TOPCon难点在哪里？

TOPCon难点在于良率、降本。

从制备流程来看，TOPCon相比PERC主要增加了硼扩、氧化层和掺杂多晶硅层沉积，需要扩散炉（难度高于磷扩）、沉积设备；少了激光SE和激光划线工艺。

硼扩：尽管硼扩与磷扩工艺以及设备相似度极高，但是因为硼在硅中的固溶度较低，导致硼扩相较常规的磷扩较难，实际硼扩散的温度需要达到900-1100℃，同时三溴 化硼扩散的副产物对石英器件损伤严重。目前越来越多的厂商开始使用三氯化硼作为硼源，虽然三氯化硼的副产物对石英器件基本无损伤，但受制于B-CL键能较大，扩 散均匀性又略差于三溴化硼。另外，目前SE暂时又未能应用于TOPCon 正面发射极，方阻的提升空间相对SE+PERC较小，大大影响了短路电流的提升和接触电阻的降 低。

多晶硅钝化层制备：TOPCon和PERC最大的不同即为背面引入了隧穿氧化层+掺杂薄多晶硅层, 当前主流的工艺为通过热氧法生长约1.5-2nm的隧穿氧化层，同时通过 LPCVD方法沉积150-200nm的薄多晶硅层，再辅之磷扩进行掺杂，但是该技术路线生产效率低且伴随绕镀的问题导致良率偏低，目前采用此工艺路线的TOPCon良率 也仅为90-95%，与PERC 98%的良率相差较大。针对LPCVD良率提升困难的现状，越来越多的设备厂商开始尝试新的技术路线，如PECVD、PEALD、PVD，尽管新 技术路线的设备陆续推向市场，但新技术路线的设备仍缺量产能力验证。