长存控股Xtacking架构如何改变3D NAND设备采购结构与国产化机遇？

Xtacking架构使设备需求从扩产跟随升级为技术迭代驱动。3D NAND的层数上升不仅带来设备采购量的增长，更通过深宽比、沉积周期和键合工艺三个维度的技术变化，驱动刻蚀和沉积设备在产线设备使用量中的占比结构性攀升，同时混合键合工艺引入了传统3D NAND不具备的全新设备环节。

在刻蚀环节，随着半导体从平面设计转向堆叠式三维架构，沉积和刻蚀强度预计将增加约一倍。3D NAND通道孔刻蚀目前深宽比约为50:1，行业正推动向100:1迈进。以某种3D NAND技术路线为例，在150k/月假定产能下，当3D NAND层数从32层提升到128层时，刻蚀设备使用量占比从34.9%上升到48.4%。

在薄膜沉积环节，薄膜沉积设备在闪存产线资本开支中的占比已从2D时代的约18%上升至3D时代的约26%，并随层数和深宽比增加进一步攀升。每增加一个堆叠层即需多沉积一层薄膜和多刻蚀一段深度，沉积和刻蚀步骤与层数几乎成正比增长。

混合键合是Xtacking架构区别于传统3D NAND的核心特征。该技术可在同一工序中同步实现金属与介质双重界面的牢固连接，将互连间距推进至10微米以下。

在国产化进展方面，国内多家设备厂商已取得实质性突破。中微公司CCP刻蚀设备已批量供货232层以上产线，在长存介质刻蚀份额仅次于AMAT和Lam，2025年刻蚀设备销售收入达98.32亿元。北方华创多款ICP及CCP刻蚀设备、薄膜沉积设备、炉管设备和清洗设备应用于长江存储芯片生产线，并于2026年3月率先发布12英寸D2W混合键合设备Qomola HPD30，成为国内率先完成该设备客户端工艺验证的厂商。拓荆科技深耕PECVD领域，产品已导入长江存储供应体系，其三维集成设备产品已覆盖先进存储等多个领域应用，2026年一季度营收同比增长56.97%，归母净利润由亏转盈。