激光开槽。在电池片金属化 方面，激光转印相较传统丝网印刷设备，在节约银浆、提升效率、减少碎片率方 面更有优势，工艺路线已经覆盖了 PERC、 TOPCon、IBC、HJT 等电池工艺。

PERC（Passivated Emitter and Rear Cell）钝化发射区和背表面电池，通过在 电池背面增加钝化层，阻止载流子在一些高复合区域（如电池表面与金属电极的 接触处）的复合行为，减少电损失，同时可以增强电池下表面光反射，减少光损 失，从而提高电池的转换效率，提高电池的性能。PERC 电池与常规全铝背场电 池最大的区别在于：电池背面用全表面介质膜钝化和局域金属接触方式取代全铝 背场电极。

PERC+SE 电池较普通 PERC 电池的光电转换效率绝对值可提高 0.3%至 0.5%。 采用激光掺杂的 SE 技术可以显著提高太阳能电池浅扩散区域的表面浓度，降低 表面复合，在金属接触区域实现重掺杂，改善金属浆料和电池的接触，降低接触 电阻，提高电池转换效率。因此，激光掺杂技术能在与现有 PERC 电池线兼容的 基础上，提高产出电池的光电转换效率。

TOPCon（Tunnel Oxide Passivated Contact）即隧穿氧化层钝化接触电池， 大多数 TOPCon 是基于 n 型硅，正面采用氧化铝和氮化硅电解质层来钝化 p+ 硼扩散发射极，在背面拥有~1nm 隧穿氧化层——“氧化硅”是其核心特点，而 后分别镀 n+多晶硅层和氮化硅层，最后在电池正反面刷上银电极。氧化硅提供 极好的化学钝化作用，重掺杂的多晶硅截面排斥“少子”，隧穿氧化层可以使“多 子”在非常低的结电阻下隧穿通过，由于载流子选择性，在掺杂层之间，载流子 形成快速输运能力，使得电阻损失减少、载流子复合率降低，而达到提升效率的 目的。

HJT（Heterojunction）即异质结电池，其典型结构是在 n 型单晶硅衬底上，沉 积本征非晶硅和 p 型非晶硅薄膜，形成 p-n 异质结。n 型硅片经过清洗制绒后， 表面依次沉积本征富氢非晶硅薄膜、P 型非晶硅薄膜，从而形成 p-n 异质结，然 后在背面依次沉积本征富氢非晶硅薄膜，以及 n 型重掺杂的非晶硅膜，形成背 表面场。在两面的外侧再沉积上透明导电氧化物薄膜 TCO，最后通过丝网印刷 技术在两侧顶层形成金属电极（栅线），这样就构成了拥有两面对称结构的 HJT 电池。

IBC（Interdigitated back contact）即指交叉背接触。正负金属电极呈叉指状 方式排列在电池背光面的一种背结背接触的太阳电池结构，它的 p-n 结位于电池 背面。（1）电池正面无栅线遮挡，避免了金属电极遮光损失，最大化吸收入射 光子，实现良好短路电流。（2）电池背面制备呈叉指状间隔排列的 p+区和 n+ 区，以及在其上面分别形成金属化接触和栅线；由于消除了前表面发射极，前表 面复合损失减少。（3）TOPCon、HJT 与 IBC 结合形成 TBC、HBC 电池。